Kontakt
Intranet
EN
Medzinárodné
| AGAMI_EURIGAMI – Európska inovatívna pokročilá GaN mikrovlnná integrácia | |
| European Innovative GaN Advanced Microwave Integration | |
| Program: | EDF |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Kuzmík Ján, DrSc. |
| Web stránka projektu: | https://ec.europa.eu/info/funding-tenders/opportunities/portal/screen/opportunities/projects-details/44181033/101102983/EDF |
| Doba trvania: | 15.12.2022 – 14.12.2026 |
| NANOMAT – Heterogenná materiálová a technologická platforma pre novú doménu výkonovej nanoelektroniky | |
| Heterogeneous Material and Technological Platform for a New Domain of Power Nanoelectronics | |
| Program: | Horizont Európa |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Kuzmík Ján, DrSc. |
| Web stránka projektu: | https://doi.org/10.3030/101091433 |
| Doba trvania: | 1.12.2022 – 30.11.2025 |
| Európska sieť pre inovatívnu a pokročilú epitaxiu | |
| European Network for Innovative and Advanced Epitaxy | |
| Program: | COST |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Kuzmík Ján, DrSc. |
| Web stránka projektu: | https://www.cost.eu/actions/CA20116/#tabs+Name:Description |
| Doba trvania: | 1.11.2021 – 30.10.2025 |
| SAFEMOST – Vysokobezpečný GaN MOS spínací tranzistor | |
| Highly Safe GaN Metal-Oxide-Semiconductor Transistor Switch | |
| Program: | International Visegrad Fund (IVF) |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Kuzmík Ján, DrSc. |
| Web stránka projektu: | http://www.safemost.sav.sk/ |
| Doba trvania: | 1.10.2015 – 30.3.2019 |
| HiPoSwitch – Normálne zatvorené spínacie tranzistory na báze GaN pre efektívne prevodníky výkonu | |
| GaN-based normally-off high power switching transistor for efficient power converters | |
| Program: | 7RP |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Kuzmík Ján, DrSc. |
| Web stránka projektu: | http://www.hiposwitch.eu/ |
| Doba trvania: | 1.9.2011 – 30.8.2014 |
| Technológia a vlastnosti MOS HFET tranzistorov na báze GaN s dielektrikami s vysokou konštantou | |
| Technology and properties of GaN-based MOS HFET transistors with high-k dielectric | |
| Program: | Medzivládna dohoda |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Kuzmík Ján, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.1.2005 – 31.12.2006 |
Národné
| InN: prielom v elektronike tuhej fázy | |
| InN: Breaking the Limits of Solid-State Electronics | |
| Program: | Plán obnovy EÚ |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Kuzmík Ján, DrSc. |
| Anotácia: | Projekt InBreak nadväzuje na pôvodný horizontový projekt NANOMAT. Cieľom NANOMATu je inaugurovať a založiť novú doménu „Flexibilnej (konformnej) výkonovej RF nanoelektroniky“ prostredníctvom ambicióznej inovatívnej heterogénnej technologickej platformy zahŕňajúcej elektroniku na organickej báze a chladiče, polovodičové monolitické mikrovlnné integrované obvody so širokým pásmovým rozdielom (MMIC), rádiofrekvenčné mikroelektromechanické akčné členy (RF MEMS) a akustické senzory.V projekte InBreak bude InN ako jedinečný polovodičový materiál rásť ako plne namáhaný kanál na navrhnutej prispôsobenej vyrovnávacej vrstve InAlN s polaritou N. Očakávame koherentný rast a teoreticky predpovedaný výkon HEMT InN kanála. V projekte bude teda konvenčný GaN buffer nahradený uvoľneným InAlN s In molárnou frakciou 0,7-0,9. Očakávame, že tento prístup v kombinácii s tenkou GaN medzivrstvou medzi InAlN bariérou a InN kanálom povedie k vynikajúcemu zadržaniu 2-rozmerného elektrónového plynu (2DEG) s vysokou hustotou v epi-štruktúrach. Splnenie projektu umožní dosiahnutie podstatne vyšších pracovných frekvencií s potenciálom prechodu na technológiu 6G v (sub)THz pásme. |
| Doba trvania: | 1.11.2023 – 30.6.2026 |
| Kritické aspekty rastu polovodičových štruktúr pre novú generáciu III-N súčiastok | |
| Critical aspects of the growth for a new generation of III-N devices | |
| Program: | VEGA |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Kuzmík Ján, DrSc. |
| Anotácia: | Gálium nitrid (GaN) a jemu podobné zlúčeniny sú predmetom intenzívneho skúmania pre novú generáciuvysoko-frekvenčných tranzistorov, výkonovej elektroniky a post-CMOS logických obvodov. Flexibilita v tejtooblasti je daná miešateľnosťou GaN materiálu s In a Al, čím sa otvára široké spektrum polovodičov s možnosťounastavenia energetickej medzere od 0.65 eV do 6.2 eV a nespočetné kombinácie pre návrh hetero-štruktúr. Základom nášho projektu bude zvládnutie a štúdium epitaxného rastu unikátnych materiálovych konceptovtechnikou chemickej depozície z kovovo-organických pár. Predmetom výskumu budú i/tranzistory s N-polárnymInN kanálom, ii/ MOS kontakty na heteroštruktúrach s N-polaritou, iii/ tranzistory s dierovou vodivosťou, ako ajiv/vertikálne štruktúr na GaN substráte. Súčasťou projektu budú charakterizačné aktivity, predovšetkýmvyšetrovanie transportu elektrónov v N-polárnom InN, v MOS štruktúrach, 2-rozmerného dierového plynu ako ajprechodových javov v C-dotovaných vertikálnych tranzistoroch. |
| Doba trvania: | 1.1.2022 – 31.12.2025 |
| PEGANEL – p-GaN elektronika pre úsporu energie a post-CMOS obvody | |
| p-GaN electronics for energy savings and beyond-CMOS circuits | |
| Program: | APVV |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Kuzmík Ján, DrSc. |
| Anotácia: | III-N polovodiče sú pravdepodobne najuniverzálnejšou a najperspektívnejšou rodinou polovodičov, skladajúcej sa zumelých zliatin GaN, AlN a InN. V návrhu projektu popisujeme nové technologické postupy s dostatočnouvoľnosťou pre riešenie hlavných problémov III-N post-CMOS éry: prítomnosť parazitného n-kanála v tranzistorochspolu s p-kanálom, ako aj nízka koncentrácia a pohyblivosť dierového plynu. Podobne, hodláme demonštrovaťškálovateľné prahové napätie v obohacovacích p-dotovaných výkonových tranzistoroch, ktoré sú žiadanépriemyslom pre efektívne, energiu šetriace prevodníky. V týchto aspektoch naše laboratória už demonštrovali veľmisľubné výsledky, ktoré dokazujú kompetentnosť dosiahnúť vytýčené ciele. V prípade úspešného naplnenia,výsledky projektu budú predstavovať značný krok vpred nie len z medzinárodného hľadiska, ale budú aj v plnomsúlade s RIS3 SK (perspektívne oblasti špecializácie slovenskej ekonomiky), konkrétne v oblasti polovodičov pre emobilitu automobilového priemyslu ako aj v informačných a komunikačných vedách. |
| Doba trvania: | 1.7.2022 – 30.6.2025 |
| Vertikálny GaN MOSFET pre výkonové spínacie aplikácie | |
| Vertical GaN MOSFET for power switching applications | |
| Program: | APVV |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Kuzmík Ján, DrSc. |
| Anotácia: | Jedným z najnaliehavejších problémov súčasnej spoločnosti je dostupnosť zdrojov energie, najmä s ohľadom na neustále sa zvyšujúce nároky na jej spotrebu. Jednou z ďalších možností úspory energie je zníženie strát vznikajúcich pri prevode do formy vhodnej pre daný spotrebič. Z hľadiska úspory elektrickej energie predstavuje zvýšenie efektivity prevodu elektrickej energie veľký potenciál. Podľa dostupných analýz, viac ako 10% elektrickej energie sa nenávratne stráca v podobe prevodových strát. Aj čiastkové využitie takejto rezervy môže mať veľký hospodársky význam. Prevodové straty vznikajú najmä pri úprave úrovní elektrického napätia vhodných pre konkrétny spotrebič alebo zariadenie. Ťažisko riešenia problematiky efektívnejšieho prevodu elektrickej energie teda spočíva v oblasti výkonovej elektroniky zahŕňajúcej AC/DC a DC/DC prevodníky pre spotrebnú a priemyselnú elektroniku. Razantnejšie zvýšenie efektivity prevodu poskytujú nové výkonové tranzistory na báze GaN-u, ktoré sú schopné pracovať pri podstatne vyšších frekvenciách s takmer trojnásobne nižšími spínacími stratami.Hlavný cieľ predkladaného projektu je výskum a vývoj vertikálneho GaN MOSFET tranzistora a získanie poznatkov o elektro-fyzikálnych vlastnostiach takýchto súčiastok. Jedná sa o „proof-of-concept“ vývoj; z hľadiska kvantitatívnych parametrov bude naším cieľom demonštrovať RON<2 mOhm/cm2 a VBD>600 V. Originálnou črtou navrhovaného konceptu je využitie semi-izolačnej (SI) kanálovej GaN vrstvy (namiesto p-oblastí), blokujúcou tok prúdu pri nulovom napätí na hradle. Na otvorenie tranzistora bude potrebné kladné hradlové napätie, ktoré vytvorí podmienky na injekciu voľných elektrónov z emitora pozdĺž okrajov SI-GaN oblasti. Koncept teda možno označiť za unipolárny tranzistor pracujúci v obohacovacom móde, pričom v driftovej oblasti sa zachováva možnosť využitia nedotovanej GaN vrstvy s extrémne nízkou koncentráciou dislokácií narastenou na priamo na GaN substráte. |
| Doba trvania: | 1.7.2019 – 30.6.2022 |
| Pokročilé III-N súčiastky pre prenos informácie a energie | |
| Advanced III-N devices for energy and information transfer | |
| Program: | VEGA |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Kuzmík Ján, DrSc. |
| Anotácia: | Nitrid gália (GaN) a jemu podobné polovodičové zlúčeniny bežne označované ako III-N majú oproti dnes už klasickým polovodičom výrazne flexibilnejšiu energetickú medzeru, vyššiu intenzitu prierazného elektrického poľa, veľkú mriežkovú spontánnu polarizáciu, vysokú tepelnú a radiačnú odolnosť, ale aj vysokú pohyblivosť elektrónov. Preto je snaha postupne vyvinúť III-N polovodičové prvky, predovšetkým tranzistory typu HFET ktoré majú potenciál postupne nahradiť prvky na báze Si, Si/SiGe, GaAs a InP pre mikrovlnné a výkonové aplikácie, spínače, spínacie zosilňovače, logické obvody ako aj obvody zmiešaných signálov. Následne, v tomto zmysle plánujeme vyvinúť a študovať HFET-y s InN kanálom pre ultra-rýchly prenos informácie, pokročilé GaN spínače pre konverziu energie, technológiu GaN obvodov zmiešaných signálov a GaN UV senzory pre kozmické aplikácie. |
| Doba trvania: | 1.1.2018 – 31.12.2021 |
| MioGaN – GaN monolitické integrované obvody | |
| GaN Monolithic Integrated Circuits | |
| Program: | APVV |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Kuzmík Ján, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.7.2016 – 30.6.2019 |
| Tranzistory s InN-kanálom pre THz mikrovlny a logiku | |
| Transistors with InN channel for THz microwaves and logic | |
| Program: | APVV |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Kuzmík Ján, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.7.2016 – 30.6.2019 |
| HiPoSwitch – Normálne zatvorené spínacie tranzistory na báze GaN pre efektívne prevodníky výkonu | |
| GaN-based normally-off high power switching transistor for efficient power converters | |
| Program: | APVV |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Kuzmík Ján, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.1.2016 – 31.12.2016 |
| Monolitická integrácia ochudobňovacích a obohacovacích InAlN/GaN HFET | |
| Monolithic integration of depletion- and enhancement-mode InAlN/GaN HFET transistors | |
| Program: | APVV |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Kuzmík Ján, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.7.2012 – 30.6.2015 |
| Heteroštruktúry na báze InN pre vysoko-frekvenčné tranzistory | |
| – | |
| Program: | APVV |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Kuzmík Ján, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.1.2011 – 31.12.2014 |
| GETRATRON – Vývoj novej generácie III-N tranzistorov s vysokou pohybivosťou elektónov | |
| Towards next generation of III-N high-electron-mobility transistors | |
| Program: | APVV |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Kuzmík Ján, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.5.2011 – 30.4.2014 |