Ing. Roman LUPTÁK, PhD.

2011

Lupták, R., Lopes, J. M. J., Lenk, St., Holländer, B., Durgun Özben, E., Tiedemann, A. T., Schnee, M., Schubert, J., Habicht, S., Feste, S., Mantl, S., Breuer, U., Besmehn, A., Baumann, P. K., and Heuken, M.: Atomic layer deposition of HfO₂ and Al₂O₃ layers on 300 mm Si wafers for gate stack technology, J. Vacuum Sci Technol. B 29 (2011) 01A301.*

2009

Vincze, A., Lupták, R., Hušeková, K., Dobročka, E., and Fröhlich, K.: Thermal stability of GdScO₃ and LaLuO₃ films prepared by liquid injection MOCVD, Vacuum 84(2009) 170.

Hušeková, K., Jurkovič, M., Čičo, K., Machajdík, D., Dobročka, E., Lupták, R., Macková, A., and Frőhlich, K.: Preparation of high permitivity GdScO₃ films by liquid injection MOCVD, ECS Trans. 25 (2009) 1061.

Frőhlich, K., Vincze, A., Dobročka, E., Hušeková, K., Čičo, K., Uherek, F., Lupták, R., Ťapajna, M., and Machajdík, D.: Thermal stability of GdScO₃ dielectric films grown on Si and InAlN/GaN substrates, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1155 (2009) C09-03.

2008

Vincze, P., Lupták, R., Hušeková, K., and Fröhlich, K.: High κ semiconductor structures investigation using SIMS. In: Proc. 14^th Inter. Conf. Applied Phys. Condensed Matter: APCOM 2008. Eds. J. Vajda et al. Bratislava: STU, 2008. ISBN 978-80-227-2902-4. P. 246-249.

2007

Písečný, P., Harmatha, L., Jakabovič, J., Ťapajna, M., Lupták, R., and Čičo, K.: The properties of oxygen plasma annealed La₂O₃ films for CMOS technology. In: APCOM 2007: Proc. 13^th Inter. Conf. on Applied Physics of Condensed Matter. Eds.: D. Pudiš et al. Žilina: ŽU, 2007. ISBN: 978-80-8070-709-5. P. 243-246.

2006

Fröhlich, K., Lupták, R., Dobročka, E., Hušeková, K., Čičo, K., Rosová, A., Lukosius, M., Abrutis, A., Písečný, P., and Espinós, J.P.: Characterization of rare earth oxides based MOSFET gate stacks prepared by metal-organic chemical vapour deposition, Materials Sci Semicond Process. 9 (2006) 1065-1072.

Ťapajna, M., Hušeková, K., Machajdík, D., Kobzev, A. P., Schram, T., Lupták, R., Harmatha, L., and Fröhlich, K.: Electrical properties and thermal stability of MOCVD grown Ru gate electrodes for advanced CMOS technology, Microelectr. Engn. 83 (2006) 2412.

Fröhlich, K., Lupták, R., Hušeková, K., Čičo, K., Ťapajna, M., Weber, U., Baumann, P.K., Lindner, J., and Espinós, J.P.: Properties of Ru/Hf_xSi_1-xO_y/Si metal oxide semiconductor gate stack structures grown by atomic vapor deposition, J. Electrochem. Soc. 153 (2006) F176-F179.

Fröhlich, K., Lupták, R., Ťapajna, M., Hušeková, K., Weber, U., Baumann, P.K., and Lindner, J.: Fixed oxide charge in Ru-based chemical vapour deposited high-κ gate stacks. In: Defects in high-κ gate dielectric stacks. Ed. E.P. Gusev. Springer 2006. P. 277-286.

Fröhlich, K., Espinos, J.P., Ťapajna, M., Hušeková, K., and Lupták, R.: Energy band diagram of the Ru/Hf_0.75Si_0.25O_y/Si gate stack. In: ASDAM 2006. Proc. 6^th Int. Conf. on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Eds. J. Breza. et al. Piscataway: IEEE 2006. ISBN: 1-4244-0396-0. P. 29-32.

2005

Lupták, R., Fröhlich, K., Rosová, A., Hušeková, K., Ťapajna, M., Machajdík, D., Jergel, M., Espinós, J.P., and Mansilla, C.: Growth of gadolinum oxide films for advanced MOS structure, Microelectr. Engn. 80 (2005) 154-157.

Španková, M., Vávra, I., Chromik, Š., Harasek, S., Lupták, R., Šoltýs, J., and Hušeková, K.: Structural properties of Y₂O₃ thin films grown on Si(100) and Si(111) substrates, Materials Sci Engn. B 116 (2005) 30-33.

Lupták, R., Frőhlich, K., Hušeková, K., Ťapajna, M., Machajdík, D., Jergel, M., Espinós, J.P., and Mansilla, C.: Structure and electrical properties of the thin Gd₂O₃ films. In: APCOM 2005: Proc. 11^th Inter. Workshop on Applied Phys. Condensed Matter. Eds.: D. Pudiš et al. Žilina: ŽU, 2005. ISBN: 80-8070-411-2. P. 200-203.

Fröhlich, K., Lupták, R., Hušeková, K., Čičo, K., Ťapajna, M., Weber, U., Baumann, P.K., and Lindner, J.: Properties of Ru/Hf_xSi_1-xO_y/SI MOS gate stack structures grown by MOCVD. In: Proc. 207^th Electrochemical Soc. Meeting. Eds. Gusev, E.P. et al. Pennington: The Electrochemical Society, 2005. P. 339.

Fröhlich, K., Lupták, R., Hušeková, K., Ťapajna, M., Weber, U., Baumann, P.K., and Lindner, J.: Properties of Ru/Hf_xSi_1-xO_y/Si MOS gate stack structures grown by MOCVD, Meeting Abstracts (2005) 650.

2004

Fröhlich, K., Hušeková, K., Machajdík, D., Lupták, R., Ťapajna, M., Hooker, J.C., Roozeboom, F., Kobzev, A.P., Wiemer, C., Ferrari, C., Fanciulli, M., Rossel, C., and Cabral, C. Jr.: Preparation of SrRuO₃ films for advanced CMOS metal gates, Materials Sci Semicond. Process. 7 (2004) 265-269.

Ťapajna, M., Písečný, P., Lupták, R., Hušeková, K., Fröhlich, K., Harmatha, L., Hooker, J.C., Roozeboom, F., and Jergel, M.: Application of Ru-based gate materials for CMOS technology, Materials Sci Semicond. Process. 7 (2004)271-276.

Fröhlich, K., Hušeková, K., Machajdík, D., Lupták, R., Ťapajna, M., and Hooker, J.C.: Growth and properties of ruthenium based metal gates for pMOS devices. In: ASDAM 2004. Piscataway: IEEE 2004. S. 163-166.

Ťapajna, M., Čičo, K., Lupták, R., Hušeková, K., Fröhlich, K., Harmatha, L., Hooker, J.C., and Roozeboom, F.: Thermal stability of ruthenium MOS gate electrodes. In: ASDAM 2004. Piscataway: IEEE 2004. S. 167-170.

Ťapajna, M., Písečný, P., Harmatha, L. Fröhlich, K., Hušeková, K., Lupták, R., Hooker, J.C., and Jakabovič, J.: Ruthenium-based gate materials for advanced MOS technology. In: APCOM 2004: Proc. 10^th Inter. Workshop on Applied Physics of Condensed Matter. Eds.: D. Barančok et al. Bratislava: FEI STU, 2004. ISBN: 80-227-2073-9. P. 270-273.