O oddelení

Vedúci: Ing. Filip Gucmann, PhD.

Zástupca vedúceho: Ing. Ťapajna Milan, PhD.

Oddelenie sa zaoberá technológiou prípravy, podrobnou charakterizáciou a aplikáciami III-V polovodičov v mikroelektronike a optoelektronike. Sústreďujeme sa najmä na kvantové štruktúry a nanoštruktúry založené na InAlN/(In)GaN, AlGaN/GaN, AlGaAs/GaAs, InGaP/GaAs a InGaP/GaP materiálových systémoch. Tento výskum sa opiera o prevádzku vlastného MOCVD laboratória s dvomi aparatúrami, jedna pre III-N  materiály (CCS systém), druhá pre III-As, resp III-P materiály (horizontálny systém).

 

Hlavné oblasti výskumu:

Ďalšie oblasti výskumu:

  • MOCVD rast III-V polovodičov

Pracovníci oddelenia: