Zoznam článkov

273
Deň otvorených dverí na Elektrotechnickom ústave

Dňa 9.11.2023 sa konalo v rámci Týždňa vedy a techniky podujatie Deň otvorených dverí na Elektrotechnickom ústave. Ústav navštívili žiaci z vybraných bratislavských škôl (Gymnázium J. Papánka, ZŠ Rajčianska, ZŠ Vetvárska) ako aj žiaci zo SPŠT Trnava. Pre žiakov základných škôl boli pripravené zaujímavé experimenty z fyziky, stredoškoláci si vypočuli prednášky o polovodičoch a supravodičoch….

»
553
Nový koncept výkonového GaN tranzistora

Polovodiče na báze nitridu gália (GaN) sú čoraz viac využívané pre výrobu vysoko efektívnych prevodníkov výkonu. Našim kolegom sa podarilo potvrdiť funkčnosť originálneho konceptu vertikálneho výkonového tranzistora. Moderné GaN výkonové tranzistory s laterálnou geometriou kanála sú postupne komercionalizované a využívané v praxi. Oproti tomuto konceptu je vertikálna geometria užitočná pre zvýšenie výkonu súčiastok a potlačenie parazitných efektov ako sú…

»
1024
IEEE 2023 Nanomateriály: Aplikácie a vlastnosti (IEEE NAP-2023)

V dňoch 10. – 15. septembra 2023 sa konala v Bratislave 13. medzinárodná konferencia IEEE 2023 Nanomateriály: Aplikácie a vlastnosti (IEEE NAP-2023). Na organizácii podujatia, na ktorom sa zúčastnilo 400 účastníkov, sa podieľali IEEE Nanotechnology Council, Elektrotechnický ústav SAV, v. v. i., Slovenská technická univerzita v Bratislave a Sumy State University na Ukrajine, s podporou IEEE Magnetics Society. Konferencia bola zameraná…

»
600
Oznámenie o konaní obhajob dizertačných prác 23. 8. 2023

ElÚ SAV, v.v.i.   23. augusta 2023 o 10,00 hod. Ing. Ondrej Pohorelec Školiteľ: RNDr. Dagmar Gregušová, DrSc. Názov: Hole channel GaN-based transistor for power electronics Abstrakt: Dizertačná práca sa zaoberá nestabilitou prahového napätia v tranzistore s kladným prahovým napätím s neúmyselným dierovým kanálom a prípravou InAlN/GaN tranzistora s úmyselným dierovým kanálom. V teoretických častiach…

»
1024
Výsledky súťaže doktorandov a mladých vedeckých pracovníkov do 35 rokov

V 1. oddelení vied si prvú cenu prevzal Mgr. Fridrich Egyenes z Elektrotechnického ústavu SAV, v. v. i., za prácu Široko-pásmový polovodič Ga2O3 – fyzikálne vlastnosti a technológia prípravy. Tretiu cenu získala Mgr. Jana Hrdá z rovnakého ústavu za prácu Príprava a charakterizácia dvojrozmerných materiálov – dichalkogenidov prechodných kovov. Do tretice doktorandka z Elektrotechnického ústavu SAV, v. v i., Mgr. Iuliia…

»