Zoznam článkov
S hlbokým zármutkom oznamujeme, že nás opustil náš vedecký pracovník, dlhoročný kolega a priateľ Ing. Ivo Vávra, CSc. Ivo sa narodil 8. októbra 1949 v Košiciach, po maturite nastúpil na Elektrotechnickú fakultu SVŠT, odbor elektrotechnológia, špecializácia fyzika tuhých látok. Po jej absolvovaní prišiel v roku 1972 na Elektrotechnický ústav SAV, kde absolvoval vtedajšiu formu doktorandského štúdia (školiteľ…
Elektrotechnický ústav SAV, v.v.i. (ElÚ SAV) ponúka študentské brigády a hľadá šikovných ľudí na pozície: Príprava a charakterizácia 2D materiálov, vyhodnocovanie výsledkov Príprava a charakterizacia tenkých vrstiev teluridov prechodových kovov Optimalizácia nanášania grafénových vrstiev na podložky pre elektricky vodivé transparentné vrstvy Elektrická charakterizácia heteroštruktúr na báze InN pomocou Hallovej metodiky Výroba…
Oxid galitý (Ga2O3) je perspektívny materiál pre výrobu polovodičových súčiastok. Hlavnou výhodou Ga2O3 je jeho veľká energetická medzera a z toho vyplývajúce vysoké prierazné pole. To umožňuje použitie Ga2O3 pre vysokonapäťové súčiastky, zatiaľ čo široké zakázané pásmo otvára možnosti jeho využitia pre optoelektronické súčiastky pracujúce v hlbokej UV oblasti. Jednou za hlavných nevýhod Ga2O3 je však jeho nízka…
Supravodiče sú materiály, schopné prenášať elektrický prúd bez odporu, a teda bez strát energie. To platí, pokiaľ jeho veľkosť nepresiahne hodnotu tzv. kritického prúdu. Po jej prekročení sa zo supravodiča stáva zlý vodič. K uskutočneniu bezodporového prenosu stačí maličkosť: ochladenie na veľmi nízku teplotu. Klasické, nízkoteplotné supravodiče, vyžadujú ochladenie kvapalným héliom na teplotu niekoľko stupňov nad…
Ing. Mareka Búrana 9. februára 2024 o 10,00 hod. Školiteľ: Ing. Pavol Kováč, DrSc. Názov: Thermal stability of composite MgB2 superconductors at high current densities Abstrakt: Hoci je zliatina MgB2 známa od roku 1954, trvalo takmer 50 rokov kým boli objavené jej supravodivé vlastnosti pri teplote blízkej 40 K. Kombinácia nízkych výrobných nákladov, dobrých elektrických…
Ditelurid molybdénu (MoTe2) patrí do veľkej skupiny materiálov s vrstevnatou štruktúrou, ktoré sú často označované ako 2D materiály. To znamená, že ich vlastnosti (napríklad elektrické) sa výrazné menia, keď je materiál extrémne tenký a skladá sa len z pár atomárnych rovín uložených na sebe. Táto vlastnosť odlišuje vrstevnaté materiály od objemových. MoTe2 sa vyskytuje v niekoľkých rôznych…
Náš kolega Dr. Enric Pardo nedávno publikoval kapitolu v knihe venovanej numerickému modelovaniu supravodivých zariadení (Numerical Modeling of Superconducting Applications), kde sa v kapitole zmeranej na elektromagnetického modelovania supravodičov venoval aj možnosti využitia supravodivých motorov v letectve. Budúce bezemisné lietadlá budú poháňané elektromotormi. Tie by mohli byť supravodivé, ak by lietadlo poháňal kvapalný vodík, ktorý má teplotu…
Magnetická silová mikroskopia (MFM) sa etablovala ako štandardná metóda na skúmanie povrchových magnetických textúr veľkého množstva magnetických materiálov. Princíp MFM je založený na kmitajúcom nosníku, ktorý je zakončený ostrým hrotom pokrytým magnetickým materiálom. Počas skenovania tento magnetický hrot kmitá tesne nad povrchom vzorky, pričom magnetostatické sily medzi hrotom a vzorkou ovplyvňujú fázu a frekvenciu kmitov…
V poslednom desaťročí sa výskum topologických izolátorov stal horúcou témou v rôznych oblastiach fyziky. Ich nezvyčajné vlastnosti vzbudzujú záujem vedcov zameraných na základný aj aplikovaný výskum. Jednou z najzaujímavejších vlastností topologického izolátora je fakt, že jeho vnútro je izolant, pričom na povrchu existujú vodivé stavy. V 2D verzii topologického izolátora sú tieto vodivé okrajové stavy…
Existuje potreba nových materiálových systémov, ktoré by otvorili okno do sub-THz frekvečnej elektroniky. V tomto ohľade, vďaka rekordnej teoretickej rýchlosti elektrónov, InN je medzi najhorúcejšími kandidátmi. Najnovšie výskumy ukazujú, že InN vrstvy rastené pomocou molekulárnej zväzkovej epitaxie (MBE) dosahujú rýchlosť elektrónov približne 1 Í 108 cms-1. Doteraz sa však nepodarilo demonštrovať žiaden mikrovlnný tranzistor s InN kanálom….