Ján DÉRER

  • 2021

Zelent, M., Vetrova, Iu.V., Li, X., Zhou, Y., Šoltýs, J., Gubanov, V.A., Sadovnikov, A.V., Ščepka, T., Dérer, J., Stoklas, R., Cambel, V., and Mruczkiewicz, M.: Skyrmion formation in nanodisks using magnetic force microscopy tip, Nanomater. 11 (2021) 2627.

Vetrova, Iu.V., Zelent, M., Šoltýs, J., Gubanov, V.A., Sadovnikov, A.V., Ščepka, T., Dérer, J., Stoklas, R., Cambel, V., and Mruczkiewicz, M.: Investigation of self-nucleated skyrmion states in the ferromagnetic/nonmagnetic multilayer dot, Applied Phys. Lett. 118 (2021) 212409.

  • 2020

Šoltýs, J., Feilhauer, J., Vetrova, J., Tóbik, J., Bublikov, K., Ščepka, T., Fedor, J., Dérer, J., and Cambel, V.: Magnetic-field imaging using vortex-core MFM tip, Applied Phys. Lett. 116 (2020) 242406.

  • 2017
Neilinger (Sečianska), K., Šoltýs, J., Mruczkiewicz, M., Dérer, J., Cambel, V., : Dual-cantilever magnetometer for study of magnetic interactions between patterned permalloy microstructures. J. Magnetism Magnetic Mater. 444 (2017) 354-360. (APVV 0088-12). (CENTE II). (VEGA 2/0183/15).

 
Laurenčíková, A., Novotný, I., Hasenöhrl, S., Dérer, J., Eliáš, P., Kováč, J., Kováč, J., Dobročka, E., Novák, J., : Formation of a compact Ga-doped ZnO layer over vertical free-standing GaP nanowires. Applied Surface Sci 395 (2017) 162-165. (APVV 0395-12). (APVV 14-0297). (VEGA 2/0098/13). (CENTE).

 
Gregušová, D., Blaho, M., Haščík, Š., Šichman, P., Laurenčíková, A., Seifertová, A., Dérer, J., Brunner, F., Würfl, H., Kuzmík, J., : Polarization-engineered n+GaN/InGaN/AlGaN/GaN normally-off MOS HEMTs. Physica Status Solidi a 214 (2017) 1700407. (HiPoSwitch). (APVV 15-0031). (SAFEMOST). (VEGA 2/0109/17).

 
Laurenčíková, A., Dérer, J., Hasenöhrl, S., Eliáš, P., Novák, J., : Preparation of methanol concentration sensor with nanostructured surface In: Proc. ADEPT. 5st Inter. Conf. on Advan. in Electronic and Photonic Technol. Eds. I. Lettrichová et al. Žilina: Univ. Žilina 2017. ISBN 978-80-554-1342-6. P. 243-246.. (APVV 14-0297). (VEGA 2/0104/17). (CENTE II).

 
  • 2016
Neilinger (Sečianska), K., Šoltýs, J., Truchly, M., Dérer, J., Cambel, V., : Fabrication of double cantilever sensor for study of magnetic microstructures. In: Proc. 22th Inter. Conf. on Applied Phys. of Cond. Matter (APCOM 2016). Eds. J. Vajda and I. Jamnický. Bratislava: FEI STU 2016. ISBN 978-80-227-4572-7. P. 61-64..(CENTE II). (VEGA 2/0183/15).

 
Laurenčíková, A., Lettrichová, I., Pudiš, D., Hasenöhrl, S., Šušlik, Ľ., Haščík, Š., Dérer, J., Novák, J., : Integration of fresnel structure on AlGaAs/GaAs led devices In: Proc. ADEPT. 4st Inter. Conf. on Advan. in Electronic and Photonic Technol. Eds. J. Kováč,jr. et al. Žilina: Univ. Žilina 2016. ISBN 978-80-554-1226-9. P. 179-182.

 
  • 2015
Neilinger (Sečianska), K., Šoltýs, J., Tóbik, J., Dérer, J., Cambel, V., : Cantilever sensor for study of magnetic microstructures In: Proc. 21th Inter. Conf. on Applied Phys. of Cond. Matter (APCOM 2015). Eds. J. Vajda and I. Jamnický. Bratislava: FEI STU 2015. ISBN 978-80-227-4373-0. P. 189-193. (VEGA 2/0183/15). (ASFEU ITMS 26240220088).

 
Laurenčíková, A., Novotný, I., Hasenöhrl, S., Dérer, J., Eliáš, P., Kováč, J., Kováč, J., Novák, J., : Covering of GaP NW arrays with ZnO layer prepared at different sputering conditions In: Proc. ADEPT. 3st Inter. Conf. on Advan. in Electronic and Photonic Technol. Eds. D. Pudis et al. Žilina: Univ. Žilina 2015. ISBN 978-80-554-1033-3. P. 71-74.. (APVV 0395-12). (VEGA 2/0098/13). (CENTE).

 
Laurenčíková, A., Novotný, I., Hasenöhrl, S., Dérer, J., Kováč, J., Kováč, J., Eliáš, P., Novák, J., : Formation of compact covering of vertically standing GaP nanowire arrays by Ga-doped ZnO layer. In: Progress in Applied Surface, Interface and Thin Film Sci. 2015 – SURFINT-SREN IV. Extend. Abstract Book. Ed. R. Brunner. Bratislava: CU 2015. ISBN: 978-80-223-3975-9. P. 93.

 
Gucmann, F., Kúdela, R., Kordoš, P., Dobročka, E., Gaži, Š., Dérer, J., Liday, J., Vogrinčič, P., Gregušová, D., : III-As heterostructure field-effect transistors with recessed ex-situ gate oxide by O2 plasma-oxidized GaAs cap. J. Vacuum Sci Technol. B 33 (2015) 01A111. (VEGA 2/0105/13). (VEGA 2/0098/13). (CENTE).

 
Ščepka, T., Polakovič, T., Šoltýs, J., Tóbik, J., Kulich, M., Kúdela, R., Dérer, J., Cambel, V., : Individual vortex nucleation/annihilation in ferromagnetic nanodots with broken symmetry observed by micro/Hall magnetometry. AIP Adv. 5 (2015) 117205.. (APVV 0088-12). (APVV 0036-11). (CENTE).

 
Čičo, K., Jančovič, P., Dérer, J., Šmatko, V., Rosová, A., Blaho, M., Hudec, B., Gregušová, D., Fröhlich, K., :Resistive switching in nonplanar HfO2-based structures with variable series resistance. J. Vacuum Sci Technol. B 33 (2015) 01A108.. (APVV 0509-10). (VEGA 2/0138/14). (CENTE II).

 
Blaho, M., Gregušová, D., Haščík, Š., Jurkovič, M., Ťapajna, M., Fröhlich, K., Dérer, J., Carlin, J., Grandjean, N., Kuzmík, J., : Self-aligned normally-off metal-oxide-semiconductor n+++GaN/InAlN/GaN high-electron mobility transistors. Phys. Status Solidi A 112 (2015) 1086-1090. (MORGaN). (APVV 0367-11). (VEGA 2/0138/14). (CENTE).

 
  • 2014
Laurenčíková, A., Hasenöhrl, S., Dérer, J., Eliáš, P., Hronec, P., Kováč, J., Novák, J., : Fabrication of GaP nanowire arrays on top InGaP solar cells In: Proc. ADEPT. 2st Inter. Conf. on Advan. in Electronic and Photonic Technol. Eds. D. Pudis et al. Žilina: Univ. Žilina 2014. ISBN 978-80-554-0881-1. P. 259-262. (APVV 0301-10). (APVV 0395-12). (VEGA 2/0098/13). (CENTE).

 
Gucmann, F., Gregušová, D., Stoklas, R., Dérer, J., Kúdela, R., Fröhlich, K., Kordoš, P., : InGaAs/GaAs metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with oxygen-plasma oxide and Al2O3 double-layer insulator. Applied Phys. Lett. 105 (2014) 183504. (VEGA 2/0105/13). (VEGA 2/0138/14). (CENTE).

 
Blaho, M., Dérer, J., Liday, J., Vogrinčič, P., Kordoš, P., Novák, J., Gregušová, D., : Low temperature ohmic contacts for self/aligned GaN-based HEMTs In: Proc. ADEPT. 2st Inter. Conf. on Advan. in Electronic and Photonic Technol. Eds. D. Pudis et al. Žilina: Univ. Žilina 2014. ISBN 978-80-554-0881-1. P. 124-128. (VEGA 2/0105/13). (VEGA 2/0098/13). (CENTE).

 
Jančovič, P., Hudec, B., Dobročka, E., Dérer, J., Fedor, J., Fröhlich, K., : Resistive switching in HfO2-based atomic layer deposition grown metal-insulator-metal structures. Applied Surface Sci 312 (2014) 112-116.(APVV 0509-10). (VEGA 2/0138/14). (CENTE).

 
Hudec, B., Paskaleva, A., Jančovič, P., Dérer, J., Fedor, J., Rosová, A., Dobročka, E., Fröhlich, K., :Resistiveswitching in TiO2-based metal-insulator-metal structures with Al2O3 barrier layer at the metal/dielectric interface. Thin Solid Films 563 (2014) 10-14. (VEGA 2/0138/14). (APVV 0509-10).

 
  • 2013
Fröhlich, K., Jančovič, P., Hudec, B., Dérer, J., Paskaleva, A., Bertaud, T., Schroeder, T., : Atomic layer deposition of thin oxide films for resistive switching. ECS Trans. 58 (2013) 163-170. (VEGA 2-0147-11). (APVV 0509-10). (KCMTE).

 
Horváth, B., Hronec, M., Vávra, I., Šustek, M., Križanová, Z., Dérer, J., Dobročka, E., : Direct gas-phase epoxidation of propylene over nanostructured molybdenum oxide film catalysts,. Catal. Comm. 34 (2013) 16-21.

 
Barančeková Husaníková, P., Fedor, J., Dérer, J., Šoltýs, J., Cambel, V., Iavarone, M., May, S., Karapetrov, G., : Magnetization properties and vortex phase diagram of CuxTiSe2 single crystals. Phys. Rev. B 88 (2013) 174501. (APVV 0036-11). (ITMS 26220220170).

 
  • 2012
Vávra, I., Križanová, Z., Dérer, J., Humlíček, J., : Mo/SiO2 nanocomposite films for optical coatings prepared by vacuum magnetron sputtering. Vacuum 86 (2012) 742-744. (VEGA 2/6100/26).

  • 2008

Lobotka, P., Lalinský, T., Španková, M., Vávra, I., Chromik, Š., Haščík, Š., Šmatko, V., Mozolová, Ž., Kováčová, E., Dérer, J., Gaži, Š., and Gierlowski, P.: Antenna-coupled uncooled THz microbolometer based on micromachined GaAs and LSMO thin film. In IEEE Sensors 2008. Lecce, pp. 604-607.

 
  • 2007
Majchrák, P., Dérer, J., Lobotka, P., Vávra, I., Frait, Z., Horváth, D., : Ferromagnetic resonance study of exchange and dipolar interactions in discontinuous multilayers. J. Applied Phys. 101 (2007) 113911.

 
Majchrák, P., Vávra, I., Lobotka, P., Dérer, J., Frait, Z., Horváth, D., : FMR in nanosystems – discontinous multilayers Fe/SiO2/Fe Modern Phys. Lett. B 21 (2007) 1201-1206.

 
Lobotka, P., Dérer, J., Vávra, I., de Julián Fernandez, C., Mattei, G., Mazzoldi, P., : Single-electron transport and magnetic properties of Fe-SiO2 nanocomposites prepared by ion implantation. Phys. Rev. B 75 (2007) 024423-1-7.

 
  • 2006
Vávra, O., Gaži, Š., Golubovič, J., Vávra, I., Dérer, J., Verbeeck, J., van Tendeloo, G., Moshchalkov, V., : 0 and π phase Josephson coupling through an insulating barrier with magnetic impurities. Phys. Rev. B 74 (2006) 020502.

 
Vávra, O., Gaži, Š., Vávra, I., Golubovič, J., Dérer, J., Moshchalkov, V., : Integration method for visualization of the suppressed Josephson supercurrent. Physica C 435 (2006) 92-95.

 
  • 2004
Vávra, O., Gaži, Š., Vávra, I., Dérer, J., Kováčová, E., : High efficiency Andreev reflection observed in Nb/Fe0.5Si0.5/Nb Josephson junctions. Physica C 404 (2004) 395-399.

 
  • 2003
Fedor, J., Cambel, V., Gregušová, D., Hanzelka, P., Dérer, J., Volko, J., : Scanning vector Hall probe microscope. Rev. Sci Instruments 74 (2003) 5105-5110.

 
  • 2002
Vávra, O., Gaži, Š., Bydžovský, J., Dérer, J., Kováčová, E., Frait, Z., Marysko, M., Vávra, I., : Study of the proximity effect in the Nb′/FexSi1−x/Nb tunnel junctions. J. Magnetism Magnetic Mater. 240 (2002) 583-585.

 
  • 2000
Vávra, I., Bydžovský, J., Švec, P., Dérer, J., Kamberský, V., Frait, Z., Lopušnik, R., Šturc, P., Hilscher, G., :Low-temperature studies of magnetic Fe/FeSi multilayers. Physica B 284-288 (2000) 1241-1242.

 
  • 1998
Vávra, I., Lobotka, P., Dérer, J., Wallenberg, L., : Structural and electrical properties of superconducting Nb/Si multilayers Vacuum 50 (1998) 31.

 
Vávra, I., Bydžovský, J., Švec, P., Harvanka, M., Dérer, J., Frait, Z., Kamberský, V., Lopušnik, R., Višnovský, Š., Kubena, A., Holý, V., : Structural, electrical and magnetic properties of Fe/Si and Fe/FeSi multilayers Acta Physica Slovaca 48 (1998) 743.

 
  • 1997
Lobotka, P., Vávra, I., Gaži, Š., Plecenik, A., Dérer, J., : Josephson junction with an amourphous silicon barrier J. Low Temper. Phys. 106 (1997) 381.

 
Vávra, I., Lobotka, P., Dérer, J., Gaži, Š., Wallenberg, L., Holý, V., Kubena, A., Sobota, J., : Stacked Josephson junction based on Nb/Si superlattice J. Low Temper. Phys. 106 (1997) 373.

 
  • 1996
Vávra, I., Lobotka, P., Gaži, Š., Dérer, J., Kubena, A., Holý, V., Bochníček, Z., : Thermal stability of SIS tunnel junction with silicon barrier Czechoslovak J. Phys. 46 (1996) 675.

 
Lobotka, P., Vávra, I., Gaži, Š., Dérer, J., : Vertically stacked (Nb/Si) 10 Josephson Junction Czechoslovak J. Phys. 46 (1996) 701.

 
  • 1994
Vávra, I., Dérer, J., Gaži, Š., Lobotka, P., : SIS tunnel junction with silicon barrier. In: Weak Superconductivity. Eds. Š.Beňačka et al. Bratislava: IEE SAS 1994. P. 289.

 
  • 1989
Vávra, I., Dérer, J., Osvald, J., Illiťová, G., Wiedermann, M., : Naprašovanie viaczložkových tenkých vrstiev. In: Aktuality technologie a konstrukce polovodičových součástek TESLA. Díl 26. Eds. I. Vávra et al. Ostrava: DT ČSVTS 1989. S. 1.

 
Illiťová, G., Dérer, J., Vávra, I., : Vplyv podmienok magnetotrónového naprašovania na zloženie tenkých vrstiev YBaCuO, Čs. časopis pro fyziku A 39 (1989) 494.

 
  • 1988
Dérer, J., Illiťová, G., Beňačka, Š., Koller, A., Skácel, V., Štrbik, V., Šmatko, V., Schilder, J., : Y-Ba-Cu-O superconducting films prepared by RF magnetron sputtering Czechosl. J. Phys. B 38 (1988) 233.

 
  • 1986
Dérer, J., Štrbik, V., : Preparation and properties of Nb-oxidePb superconducting tunnel junctions. In: Proc. 4th Czechoslov. Symp. Weak Supercond. Bratislava: IEE SAS 1986. P. 108.

 
  • 1983
Vávra, I., Buch, J., Dérer, J., : Technologija prigotovlenija sverchprovodjaščich plenok niobija. In: Sbornik dokladov 3. čechoslov. simp. po slaboj sverchprov. Bratislava: EÚ CEFV SAV 1983. S. 81.

 
  • 1974
Guldan, A., Luby, Š., Chromik, Š., Schilder, J., Vávra, I., Dérer, J., : Príprava a vlastnosti molybdénových vrstiev pre použitie v MOS integrovaných obvodoch. In: II. celoštát. seminár o technológii a použití integr. obvodov typu MOS. Bratislava: ES SVŠT 1974. S. 77.