Ing. Miriam KRETTOVÁ

• 2026

Krettová, M., Hušeková, K., Wosko, M., Dobročka, E., Zápražný, Z., Kozak, I.,  Pohorelec, O., Ťapajna, M., Paszkiewicz, R., and Gucmann, F.: Heteroepitaxial growth of β-Ga₂O₃ films on AlN/Si substrates by liquid-injection MOCVD. In: WOCSDICE-EXMATEC 2026: 49^th Workshop on Compound Semicond. Dev. Integrated Circuits. Gdansk, 2026, p. 81-82. 

• 2025

Krettová, M., Hušeková, K., Wosko, M., Dobročka, E., Zápražný, Z., Kozak, I., Chouhan, H., Egyenes, F., Pohorelec, O., Ťapajna, M., Paszkiewicz, R., and Gucmann, F.: Heteroepitaxial growth of gallium oxide on silicon using liquid-injection MOCVD. In: Proc. ADEPT 2025. Eds. D. Jandura, I. Lettrichová. Žilina: EDIS 2025, p. 112-115. ISBN 978-80-554-2208-4. 

Krettová, M., Hušeková, K., Wosko, Dobročka, E., Zápražný, Z., Kozak, I., Chouhan, H., Egyenes, F., Pohorelec, O., Ťapajna, M., Paszkiewicz, R., and Gucmann, F.: Investigation of the material properties of thin epitaxial Ga₂O₃ films grown by liquid-injection MOCVD on (111) Si with AlN buffer. In: Proc. ELITECH’25. Bratislava, Spektrum STU 2025. ISBN 978-80-227-5492-7.