Kontakt
Intranet
EN
Medzinárodné
| Fotoelektrický jav na povrchovej bariére s kvantovými bodkami | |
| Photoelectric phenomena on surface-barrier structure with quantum dots | |
| Program: | Medziakademická dohoda (MAD) |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Osvald Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.1.2005 – 31.12.2007 |
| Teoretické a experimentálne štúdium III-N štruktúr | |
| Theoretical and experimental study of III-N structures | |
| Program: | Medziakademická dohoda (MAD) |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Osvald Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.1.2004 – 31.12.2006 |
| ASDAM – – | |
| Advanced Semiconductor Devices and Microsystems – ASDAM \’04 | |
| Program: | 6RP |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Osvald Jozef, DrSc. |
| Anotácia: | Cieľom projektu bolo zhromaždiť vedúcich expertov z krajín EÚ, pridružených štátov EÚ zaujímajúcich sa a pracujúcich v oblati polovodičových súčiastok a mikrosystémov. Konferencia ASDAM 04 bola venovaná najnovším výsledkom výskumu v oblasti nanosúčiastok a mikrosystémov. Predpokladalo sa, že konferencia bude mať priaznivý vplyv na úroveň výmeny informácií a poznatkov z uvedenej oblasti medzi účastníkmi z členských štátov EÚ a účastníkmi z pridružených štátovEÚ. Multidisciplinárny charakter podujatia bol dobrou príležitosťou pre výskumníkov vymeniť si skúsenosti aj s kolegami pracujúcimi v príbuzných oblastiach. |
| Doba trvania: | 1.4.2004 – 1.5.2005 |
Národné
| Fyzikálne problémy štruktúr MISFET a MISHFET na báze III-V a III-N polovodičov | |
| Physical problems of MISFET and MISHFET structures based on III-V and III-N semiconductors | |
| Program: | VEGA |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Osvald Jozef, DrSc. |
| Anotácia: | Projekt je orientovaný na fyzikálne problémy III-V a III- polovodičov. Ide o otázky, ktoré nie sú dostatočnefyzikálne objasnené, prípadne nie je známe ich technologické riešenie. Medzi tieto otázky patria v prvom radeotázky spojené s fyzikou a chémiou rozhrania polovodič – izolant, ktorého podstata rozhoduje o kvalite tohtorozhrania. S tým je priamo spojená otázka hustoty povrchových stavov a existencia, prípadne neexistenciazáchytu Fermiho hladiny na povrchu polovodiča.Pri III-V MISFET štruktúrach sa mienime venovať otázkam frekvenčnej disperzie kapacitných kriviek štruktúr. Súteórie, že v oblasti akumulácie je disperzia kapacita spôsobená nízkou hustotou elektrónových stavov naspodnom okraji vodivostného pásu a za kapacitný nárast v oblasti inverzie sú zodpovedné stavy v stredezakázaného pásu. Pokúsime sa tieto teórie overiť, prípadne ich na základe výsledkov modifikovať. |
| Doba trvania: | 1.1.2017 – 31.12.2020 |
| Pokročilé AlGaN/GaN HEMT a MISHEMT tranzistory pre vysokoteplotnú elektroniku a senzoriku | |
| Advanced AlGaN/GaN HEMT and MISHEMT transistors for high temperature electronics and sensors | |
| Program: | VEGA |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Osvald Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.1.2013 – 31.12.2016 |