Hrubišák, F., Ťapajna, M., Egyenes, F., Pohorelec, O., Dobročka, E., Rosová, A., Hušeková, K., Vincze, A., Noga, P., Izsák, T., Hudec, B., Ščepka, T., and Gucmann, F.: The effect of hydrogen annealing on the electrical properties of β-Ga2O3/4H-SiC MOSFETs grown by liquid-injection MOCVD, Mater. Sci Semicond. Process. 206 (2026) 110402.
1. Alam, M.Z.: Micro Nanostr. 216 (2026) 208710.
Chouhan, H., Dobročka, E., Nádaždy, P., Ťapajna, M., Hušeková, K., Cora, I., Rosová, A., Mikolášek, M., Egyenes, F., Keshtkar, J., Hrubišák, F., Sobota, M., Šiffalovič, P., Gregušová, D., Pohorelec, O., Wosko, M., Paszkiewicz, R., and Gucmann., F.: Rotational domains and origin of improved crystal quality in heteroepitaxial (201) β-Ga2O3 films grown on vicinal substrates by MOCVD, J. Alloys Compounds 1044 (2025)184481.
1. Lee, C.H.: ACS Applied Electron. Mater. 7 (2025) 11229.
2. Tang, J.Y.: Applied Phys. Lett. 129 (2026) 042106.
3. Yang, X.N.: J. Vacuum Sci Technol. A 44 (2026) 053201.
4. Liu, X.T.: Mater. Sci Engn. B 330 (2026) 119535.
5. Ho, A.: Mater. Today Electr. 16 (2026) 100218.
6. Wang, G.Y.: ACS Applied Engn. Mater. 4 (2026) 3421.
7. Liu, X.T.: Micro Nanostr. 218 (2026) 208822
8. Ding, B.B.: Chem. Engn. 546 (2026) 179684.
Gucmann, F., Ťapajna, M., Hušeková, K., Dobročka, E., Rosová, A., Nádaždy, P., Eliáš, P., Egyenes, F., Hrubišák, F., Chouhan, H., Keshtkar, J., Zheng, X., Pomeroy, J.W., Kuball, M., Xiao, X., Mao, Y., Meng, B., Ma, G., and Yuan, C.: Thermal properties of Ga₂O₃ thin films and devices prepared on sapphire and SiC substrates by liquid-injection MOCVD, Proc. SPIE 12887 (2024) 1288705.
1. Zhou, ZM.: J. Alloys Comp. 1055 (2026) 186268.
Gucmann, F., Meng, B., Chvála, A., Kúdela, R., Yuan, C., Ťapajna, M., Florovič, M., Egyenes, F., Eliáš, P., Hrubišák, F., Kováč, J.Jr., Fedor, J., and Gregušová, D.: Improved thermal performance of InGaAs/GaAs nanomembrane HEMTs transferred onto various substrates by epitaxial lift-off, ACS Applied Electron. Mater. 6 (2024) 5651–5660.
1. Wang, J.Q.: J. Mater. Process. Technol. 337 (2025) 118712.
2. Zhang, J.Y.: Mater. Res. Express 12 (2025) 025902.
3. Inoch, W.F.: Nanoscale 17 (2025) 15279.
4. Inoch, W.F.: Crystal Growth Design 25 (2025) 6710.
5.Yin, Y.: ACS Applied Mater. Interfaces 18 (2026) 7527.
Hrubišák, F., Hušeková, K., Zheng, X., Rosová, A., Dobročka, E., Ťapajna, M., Mičušík, M., Nádaždy, P., Egyenes, F., Keshtkar, J., Kováčová, E., Pomeroy, J.W., Kuball, M., and Gucmann, F.: Heteroepitaxial growth of Ga2O3 on 4H-SiC by liquid-injection MOCVD for improved thermal management of Ga2O3 power devices, J. Vacuum Sci Technol. A 41 (2023) 042708.
1. Woo, K.: J. Phys.-Mater. 7 (2024) 022003.
2. Vo, T.H.: Mater. Sci Semicond. Process. 173 (2024) 108130.
3. Akyol, F.: Mater. Sci Semicond. Process. 170 (2024) 107968.
4. Saquib, T.: J. Applied Phys. 135 (2024) 065701.
5. Hu, Y.: Mater. Sci Semicond. Process. 178 (2024) 108453.
6. Ferdous, N.: Sci Rep. 14 (2024) 12748.
7. Ku, C.W.: Applied Surface Sci Adv. 24 (2024) 100661.
8. Su, J.: J. Mater. Sci Technol. 210 (2025) 20.
9. Tarntair, F.G.: Adv. Electron. Mater. 11 (2025) SI2300679.
10. Chen, J.T.: IEEE J. Electron Dev. Soc 13 (2025) 570.
11. Wu, K.P.: J. Applied Phys. 137 (2025) 105701.
12. Kumar, M.: Applied Phys. Lett. 126 (2025) 193505.
13. Park, J.H.: J. Mater. Chem. C 13 (2025) 13464.
14. Wei, M.Y.: Surfaces Interfaces 66 (2025) 106607.
15. Pearton, S.J.: Applied Phys. Rev. 12 (2025) 031336.
16. Nikolaev, V.I.: Mater. Today Comm. 49 (2025) 113943.
17. Kluth, E.: Applied Phys. Lett. 127 (2025) 172106.
18. Devi, N.K.: J. Korean Phys. Soc. 87 (2025) 787.
19. Nipa, N.J.: IEEE Microelectr. Design Test Symp. MDTS 2025.
# 20. Qu, Z.: Rengong Jingti Xuebao/J. Synthetic Crystals 54 (2025) 470.
21. Chen, W.-C.: ACS Omega 11 (2026) 3229.
22. Zhou, Z.: J. Alloys Comp. 1055 (2026) 186268.
23. Kim, T.: Acta Materialia 308 (2026) 122020.
24. Lee, D.H.: J. Ceram. Process. Res. 27 (2026) 79.
25. Zhang, G.: Inter. J. Heat Mass Transfer 263 (2026) 128710.
26. Wang, J.: Physica B 733 (2026) 418617.
27. Dong, S.: Ceram. Inter. 52 (2026) 28096.
28. Alam, M.Z.: Micro Nanostr. 216 (2026) 208710.
29. Gao, Y.: Semicond. Sci Technol. 41 (2026) 043001.
30. Zhu, Y.: NPJ Comput. Mater. 12 (2026) 155.
31. Kluth, E.: Japan. J. Applied Phys. 65 (2026) 031003.
Egyenes, F., Gucmann, F., Rosová, A., Dobročka, E., Hušeková, K., Hrubišák, F., Keshtkar, J., and Ťapajna, M.: Conductance anisotropy of MOCVD-grown α-Ga2O3 films caused by (010) β-Ga2O3 filament-shaped inclusions, J. Phys. D: Appl. Phys. 56 (2023) 045102.
1. Kim, C.: ACS Applied Mater. Interfaces 17 (2025) 41215.
2. Meng, C.Y.: J. Alloys Comp. 1041 (2025) 183842.
3. Yang, Z.Y.: J. Crystal Growth 675 (2026) 128427.
Dobročka, E., Gucmann, F., Hušeková, K., Nádaždy, P., Hrubišák, F., Egyenes, F., Rosová, A., Mikolášek, M., and Ťapajna, M.: Structure and thermal stability of ε/κ-Ga2O3 films deposited by liquid-injection MOCVD, Materials 16 (2023) 20.
1. Girolami, M.: J. Mater. Chem. C 11 (2023) 3759.
2. Aarik, L.: Crystal Growth Design 23 (2023) 5899.
3. Chen, S.J.: J. Alloys Comp. 989 (2024) 174388.
4. Woo, K.: J. Phys.-Mater. 7 (2024) 022003.
5. He, Y.J.: Mater. 17 (2024) 1870.
6. Hu, Y.: Mater. Sci Semicond. Process. 178 (2024) 108453.
7. Aarik, L.: J. Mater. Chem. C 12 (2024) 10562.
8. Banda, Y.: AIP Adv. 14 (2024) 115019.
9. Xu, K.: Mater. Sci Semicond. Process. 185 (2025) 108874.
10. Kung, P.K.: Mater. Today Adv. 26 (2025) 100589.
11. Askarzadeh, N.: Results Chem. 16 (2025) 102390.
12. Pozina, G.: J. Crystal Growth 668 (2025) 128289.
13. Chen, J.H.: Applied Surface Sci 710 (2025) 163959.
14. Almaev, A.V.: Sensors Actuators B 444 (2025) 138355.
15. Choi, J.-H.: Optical Mater. 168 (2025) 117389.
16. Huang, C.-Y.: Mater. Today Adv. 28 (2025) 100616.
17. Cheng, C.-S.: IEEE Sensors J. 26 (2026) 277.
18. Aarik, L.: J. Mater. Chem. C 14 (2026) 6870.
19. Seguret, A.: Chem. Mater. 38 (2026) 1667.
20. Zhang, H.: Comput. Mater. Sci 273 (2026) 114918.
21. Velasco Enriquez, M.: ACS Mater. 6 (2026) 820.
22. Liu, X.: Micro Nanostr. 218 (2026) 208822.