Projekty

Medzinárodné

AGAMI_EURIGAMI – Európska inovatívna pokročilá GaN mikrovlnná integrácia
European Innovative GaN Advanced Microwave Integration
Číslo projektu: 101102983
Program: EDF
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Web stránka projektu: https://ec.europa.eu/info/funding-tenders/opportunities/portal/screen/opportunities/projects-details/44181033/101102983/EDF
Doba trvania: 15.12.2022 – 14.12.2026
NANOMAT – Heterogenná materiálová a technologická platforma pre novú doménu výkonovej nanoelektroniky
Heterogeneous Material and Technological Platform for a New Domain of Power Nanoelectronics
Číslo projektu: Horizont Európa-101091433
Program: Horizont Európa
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Web stránka projektu: https://doi.org/10.3030/101091433
Doba trvania: 1.12.2022 – 30.11.2025
Európska sieť pre inovatívnu a pokročilú epitaxiu
European Network for Innovative and Advanced Epitaxy
Číslo projektu: CA20116
Program: COST
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Web stránka projektu: https://www.cost.eu/actions/CA20116/#tabs+Name:Description
Doba trvania: 1.11.2021 – 30.10.2025
CUBES – Stredoeurópsky kompetenčný klaster pre (ultra)širokopásmové polovodiče
Central-European (Ultra)Wide Bandgap Expertise Cluster
Číslo projektu: 22320095
Program: International Visegrad Fund (IVF)
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Gucmann Filip, PhD.
Doba trvania: 1.1.2024 – 1.6.2025
SAFEMOST – Vysokobezpečný GaN MOS spínací tranzistor
Highly Safe GaN Metal-Oxide-Semiconductor Transistor Switch
Program: International Visegrad Fund (IVF)
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Web stránka projektu: http://www.safemost.sav.sk/
Doba trvania: 1.10.2015 – 30.3.2019

Národné

InN: prielom v elektronike tuhej fázy
InN: Breaking the Limits of Solid-State Electronics
Číslo projektu: 09I01-03-V04 -00019
Program: Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Anotácia:
Doba trvania: 1.11.2023 – 30.6.2026
Nanoelsen – Nanoštrukturované tenkovrstvové materiály vyznačujúce sa slabými väzbovými interakciami pre elektronické a senzorické aplikácie
Nanostructured thin-film materials characterized by weak binding interactions for electronic and sensoric applications
Číslo projektu: APVV-21-0278
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: RNDr. Gregušová Dagmar, DrSc.
Anotácia:
Doba trvania: 1.7.2022 – 30.6.2026
Pokročilé nízkotrecie povlaky na báze ultratenkých 2D-TMDC pre extrémne podmienky
Lubrication challenge for ultra-thin advanced 2D-TMDC in extreme conditions
Číslo projektu: 09I03-03-V04-00709
Program: Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ: Mgr. Kozak Andrii, PhD.
Anotácia:
Doba trvania: 1.7.2024 – 30.6.2026
Transit2D – Tranzistory na báze 2D kovových chalkogenidov pripravených teplom podporovanou konverziou
Transistors based on 2D Metal Chalcogenides Grown via Thermally Assisted Conversion
Číslo projektu: APVV-21-0231
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Ťapajna Milan, PhD.
Anotácia:
Doba trvania: 1.7.2022 – 30.6.2026
Kritické aspekty rastu polovodičových štruktúr pre novú generáciu III-N súčiastok
Critical aspects of the growth for a new generation of III-N devices
Číslo projektu: 2/0005/22
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Anotácia:
Doba trvania: 1.1.2022 – 31.12.2025
Vplyv substrátu na teplotné nestability pri kladnom napätí v obohacovacích Al2O3/InAlN/GaN MOSHEMT-och
Impact of substrate material on positive bias temperature instabilities in enhancement mode Al2O3/InAlN/GaN MOSHEMTs
Číslo projektu: 24183001
Program: Iné projekty
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Pohorelec Ondrej, PhD.
Doba trvania: 1.7.2024 – 31.12.2025
Moderné elektronické súčiastky na báze ultraširokopásmového polovodiča Ga2O3 pre budúce vysokonapäťové aplikácie
Modern electronic devices based on ultrawide bandgap semiconducting Ga2O3 for future high-voltage applications
Číslo projektu: 20-0220
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Gucmann Filip, PhD.
Anotácia:
Doba trvania: 1.7.2021 – 30.6.2025
NanoMemb-RF – Moderné nanomembránové heteroštruktúry na báze GaAs pre vysoko produktívne vysokofrekvenčné prvky
Advanced GaAs-based nanomembrane heterostructures for highperformance RF devices
Číslo projektu: APVV-21-0365
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: RNDr. Gregušová Dagmar, DrSc.
Anotácia:
Doba trvania: 1.7.2022 – 30.6.2025
PEGANEL – p-GaN elektronika pre úsporu energie a post-CMOS obvody
p-GaN electronics for energy savings and beyond-CMOS circuits
Číslo projektu: APVV-21-0008
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Anotácia:
Doba trvania: 1.7.2022 – 30.6.2025
Elektronické a optoelektronické súčiastky na báze ultra-širokopásmového Ga2O3 polovodiča
Electronic and optoelectronic devices based on ultra-wide bandgap Ga2O3 semiconductor
Číslo projektu: 2/0100/21
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Ťapajna Milan, PhD.
Anotácia:
Doba trvania: 1.1.2021 – 31.12.2024
Fotonické laboratórium na čipe: výskum a vývoj platformy plazmonického senzora pre okamžitú detekciu zložiek v roztokoch
Photonic Lab-on-a-Chip: investigation and development of plasmonic sensor platform for immediate detection of composites in solutions
Číslo projektu: 20-0437
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania: 1.7.2021 – 31.12.2024
Nanooptické sondy a senzory integrované na optickom vlákne
Nano-optical probes and sensors integrated on optical fiber
Číslo projektu: 20-0264
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania: 1.8.2021 – 31.12.2024
Výskum a vývoj kontaktov pre nové materiály a súčiastky
Contact engineering for advanced materials and devices
Číslo projektu: 2/0068/21
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: RNDr. Gregušová Dagmar, DrSc.
Anotácia:
Doba trvania: 1.1.2021 – 31.12.2024
Vlastnosti tepelného transportu v budúcich perspektívnych polovodičových materiáloch a rozhraniach
Thermal transport properties of perspective future semiconductor materials and interfaces
Číslo projektu: SK-CN-21-0013
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Gucmann Filip, PhD.
Doba trvania: 1.1.2022 – 31.12.2023
Vývoj medzivrstiev karbidu kremíka a nitridu hliníka pre pn heteroštruktúry oxidu gália a bórom dopovaných nanodiamantov
Development of silicon carbide and aluminum nitride interlayers for pn heterostructure based on gallium oxide and boron-doped nanodiamonds
Číslo projektu: APP0373
Program: DoktoGrant
Zodpovedný riešiteľ: MSc. Keshtar Javad
Doba trvania: 1.1.2023 – 31.12.2023
Zlepšenie kryštalickej kvality β-Ga2O3 rasteného na SiC substrátoch pomocou LI-MOCVD metódy
Improvement of crystal quality of β-Ga2O3 grown on SiC using LI-MOCVD method
Číslo projektu: APP0424
Program: DoktoGrant
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Hrubišák Fedor
Doba trvania: 1.1.2023 – 31.12.2023
Vývoj UV senzora na báze GaN pre vesmírne aplikácie
GaN-based heterostructure as a promising UV sensor for space application
Číslo projektu: 2/0114/19
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Stoklas Roman, PhD.
Doba trvania: 1.1.2019 – 31.12.2022
Vertikálny GaN MOSFET pre výkonové spínacie aplikácie
Vertical GaN MOSFET for power switching applications
Číslo projektu: 18-0054
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Anotácia:
Doba trvania: 1.7.2019 – 30.6.2022
Pokročilé III-N súčiastky pre prenos informácie a energie
Advanced III-N devices for energy and information transfer
Číslo projektu: 2/0012/18
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Anotácia:
Doba trvania: 1.1.2018 – 31.12.2021
Systematický výskum Ohmických kontaktov pre súčiastky na báze romboedrického oxidu gália (alfa-Ga2O3)
Systematic investigation of Ohmic contacts for devices based on rhombohedral gallium oxide (alfa-Ga2O3)
Číslo projektu: APP0234
Program: DoktoGrant
Zodpovedný riešiteľ: Mgr. Egyenes Fridrich, PhD.
Doba trvania: 1.1.2021 – 31.12.2021
SENAD – Polovodičové nanomembrány pre hybridné súčiastky
Semiconductor nanomembranes for hybrid devices
Číslo projektu: 15-0243
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Kúdela Róbert, CSc.
Anotácia:
Doba trvania: 1.7.2016 – 31.12.2019
MioGaN – GaN monolitické integrované obvody
GaN Monolithic Integrated Circuits
Číslo projektu: 15-0673
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Doba trvania: 1.7.2016 – 30.6.2019
Tranzistory s InN-kanálom pre THz mikrovlny a logiku
Transistors with InN channel for THz microwaves and logic
Číslo projektu: 15-0031
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Doba trvania: 1.7.2016 – 30.6.2019
Univerzálna nanoštrukturovaná platforma pre interdisciplinárne použitie
Universal nanorod platform for interdisciplinary applications
Číslo projektu: 14-0297
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania: 1.7.2015 – 31.12.2018