Spolupráca

Ferdinand-Braun-Institute, Berlín (Dr. J. Würfl)

Normálne zatvorené GaN HEMT-y pre prevodníky

Inst. of Quantum Electronics and Photonics,
EPFL Lausanne (Prof. N. Grandjean, Dr. J.-F. Carlin)

Technológia InAlN/GaN HEMT-ov

Research Center for Integrated Quantum Electronics,
Sapporo, Hokkaido University (Prof. T. Hashizume)

Vysoko bezpečné GaN HEMT-y

Research Center Jülich (Dr. M. Mikulics)

III-V nanoštruktúry

University of Crete (Prof. A. Georgakilas)

HEMT-y s InN kanálom

Epigan NV (Dr. M. Germain)

Rast GaN pomocou MOCVD

Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i. (Prof. E. Hulicius)

GaN MOCVD

Wroclaw University of Technology, Wroclaw (Prof. M. Tlaczala)

III-V MOCVD

FEI STU Bratislava (Prof. A. Šatka)

Elektronika zmiešaných signálov na GaN