Mikroelektronické, mikromechanické a senzorové prvky a štruktúry

Pracovníci | Publikácie

 

 

Mikroelektronické, mikromechanické a senzorové prvky a štruktúry

Motiváciou pre takýto výskum je primárna potreba mikrosenzorov schopných pracovať v extrémnych podmienkach vysokých teplôt a chemicky agresívnych prostredí. Nové materiály ako skupina III-nitridov sú veľmi atraktívne pre výrobu elektronických obvodov i senzorov pracujúcich pri vysokých teplotách, nakoľko sa ich excelentné piezoelektrické vlastnosti uchovávajú v pomerne širokom teplotnom rozsahu.

Na výskum a vývoj MEMS senzorov sme v našom oddelení zaviedli stratégiu na báze iterácie krokov vychádzajúcich z originálnej myšlienky:

  • Modelovanie a Simulácia – tvorba modelov; simulácia mechanických a elektrických vlastností a správania sa štruktúr využitím softvéru Ansys
  • Návrh fotolitografických masiek – návrh a vývoj masiek pomocou CAD nástrojov pre výrobu mikroelektronických prvkov a štruktúr
  • Procesná technológia – výroba MEMS a elektronických komponentov využitím mikrosystémových technológií
  • Hodnotenie funkčnosti – elektrická/tepelná/mechanická/štrukturálna analýza za pomoci (bez)kontaktných charakterizačných metód
  • Overenie modelu – získané výsledky slúžia na ladenie parametrov modelu pre jeho lepšie pochopenie i ďalšie vyladenie

 

Technológia je aplikovateľná v oblasti senzoriky v extrémnych podmienkach pre detekciu a meranie dynamických tlakových javov ako napríklad spaľovacie a raketové motory; monitoring tlaku v priemyselných turbínach; dynamika tlakových vĺn.

 

Súčasné publikácie:

Osvald, J., Lalinský, T., and Vanko, G.: High temperature current transport in gate oxides based (GaN)/AlGaN/GaN Schottky diodes, Applied Surface Sci 461 (2018) 206-211.

Chromik, Š., Španková, M., Talacko, M., Dobročka, E., and Lalinský, T.: Some peculiarities at preparation of Bi4Ti3O12 films for bolometric applications, Applied Surface Sci 461 (2018) 39-43.

Osvald, J.: Fast and slow traps in Al2O3/(GaN)/AlGaN/GaN heterostructures studied by conductance technique, Physica E 97 (2018) 126-129.

Lalinský, T., Dzuba, J., Vanko, G., Kutiš, V., Paulech, J., Gálik, G., Držík, M., Chromik, Š., and Lobotka, P.: Thermo-mechanical analysisof uncooled La0.67Sr0.33MnO3 microbolometer made on circular SOI membrane, Sensors Actuators A 265 (2017) 321–328.

Osvald, J., Vanko, G., Chow, L., Chen, N.C., and Chang, L.B.: Transition voltage of AlGaN/GaN heterostructure MSM varactor with two-dimensional electron gas, Microelectron. Reliab. 78 (2017) 243–248.

Osvald, J.: Interface traps contribution to capacitance of Al2O3/(GaN)AlGaN/GaN heterostructures at low frequencies, Physica E 93 (2017) 238-242.

Babchenko, O., Dzuba, J., Lalinský, T., Vojs, M., Vincze, A., Ižák, T., and Vanko, G.: Stability of AlGaN/GaN heterostructures after hydrogen plasma treatment, Applied Surface Sci 395 (2017) 92-97.