Zoznam článkov
V poslednom desaťročí sa výskum topologických izolátorov stal horúcou témou v rôznych oblastiach fyziky. Ich nezvyčajné vlastnosti vzbudzujú záujem vedcov zameraných na základný aj aplikovaný výskum. Jednou z najzaujímavejších vlastností topologického izolátora je fakt, že jeho vnútro je izolant, pričom na povrchu existujú vodivé stavy. V 2D verzii topologického izolátora sú tieto vodivé okrajové stavy…
Existuje potreba nových materiálových systémov, ktoré by otvorili okno do sub-THz frekvečnej elektroniky. V tomto ohľade, vďaka rekordnej teoretickej rýchlosti elektrónov, InN je medzi najhorúcejšími kandidátmi. Najnovšie výskumy ukazujú, že InN vrstvy rastené pomocou molekulárnej zväzkovej epitaxie (MBE) dosahujú rýchlosť elektrónov približne 1 Í 108 cms-1. Doteraz sa však nepodarilo demonštrovať žiaden mikrovlnný tranzistor s InN kanálom….
Čas: 30. november 2023 o 10:00 hod.
Dňa 9.11.2023 sa konalo v rámci Týždňa vedy a techniky podujatie Deň otvorených dverí na Elektrotechnickom ústave. Ústav navštívili žiaci z vybraných bratislavských škôl (Gymnázium J. Papánka, ZŠ Rajčianska, ZŠ Vetvárska) ako aj žiaci zo SPŠT Trnava. Pre žiakov základných škôl boli pripravené zaujímavé experimenty z fyziky, stredoškoláci si vypočuli prednášky o polovodičoch a supravodičoch….
ElÚ SAV, v.v.i. pozýva na prednášku Dr. Chao Yuan (Instit. Technol. Sci, Wuhan Univ., China). Dňa 10. 11. 2023, 10,00 hod., veľká zasadačka ElÚ SAV. Pump-probe thermoreflectance techniques for non-contact and non-invasively characterizing the thermal properties of wide bandgap semiconductors Abstrakt: Pump-probe thermoreflectances (pump-probe TR) have emerged as the powerful and versatile tools for the characterization of…
29. septembra sme na NOC VÝSKUMNÍKOV predstavili experimenty, ktoré okrajovo súvisia aj s našou vedeckou prácou. Účastníci si mohli vyskúšať jeden krok v príprave polovodičových súčiastok s rozmermi len niekoľko mikrometrov, poskladať si 3-D model tranzistora, pripraviť si najtenší materiál na svete – grafén, zažiť magnetickú levitáciu supravodiča v supravodivom stave, či vidieť demonštráciu Teslovho sna…
Čas: 20. október 2023 o 10:00 hod.
Polovodiče na báze nitridu gália (GaN) sú čoraz viac využívané pre výrobu vysoko efektívnych prevodníkov výkonu. Našim kolegom sa podarilo potvrdiť funkčnosť originálneho konceptu vertikálneho výkonového tranzistora. Moderné GaN výkonové tranzistory s laterálnou geometriou kanála sú postupne komercionalizované a využívané v praxi. Oproti tomuto konceptu je vertikálna geometria užitočná pre zvýšenie výkonu súčiastok a potlačenie parazitných efektov ako sú…
Čas: 6. október 2023 o 10:00 hod.
V dňoch 10. – 15. septembra 2023 sa konala v Bratislave 13. medzinárodná konferencia IEEE 2023 Nanomateriály: Aplikácie a vlastnosti (IEEE NAP-2023). Na organizácii podujatia, na ktorom sa zúčastnilo 400 účastníkov, sa podieľali IEEE Nanotechnology Council, Elektrotechnický ústav SAV, v. v. i., Slovenská technická univerzita v Bratislave a Sumy State University na Ukrajine, s podporou IEEE Magnetics Society. Konferencia bola zameraná…