Chouhan, H., Dobročka, E., Nádaždy, P., Ťapajna, M., Hušeková, K., Cora, I., Rosová, A., Mikolášek, M., Egyenes, F., Keshtkar, J., Hrubišák, F., Sobota, M., Šiffalovič, P., Gregušová, D., Pohorelec, O., Wosko, M., Paszkiewicz, R., and Gucmann., F.: Rotational domains and origin of improved crystal quality in heteroepitaxial (201) β-Ga2O3 films grown on vicinal substrates by MOCVD, J. Alloys Compounds 1044 (2025)184481.
1. Lee, C.H.: ACS Applied Electron. Mater. 7 (2025) 11229.
Gucmann, F., Ťapajna, M., Hušeková, K., Dobročka, E., Rosová, A., Nádaždy, P., Eliáš, P., Egyenes, F., Hrubišák, F., Chouhan, H., Keshtkar, J., Zheng, X., Pomeroy, J.W., Kuball, M., Xiao, X., Mao, Y., Meng, B., Ma, G., and Yuan, C.: Thermal properties of Ga₂O₃ thin films and devices prepared on sapphire and SiC substrates by liquid-injection MOCVD, Proc. SPIE 12887 (2024) 1288705.
1. Zhou, ZM.: J. Alloys Comp. 1055 (2026) 186268.