Zoznam článkov

600
Oznámenie o konaní obhajob dizertačných prác 23. 8. 2023

ElÚ SAV, v.v.i.   23. augusta 2023 o 10,00 hod. Ing. Ondrej Pohorelec Školiteľ: RNDr. Dagmar Gregušová, DrSc. Názov: Hole channel GaN-based transistor for power electronics Abstrakt: Dizertačná práca sa zaoberá nestabilitou prahového napätia v tranzistore s kladným prahovým napätím s neúmyselným dierovým kanálom a prípravou InAlN/GaN tranzistora s úmyselným dierovým kanálom. V teoretických častiach…

»
1024
Výsledky súťaže doktorandov a mladých vedeckých pracovníkov do 35 rokov

V 1. oddelení vied si prvú cenu prevzal Mgr. Fridrich Egyenes z Elektrotechnického ústavu SAV, v. v. i., za prácu Široko-pásmový polovodič Ga2O3 – fyzikálne vlastnosti a technológia prípravy. Tretiu cenu získala Mgr. Jana Hrdá z rovnakého ústavu za prácu Príprava a charakterizácia dvojrozmerných materiálov – dichalkogenidov prechodných kovov. Do tretice doktorandka z Elektrotechnického ústavu SAV, v. v i., Mgr. Iuliia…

»
772
ElÚ SAV spúšťa spoluprácu s taiwanským ITRI

Počas návštevy Slovensko-taiwanskej komisie pre ekonomickú spoluprácu podpísali predstavitelia Elektrotechnického ústavu SAV, v.v.i. (ElÚ SAV) licenčnú zmluvu a memorandum o porozumení s Výskumným inštitútom priemyselných technológií (Industrial Technology Research Institute, ITRI), Taiwan. V rámci licenčnej zmluvy  vybuduje ElÚ SAV  laboratórium pre analýzu spoľahlivosti polovodičových výkonových modulov, ktoré budú na základe spoločnej trojstrannej dohody vyrábané v čistých priestoroch Fakulty elektrotechniky a informatiky…

»
555
Ohýbanie kompozitných supravodičov

Kompozitné vodiče na báze vysokoteplotných REBCO supravodičov (kuprátov vzácnych zemín) sú schopné prenášať vysoké prúdové hustoty (rádovo 1010 A/m2) pri teplotách kvapalného dusíka (-193 ˚C), čo z nich robí vhodných kandidátov pre magnety s veľmi vysokým magnetickým poľom (desiatky Tesla [T]). Vďaka tomu sú vhodné na prenos elektrického výkonu, magnetickú rezonanciu (MRI), nukleárnu magnetickú rezonanciu…

»
213
Záhadný kryštál

Kryštalický oxid galitý (Ga2O3) predstavuje nový typ polovodičového materiálu vhodného pre realizáciu vysokonapäťových elektronických súčiastok schopných pracovať v bezprecedentnej oblasti kilovoltov. Naši kolegovia nedávno publikovali prácu, v ktorej sa podrobne venovali materiálovým vlastnostiam epitaxných vrstiev Ga2O3 pripravených na ElÚ SAV. Ga2O3 kryštalizuje v niekoľkých kryštalických štruktúrach (polymorfoch). Oproti najbežnejšej monoklinickej (β) je extrémne zaujímavá aj hexagonálna…

»