Zechel, F., Hutár, P., Vretenár, V., Végsö, K., Šiffalovič, P., and Sýkora, M.: Green colloidal synthesis of MoS2 nanoflakes, Inorg. Chem. 62 (2023) 16554–16563.
1. Dai, Y.P.: Chem. Rev. 124 (2024) 5795.
Bystrický, R., Tiwari, S.K., Hutár, P., Vančo, L., and Sýkora, M.: Synthesis of sulfide perovskites by sulfurization with boron sulfides, Inorg. Chem. 61 (2022) 18823-18827.
1. Agarwal, S.: J. Mater. Chem. C 11 (2023) 15817.
2. Mithal, V.: Adv. Theory Simul. 6 (2023) Iss. 5.
3. Freund, T.: Crystals 14 (2024) 267.
4. Jana, S.: Inorg. Chem. 63 (2024) 6474.
5. Han, Y.B.: Applied Phys. Rev. 11 (2024) 021338.
6. Li, Q.Q.: J. Phys. Chem. Lett. 15 (2024) 7221.
7. Vincent, K.C.: J. Mater. Chem. C 12 (2024) 12521.
8. Berseneva, A.A.: Chem. Mater. 36 (2024) 7988.
Kozak,A., Precner, M., Hutár, P., Bodík, M., Vegso, K., Halahovets, Y., Hulman, M., Siffalovic, P., and Ťapajna, M.: Angular dependence of nanofriction of mono- and few-layer MoSe2, Applied Surface Sci 567 (2021) 150807.
1. Bondarev, A.: ACS Applied Mater. Interfac. 14 (2022) 55051.
2. Yu, K.: Mater. Today Adv. 18 (2023) 100380.
3. Zhu, C.T.: Chalcogenide Lett. 20 (2023) 685.
4. Ando, Y.: Applied Surface Sci 637 (2023) 157991.
Sojková, M., Dobročka, E., Hutár, P., Tašková, V., Pribusová Slušná, L., Stoklas, R., Píš, I., Bondino, F., Munnik, F., and Hulman, M.: High carrier mobility epitaxially aligned PtSe2 films grown by one-zone selenization, Applied Surface Sci 538 (2021) 147936.
1. Lukas, S.: Adv. Function. Mater. 31 (2021) 2102929.
2. Nakazawa, T.: Photonics 8 (2021) 505.
3. Miller, A.M.: Zeit. Naturfor. B-A J. Chem. Sci 77 (2022) 313.
4. Todorova, N.: Applied Surface Sci 611 (2023) 155534.
5. Tang, Q.Y.: Nanomater. 13 (2023) 1169.
6. Raczynski, J.: Mater. Sci Engn. B 297 (2023) 116728.
7. Liu, H.: Phys. Status Solidi RRL 17 (2023) Iss.12.
8. Cho, Y.S.: ECOMAT 5 (2023) 12358.
9. Kim, M.J.: Acta Materialia 268 (2024) 119776.
10. Liu, L.N.: J. Chem. Phys. 160 (2024) 141101.
Španková, M., Sojková, M., Dobročka, E., Hutár, P., Bodík, M., Munnik, F., Hulman, M., and Chromik, Š.: Influence of precursor thin-film quality on the structural properties of large-area MoS2 films grown by sulfurization of MoO3 on c-sapphire, Applied Surface Sci 540 (2021) 148240.
1. Zhu, Z.S.: AIP Adv. 12 (2022) 035016.
2. Yusuf, B.: Micro Nanostruct. 164 (2022) 107111.
Pribusová Slušná, L., Vojteková, T., Hrdá, J., Pálková, H., Šiffalovič, P., Sojková, M., Vegso, K., Hutár, P., Dobročka, E., Varga, M., and Hulman, M..: Optical characterisation of few-layer PtSe2 nanosheet films, ACS Omega 6 (2021) 35398-35403.
1. Hsu, C.H.: Adv. Mater. Technol. 9 (2024) Iss. 8.
2. Minev, N: ACS Omega 9 (2024) 14874.
Shaji, A., Vegso, K., Sojková, M., Hulman, M., Nádaždy, V., Hutár, P., Pribusová Slušná, L., Hrdá, J., Bodik, M., Hodas, M., Bernstorff, S., Jergel, M., Majková, E., Schreiber, F., and Šiffalovič, P.: Orientation of few-layer MoS2 films: in-situ x-ray scattering study during sulfurization, J. Phys. Chem. C 125 (2021) 9461–9468.
1. Kim, J.H.: Nano Energy 91 (2022) 106693.
2. Krbal, M.: Applied Phys. Lett.121(2022) 192105.
3. Cabeda, D.S.: Applied Surface Sci 610 (2023) 155488.
4. Lei, H.: ACS Applied Nano Mater. 7 (2024) 3931.
Hagara, J., Mrkývkova, N., Nádaždy, P., Hodas, M., Bodík, M., Jergel, M., Majková, E., Tokár, K., Hutár, P., Sojková, M., Chumakov, A., Konovalov, O., Pandit, P., Roth, S., Hinderhofer, A., Hulman, M., Šiffalovič, P., and Schreiber, F.: Reorientation of π-conjugated molecules on few-layer MoS2 films, Phys. Chem. Chem. Phys. 22 (2020) 3097-3104.
1. Huang, Y.L.: Surface Rev. Lett. 28 (2021) 2140003.
2. Zhao, Y.D.: Chem. Rev. 122 (2022) 50.
3. Oliva, I.G.: Phys. Rev. Mater. 6 (2022) 054004.
4. Demchenko, H.: Thin Solid Films 788 (2024) 140170.
Hutár, P., Španková, M., Sojková, M., Dobročka, E., Végso, K., Hagara, J., Halahovets, Y., Majková, E., Šiffalovič, P., and Hulman, M.: Highly crystalline MoS2 thin films fabricated by sulfurization, Phys. Status Solidi B 256 (2019) 1900342.
1. Johari, M.H.: Nanomater. Nanotechnol. 11 (2021) 1847980420981537.
2. Panasci, S.E.: Nanomater. 12 (2022) 182.
3. Chandran, M.: J. Colloid Interface Sci 660 (2024) 412.
Hulman, M., Sojková, M., Végso, K., Mrkývkova, N., Hagara, J., Hutár, P., Kotrusz, P., Hudec, J., Tokar, K., Majková, E., and Šiffalovič, P.: Polarized Raman reveals alignment of few-layer MoS2 films, J. Phys. Chem. C 123 (2019) 29468-29475.
1. Zuo, S.: Mater. Sci Semicond. Process. 121 (2021) 105457.
2. Rahmati, B.: J. Electron. Mater. 50 (2021) 3645.
3. Bai, X.: J. Hazard. Mater. 416 (2021) 125830.
4. Du, Y.H.: J. Phys.-Cond. Matt. 34 (2022) 224001.
5. Guo, Z.L.: ACS Nano 16 (2022) 11268.
6. Komen, I.: J. Applied Phys. 132 (2022) 173103.
7. Motala, M.J.: Mater. Today Nano 22 (2023) 100319
8. Yu, H.W.: Chem. Mater. 35 (2023) 3484.
Sojková, M., Chromik, Š., Rosová, A., Dobročka, E., Hutár, P., Machajdík, D., Kobzev, A.P., and Hulman, M.: MoS2 thin films prepared by sulfurization, Proc. SPIE 10354 (2017) 103541K-1.
1. Kokalj, D.: Coatings 10 (2020) 755.
2. Ghosh, S.: Energy 203 (2020) 117918.
3. Gupta, D.: Mater. Chem. Phys. 276 (2022) 125422.
Sojková, M., Végso, K., Mrkývkova, N., Hagara, J., Hutár, P., Rosová, A., Čaplovičová, M., Ludacka, U., Skákalová, V., Majková, E., Šiffalovič, P., and Hulman, M.: Tuning the orientation of few-layer MoS2 films using one-zone sulfurization, RSC Adv. 9 (2019) 29645-29651.
1. Balasubramanyam, S.: ACS Applied Mater. Interfaces 12 (2020) 3873.
2. Cichocka, M.O.: ACS Applied Mater. Interfaces 12 (2020) 15867.
3. Lee, J.: ACS Nano 14 (2020) 17114.
4. Navarro-Gamarra, K.E.: J. Phys. Chem. C 125 (2021) 2005.
5. Panasci, S.E.: Nanomater. 12 (2022) 182.
6. Krbal, M.: Applied Phys. Lett. 121 (2022) 192105.
7. Zulkifli, N’A.: Nanoscale Adv. 5 (2023) 879.