Chouhan, H., Dobročka, E., Nádaždy, P., Ťapajna, M., Hušeková, K., Cora, I., Rosová, A., Mikolášek, M., Egyenes, F., Keshtkar, J., Hrubišák, F., Sobota, M., Šiffalovič, P., Gregušová, D., Pohorelec, O., Wosko, M., Paszkiewicz, R., and Gucmann., F.: Rotational domains and origin of improved crystal quality in heteroepitaxial (201) β-Ga2O3 films grown on vicinal substrates by MOCVD, J. Alloys Compounds 1044 (2025)184481.
1. Lee, C.H.: ACS Applied Electron. Mater. 7 (2025) 11229.
Gucmann, F., Ťapajna, M., Hušeková, K., Dobročka, E., Rosová, A., Nádaždy, P., Eliáš, P., Egyenes, F., Hrubišák, F., Chouhan, H., Keshtkar, J., Zheng, X., Pomeroy, J.W., Kuball, M., Xiao, X., Mao, Y., Meng, B., Ma, G., and Yuan, C.: Thermal properties of Ga₂O₃ thin films and devices prepared on sapphire and SiC substrates by liquid-injection MOCVD, Proc. SPIE 12887 (2024) 1288705.
1. Zhou, ZM.: J. Alloys Comp. 1055 (2026) 186268.
Egyenes, F., Gucmann, F., Rosová, A., Dobročka, E., Hušeková, K., Hrubišák, F., Keshtkar, J., and Ťapajna, M.: Conductance anisotropy of MOCVD-grown α-Ga2O3 films caused by (010) β-Ga2O3 filament-shaped inclusions, J. Phys. D: Appl. Phys. 56 (2023) 045102.
1. Kim, C.: ACS Applied Mater. Interfaces 17 (2025) 41215.
2. Meng, C.Y.: J. Alloys Comp. 1041 (2025) 183842.
3. Yang, Z.Y.: J. Crystal Growth 675 (2026) 128427.
Hrubišák, F., Hušeková, K., Zheng, X., Rosová, A., Dobročka, E., Ťapajna, M., Mičušík, M., Nádaždy, P., Egyenes, F., Keshtkar, J., Kováčová, E., Pomeroy, J.W., Kuball, M., and Gucmann, F.: Heteroepitaxial growth of Ga2O3 on 4H-SiC by liquid-injection MOCVD for improved thermal management of Ga2O3 power devices, J. Vacuum Sci Technol. A 41 (2023) 042708.
1. Woo, K.: J. Phys.-Mater. 7 (2024) 022003.
2. Vo, T.H.: Mater. Sci Semicond. Process. 173 (2024) 108130.
3. Akyol, F.: Mater. Sci Semicond. Process. 170 (2024) 107968.
4. Saquib, T.: J. Applied Phys. 135 (2024) 065701.
5. Hu, Y.: Mater. Sci Semicond. Process. 178 (2024) 108453.
6. Ferdous, N.: Sci Rep. 14 (2024) 12748.
7. Ku, C.W.: Applied Surface Sci Adv. 24 (2024) 100661.
8. Su, J.: J. Mater. Sci Technol. 210 (2025) 20.
9. Tarntair, F.G.: Adv. Electron. Mater. 11 (2025) SI2300679.
10. Chen, J.T.: IEEE J. Electron Dev. Soc 13 (2025) 570.
11. Wu, K.P.: J. Applied Phys. 137 (2025) 105701.
12. Kumar, M.: Applied Phys. Lett. 126 (2025) 193505.
13. Park, J.H.: J. Mater. Chem. C 13 (2025) 13464.
14. Wei, M.Y.: Surfaces Interfaces 66 (2025) 106607.
15. Pearton, S.J.: Applied Phys. Rev. 12 (2025) 031336.
16. Nikolaev, V.I.: Mater. Today Comm. 49 (2025) 113943.
17. Kluth, E.: Applied Phys. Lett. 127 (2025) 172106.
18. Chen, W.-C.: ACS Omega 11 (2026) 3229.
19. Zhou, Z.: J. Alloys Comp. 1055 (2026) 186268.