Ing. Marian KREMPASKÝ

1999

Ivančo, J., Dubecký, F., Darmo, J., Krempaský, M.,Bešše, I., and Senderák, R.: Semi-insulating GaAs-based Schottky contacts for detector of ionising radiation: An effect of the interface treatment, Nuclear Instr. Methods in Phys. Research A 434 (1999) 158-163.

1998

Dubecký, F., Fornari, R., Darmo, J., Pikna, M., Gombia, E., Krempaský, M., Sekáčová, M., Hudek, P., and Ruček, M.: Electrical and detection properties of the particle detectors based on LEC semi-insulating InP, Nuclear Instr. Methods in Phys. Research A 408 (1998) 491.

1997

Dubecký, F., Krempaský, M., Pelfer, P.G., Darmo, J., Pikna, M., Šatka, A., Sekáčová, M., and Ruček, M.: GaAs detectors for hard X-ray astronomy, Nuclear Physics (Proc. Suppl.) B 54 (1997) 368.

1996

Boháček, P., Krempaský, M., Korytár, D., Sekáčová, M., and Senderák, R.: Mapping of the recidual voltage of Hall devices fabriced by P+Si coinplantation on GaAs wafers, Physica Status Solidi A 155 (1996) 381.