Zoznam článkov
Magnetická silová mikroskopia (MFM) sa etablovala ako štandardná metóda na skúmanie povrchových magnetických textúr veľkého množstva magnetických materiálov. Princíp MFM je založený na kmitajúcom nosníku, ktorý je zakončený ostrým hrotom pokrytým magnetickým materiálom. Počas skenovania tento magnetický hrot kmitá tesne nad povrchom vzorky, pričom magnetostatické sily medzi hrotom a vzorkou ovplyvňujú fázu a frekvenciu kmitov…
V poslednom desaťročí sa výskum topologických izolátorov stal horúcou témou v rôznych oblastiach fyziky. Ich nezvyčajné vlastnosti vzbudzujú záujem vedcov zameraných na základný aj aplikovaný výskum. Jednou z najzaujímavejších vlastností topologického izolátora je fakt, že jeho vnútro je izolant, pričom na povrchu existujú vodivé stavy. V 2D verzii topologického izolátora sú tieto vodivé okrajové stavy…
Existuje potreba nových materiálových systémov, ktoré by otvorili okno do sub-THz frekvečnej elektroniky. V tomto ohľade, vďaka rekordnej teoretickej rýchlosti elektrónov, InN je medzi najhorúcejšími kandidátmi. Najnovšie výskumy ukazujú, že InN vrstvy rastené pomocou molekulárnej zväzkovej epitaxie (MBE) dosahujú rýchlosť elektrónov približne 1 Í 108 cms-1. Doteraz sa však nepodarilo demonštrovať žiaden mikrovlnný tranzistor s InN kanálom….
Polovodiče na báze nitridu gália (GaN) sú čoraz viac využívané pre výrobu vysoko efektívnych prevodníkov výkonu. Našim kolegom sa podarilo potvrdiť funkčnosť originálneho konceptu vertikálneho výkonového tranzistora. Moderné GaN výkonové tranzistory s laterálnou geometriou kanála sú postupne komercionalizované a využívané v praxi. Oproti tomuto konceptu je vertikálna geometria užitočná pre zvýšenie výkonu súčiastok a potlačenie parazitných efektov ako sú…
V dňoch 10. – 15. septembra 2023 sa konala v Bratislave 13. medzinárodná konferencia IEEE 2023 Nanomateriály: Aplikácie a vlastnosti (IEEE NAP-2023). Na organizácii podujatia, na ktorom sa zúčastnilo 400 účastníkov, sa podieľali IEEE Nanotechnology Council, Elektrotechnický ústav SAV, v. v. i., Slovenská technická univerzita v Bratislave a Sumy State University na Ukrajine, s podporou IEEE Magnetics Society. Konferencia bola zameraná…
V 1. oddelení vied si prvú cenu prevzal Mgr. Fridrich Egyenes z Elektrotechnického ústavu SAV, v. v. i., za prácu Široko-pásmový polovodič Ga2O3 – fyzikálne vlastnosti a technológia prípravy. Tretiu cenu získala Mgr. Jana Hrdá z rovnakého ústavu za prácu Príprava a charakterizácia dvojrozmerných materiálov – dichalkogenidov prechodných kovov. Do tretice doktorandka z Elektrotechnického ústavu SAV, v. v i., Mgr. Iuliia…
Počas návštevy Slovensko-taiwanskej komisie pre ekonomickú spoluprácu podpísali predstavitelia Elektrotechnického ústavu SAV, v.v.i. (ElÚ SAV) licenčnú zmluvu a memorandum o porozumení s Výskumným inštitútom priemyselných technológií (Industrial Technology Research Institute, ITRI), Taiwan. V rámci licenčnej zmluvy vybuduje ElÚ SAV laboratórium pre analýzu spoľahlivosti polovodičových výkonových modulov, ktoré budú na základe spoločnej trojstrannej dohody vyrábané v čistých priestoroch Fakulty elektrotechniky a informatiky…
Spontánne narušenie symetrie je fyzikálny jav, kedy sa nejaký systém vopred nepredpovedateľným spôsobom rozhodne vybrať si jednu z viacerých možností. Napríklad vajce postavené na špičku sa prevalí na stranu, pričom ak bolo na špičke postavené presne, nie je možné vopred predpovedať na ktorú stranu sa prevalí. Hoci tento problém môže vyzerať nepraktický, v praxi sa…
Komisia pre rodové a etické otázky na ElÚ SAV, v. v. i. a vedenie ElÚ SAV v. v. i. v spolupráci s Ústavom výskumu sociálnej komunikácie SAV, v. v. i. pozýva mladých vedeckých pracovníkov do 35 rokov, doktorandov a postdoktorandov na workshop „Základy diverzity a rodovej rovnosti na ElÚ SAV, v. v. i.“ Workshop sa…
Kompozitné vodiče na báze vysokoteplotných REBCO supravodičov (kuprátov vzácnych zemín) sú schopné prenášať vysoké prúdové hustoty (rádovo 1010 A/m2) pri teplotách kvapalného dusíka (-193 ˚C), čo z nich robí vhodných kandidátov pre magnety s veľmi vysokým magnetickým poľom (desiatky Tesla [T]). Vďaka tomu sú vhodné na prenos elektrického výkonu, magnetickú rezonanciu (MRI), nukleárnu magnetickú rezonanciu…