Elektrická charakterizácia

Laboratórium je súčasťou  Centra aplikovaného výskumu.
Slúži na kompletnú elektrickú charakterizáciu dvoj- a štvor-terminálových polovodičových štruktúr a prvkov (tranzistorov, diód, štruktúr MOS, MIM a TLM). Dva nezávislé plne automatizované pracoviská umožňujú meranie nezapuzdrených vzoriek priamo na substráte ako aj čiastočne a úplne zapuzdrených súčiastok a následnú analýzu dát.

Vybavenie:

• Keithley 4200 Semiconductor Characterization System (3x SMU, PIV-A, PIV-Q, CVU)
• HP8114A 100 V / 2 A Programmable pulse generator (šírka impulzu od 10 ns do 1 s)
• Agilent 4284A LCR Meter, Keithley 2400 SourceMeter and 6517A Electrometer
• Wentworth PML 8000 a MDC Hot-chuck kontaktovacia stanica (25 – 200/300 °C), Xe lamp SP ASB-XE-175EX (200 – 1100 nm) so sadou kovových interferenčných filtrov a svetlovodom
• Optický mikroskop ZEISS Axio Lab.A1

Využitie:

• Jednosmerné a impulzné meranie volt-ampérových charakteristík a časových priebehov prúdu a napätia polovodičových štruktúr a súčiastok
• Meranie kapacitno-napäťových kriviek (s asistenciou svetla), kapacitných časových priebehov, AC spektroskopia

Kontakt: Ing. M. Ťapajna, PhD., Tel.: +421-2-5922 2777

Prístup: Samostatný prístup po zaškolení (2 hodiny), online rezervácia

Cena:  0 Eur/pra zamestnancov SAV

Dokumentácia: : 4200_SCS, 4200-CVU, 4200_PIV

Systém pre elektrickú charakterizáciu polovodičových štruktúr