Projektová činnosť

Medzinárodné

Vybudovanie laboratória pre výskum spoľahlivosti výkonových modulov a spoločný výskum v oblasti GaN a Ga2O3 polovodičových výkonových súčiastok
Establishment of reliability laboratory for pawer modules and joint reserch of GaN and Ga2O3 power devices
Program:	Bilaterálne – iné
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Ťapajna Milan, PhD.
Doba trvania:	1.7.2023 – 30.6.2027

SCARLET – Supravodivé káble podporujúce prechod na udržateľnú energetiku
Superconducting cables for sustainable energy transition
Program:	Horizont Európa
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Web stránka projektu:	https://scarlet-project.eu/
Doba trvania:	1.9.2022 – 28.2.2027

AGAMI_EURIGAMI – Európska inovatívna pokročilá GaN mikrovlnná integrácia
European Innovative GaN Advanced Microwave Integration
Program:	EDF
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Web stránka projektu:	https://ec.europa.eu/info/funding-tenders/opportunities/portal/screen/opportunities/projects-details/44181033/101102983/EDF
Doba trvania:	15.12.2022 – 14.12.2026

ATOSENS – 3D tlač atomárnych vrstiev ako nová paradigma pre múdru senzoriku
Atomic-layer 3D printing as a new paradigm for smart sensorics
Program:	ERANET
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Hudec Boris, PhD.
Anotácia:	Cieľom projektu je využitie novej rýchlej prototypovacej výrobnej metódy aditívnej výrovy atomárnych vrstiev (ALAM) na výrobu matice ne-identických mikroskopických senzorov vodíka na báze TiO2, usporiadaných do pred-programovanej hardvérovej neurónovej siete (HNN). Prvou aplikáciou bude prototyp smart vodíkového senzora na báze Pt/TiO2 s nízkou spotrebou a s nízkoúrovňovým spracovaním dát v seznore (in-sensor), vyrobený pomocou ALAM. Širšiu adopciu technológie ALAM budeme komukovať cez platformu otvoreného inovačného hubu, kde bude externým záujemcom umožnené rýchlo prototypovať rôzne dizajny HNN pre ALAM výrobu. Projekt adresuje potreby pre nové procesné technológie s ohľadom na obehové hospodárstvo s minimalizáciou odpadu a využitia kritických materiálov. Taktiež adresuje potrebu nových inteligentných senzorov so spracovaním údajov priamo v senzore pre rastúcu infraštruktúru vodíkovej energetiky.
Doba trvania:	1.6.2023 – 31.5.2026

MSC – Vývoj vertikálnych kompozitov z dichalkogenidov prechodových kovov pre použitie v mikrosuperkondenzátoroch
Vertically aligned two-dimensional transition metal dichalcogenide composites for micro-supercapacitors
Program:	Bilaterálne – iné
Zodpovedný riešiteľ:	Dr. rer. nat. Hulman Martin
Doba trvania:	1.1.2023 – 31.12.2025

NANOMAT – Heterogenná materiálová a technologická platforma pre novú doménu výkonovej nanoelektroniky
Heterogeneous Material and Technological Platform for a New Domain of Power Nanoelectronics
Program:	Horizont Európa
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Web stránka projektu:	https://doi.org/10.3030/101091433
Doba trvania:	1.12.2022 – 30.11.2025

Európska sieť pre inovatívnu a pokročilú epitaxiu
European Network for Innovative and Advanced Epitaxy
Program:	COST
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Web stránka projektu:	https://www.cost.eu/actions/CA20116/#tabs+Name:Description
Doba trvania:	1.11.2021 – 30.10.2025

skQCI – Slovenská kvantová komunikačná infraštruktúra
Slovak Quantum Communication
Program:	Digital Europe Programme
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Cambel Vladimír, DrSc.
Web stránka projektu:	https://skqci.qute.sk/
Doba trvania:	1.1.2023 – 30.6.2025

CUBES – Stredoeurópsky kompetenčný klaster pre (ultra)širokopásmové polovodiče
Central-European (Ultra)Wide Bandgap Expertise Cluster
Program:	International Visegrad Fund (IVF)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Gucmann Filip, PhD.
Doba trvania:	1.1.2024 – 1.6.2025

I.FAST – Podpora inovácií v urýchľovačovom výskume a technológií
Innovation Fostering in Accelerator Science and Technology
Program:	Horizont 2020
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Seiler Eugen, PhD
Web stránka projektu:	https://cordis.europa.eu/project/id/101004730
Doba trvania:	1.5.2021 – 30.4.2025

BGapEng – Projektovanie šírky zakázaného pásu v nekonvenčných polovodičoch
Band-gap engineering in unconventional semiconductors
Program:	International Visegrad Fund (IVF)
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Skákalová Viera, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2022 – 31.12.2024

SuperEMFL – Supravodivé magnety pre European Magnet Field Laboratory
Superconducting magnets for the European Magnet Field Laboratory
Program:	Horizont 2020
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Pardo Enric, PhD.
Web stránka projektu:	https://cordis.europa.eu/project/id/951714
Doba trvania:	1.1.2021 – 31.12.2024

Topologicky netriviálne fázy vrstvených dichalkogenidov prechodných kovov
Topologically nontrivial phases of layered transition-metal dichalcogenides
Program:	Bilaterálne – iné
Zodpovedný riešiteľ:	Dr. rer. nat. Hulman Martin
Doba trvania:	1.1.2023 – 31.12.2024

HiSCALE – Vysokoteplotná supravodivosť pre zrýchlenie prechodu k čistejšej energii
High-TeHigh-Temperature SuperConductivity for AcceLerating the Energy Transitionmperature SuperConductivity for AcceLerating the Energy Transition
Program:	COST
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Pardo Enric, PhD.
Web stránka projektu:	https://www.cost.eu/actions/CA19108/#tabs|Name:overview
Doba trvania:	8.10.2020 – 7.10.2024

Filamentované pásky z vysokoteplotného supravodiča pre použitie vo fúzii
Filamentized high temperature superconductor tapes for fusion
Program:	EUREKA
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Doba trvania:	1.10.2021 – 31.5.2024

ETMOS – Epitaxné vrstvy tranzitných kovov dichalkogenidov pripravených na polovodičoch so širokým zakázaným pásmom pre modernú elektroniku
Epitaxial transition metal dichalcogenides onto wide bandgap hexagonal superconductors for advanced electronics
Program:	ERANET
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Doba trvania:	1.4.2020 – 31.3.2023

Dichalkogenidy prechodových kovov s topologickými fázami: predikcie, syntéza a vlastnosti
Topological transition-metal dichalcogenides: prediction, synthesis and properties
Program:	Bilaterálne – iné
Zodpovedný riešiteľ:	Dr. rer. nat. Hulman Martin
Doba trvania:	1.4.2021 – 31.12.2022

Optimalizácia škálovateľného rastu tenkých vrstiev dichalkogenidov prechodných kovov a nové heterostruktúry na použitie v elektronike a pokročilé senzory
Optimization of the scalable growth of transition metal dichalcogenide thin films and novel heterostructures for application in electronics and advanced sensors
Program:	Bilaterálne – iné
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Sojková Michaela, PhD.
Doba trvania:	1.1.2021 – 31.12.2022

Príprava a charakterizácia veľmi tenkých vrstiev TMD materiálov na atomárnej škále
The preparation and atomic-scale characterization of ultrathin films of TMD materials
Program:	Bilaterálne – iné
Zodpovedný riešiteľ:	Dr. rer. nat. Hulman Martin
Doba trvania:	1.4.2021 – 31.12.2022

Pulzná laserová depozícia 2D polovodičov na nitridy pre pokročilú elektroniku
PULSEd laser deposition of 2D semiconductors on nitrides for advanced electronics
Program:	Bilaterálne – iné
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Španková Marianna, PhD
Doba trvania:	1.1.2021 – 31.12.2022

Syntéza a charakterizácia funkčných heteroštruktúr 2D TMD-diamant pre senzorové prvky
Synthesis and characterization of 2D TMD-diamond functional heterostructures for sensing elements
Program:	Bilaterálne – iné
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vanko Gabriel, PhD.
Doba trvania:	1.1.2021 – 31.12.2022

EUROfusion – Uskutočňovanie aktivít popísaných v Ceste k fúzii počas Horizon2020 cestou spoločného programu členov konzorcia EUROfusion
Implementation of activities described in the Roadmap to Fusion during Horizon2020 through a Joint programme of the members of the EUROfusion consortium
Program:	Horizont 2020
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Web stránka projektu:	http://cordis.europa.eu/project/rcn/193159_en.html
Doba trvania:	1.1.2014 – 31.12.2022

MAGNETOFON – Ultrarýchla magneto-optoelektronika pre nedisipatívnu informačnú technológiu
Ultrafast opto-magneto-electronics for non-dissipative information technology
Program:	COST
Zodpovedný riešiteľ:	Dr. Mruczkiewicz Michal
Web stránka projektu:	https://www.cost.eu/actions/CA17123/#tabs|Name:overview
Doba trvania:	3.10.2018 – 2.10.2022

ATOPLOT – 3D ploter na báze nanášania po atómových vrstvách
The atomic-layer 3D plotter
Program:	Horizont 2020
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Web stránka projektu:	https://cordis.europa.eu/project/id/950785
Doba trvania:	1.5.2020 – 30.4.2022

Pokročilé mikromechanické nosníky zo širokopásmových polovodičových materiálov
Advanced Microcantilevers from Wide Bandgap Materials
Program:	Bilaterálne – iné
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vanko Gabriel, PhD.
Anotácia:	Projekt sa zaoberá problematikou návrhu, technológie a charakterizácie pokročilých mikromechanické nosníky na báze širokopásmových polovodičových materiálov (GaN, diamant). Navrhnutý koncept je originálny v tom, že sa zameriava na hľadanie nových (a) progresívnych, 2D materiálov najmä dichalkogenidov prechodných kovov, ako aj (b) nových konceptov tvarovania MEMS prvkov s využitím mechanických, teplotných a piezoelektrických vlastností zmienených typov širokopásmových polovodičov integrovaných do jediného multivrstvového piezosystému. Projekt spája doteraz samostatne sa rozvíjajúce výskumné témy ako sú: rast tenkých diamantových vrstiev, rast heteroštruktúr AlGaN/GaN a syntéza 2D materiálov (MoS2, MoSe2, PtSe2, PtS2, atď.). Získané znalosti vo vymenovaných oblastiach umožnia návrh a vývoj principiálne nových elektronických prvkov pre vysokoteplotné aplikácie, objemové a povrchové mikrotvarovanie polovodičových substrátov ako aj heteroštruktúr, integrované elektronické obvody schopné pracovať v extrémnych podmienkach.
Doba trvania:	1.3.2020 – 31.12.2021

Technológia a vlastnosti supravodivých a magnetických oxidových vrstiev pre moderné elektronické aplikácie
Technology and properties of superconductig and magnetic oxide films for modern electronic application
Program:	Medzivládna dohoda
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2019 – 31.12.2021

ERA.Net RUS Plus – Terahertzová spintronika a magnonika feromagnetov a antiferomagnetov
Terahertz spintronics and magnonics of ferro- and antiferromagnets
Program:	ERANET
Zodpovedný riešiteľ:	Dr. Mruczkiewicz Michal
Web stránka projektu:	http://p3.snf.ch/Project-177550
Doba trvania:	1.7.2018 – 30.6.2021

ARIES – Výskum a inovácie urýchľovačov pre európsku vedu a spoločnosť
Accelerator research and innovation for european science and society
Program:	Horizont 2020
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Seiler Eugen, PhD
Web stránka projektu:	http://cordis.europa.eu/project/rcn/207680_en.html
Doba trvania:	1.5.2017 – 30.4.2021

–
An individual stimulating system with 3D nano-structure carbon/graphene based transducer and wireless heater for automated tiny insects behavior monitoring
Program:	JRP
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vanko Gabriel, PhD.
Doba trvania:	1.1.2018 – 31.12.2020

FASTGRID – Nákladovo efektívne obmedzovače skratových prúdov využívajúce pokročilé supravodivé pásky pre budúce vysokonapäťové jednosmerne rozvodné siete
Cost effective FCL using advanced superconducting tapes for future HVDC grids
Program:	Horizont 2020
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Anotácia:	Projekt bol úspešný vo výzve, zameranej na materiálové inovácie pre zlepšenie elektroenergetickej siete. Cieľom je zlepšenie páskových vodičov na báze vysokoteplotných supravodičov, v smere zvýšenia maximálneho elektrického poľa, ktoré bez poškodenia znesú po prechode do normálneho stavu. Skúmať sa budú tri alternatívy úpravy komerčných páskových surpavodičov, vyrábaných nemeckou firmou THEVA. Z pásky s vylepšenou odolnosťou bude zhotovený modul zariadenia na ochranu elektroenergetickej siete pred poškodením pri skrate. Zaujímavosťou projektu je, že sú do neho zapojené tri tímy z inštitúcií mimo EÚ: Polytechnique Montreal, EPFL Lausanne a Tel Aviv University.Elektrotechnický ústav sa zapája do dvoch pracovných balíkov, zameraných na vylepšenie vlastností pások. V prvom pracovnom balíku budeme, v spolupráci s MTF STU v Trnave, rozvíjať koncept zlepšenia vlastností pások pomocou nanesenia dodatočnej vrstvy z materiálu s vysokou tepelnou kapacitou a dobrou tepelnou vodivosťou. Z širokej palety materiálov budeme pomocou numerického modelovania, prípravy vzoriek a ich experimentálneho testovania vyberať vhodných kandidátov pre aplikáciu v priemyselnom procese výroby. Okrem dobrých tepelných vlastností musí pokrytie umožňovať ohýbanie pásky a dobre znášať opakované teplotné cykly medzi prevádzkovou teplotou v kvapalnom dusíku a ohrevom na cca 200 °C. V druhom pracovnom balíku sa budeme podieľať na skúmaní príčin fluktuácií kritickej prúdovej hustoty, ktorá je jednak veľmi citlivým indikátorom kvality supravodivej vrstvy, ale tiež parametrom rozhodujúcim o funkčnosti použitých materálov.
Web stránka projektu:	http://cordis.europa.eu/project/rcn/206750_en.html
Doba trvania:	1.1.2017 – 30.11.2020

ASuMED – Pokročilý experimentálny model supravodivého motora
Advanced superconducting motor experimental demonstrator
Program:	Horizont 2020
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Pardo Enric, PhD.
Web stránka projektu:	http://cordis.europa.eu/project/rcn/209910_en.html
Doba trvania:	1.5.2017 – 31.8.2020

TRANSCOE – Vývoj nových vodivých priehladných elektród pre organickú elektroniku
Development of new designed transparent conductive electrodes for organic electronics
Program:	Bilaterálne – iné
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania:	1.2.2017 – 31.1.2020

Topologické spinové vlny
Topological spin waves
Program:	Iné
Zodpovedný riešiteľ:	Dr. Mruczkiewicz Michal
Doba trvania:	1.3.2019 – 30.5.2019

SAFEMOST – Vysokobezpečný GaN MOS spínací tranzistor
Highly Safe GaN Metal-Oxide-Semiconductor Transistor Switch
Program:	International Visegrad Fund (IVF)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Web stránka projektu:	http://www.safemost.sav.sk/
Doba trvania:	1.10.2015 – 30.3.2019

Príprava a vlastnosti supravodivých, magnetických, a dielektrických vrstiev pre kryoelektronické štruktúry
–
Program:	Medzivládna dohoda
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2016 – 31.12.2018

HERALD – Zachytenie spoločného európskeho výskumu v nanášaní po atomárnych vrstvách
Hooking together European research in atomic layer deposition
Program:	COST
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Web stránka projektu:	http://www.cost.eu/COST_Actions/mpns/Actions/MP1402
Doba trvania:	4.12.2014 – 4.12.2018

TO-BE – Smerom k elektronike na báze oxidov
Towards Oxide-Based Electronics
Program:	COST
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Web stránka projektu:	http://www.cost.eu/COST_Actions/mpns/MP1308
Doba trvania:	1.2.2016 – 30.4.2018

EUROTAPES – Vývoj supravodivých pások v Európe: Nové materiály a architektúry pre zníženie nákladov silnoprúdových aplikácií a magnetov
European development of superconducting tapes: Integrating novel materials and architectures into cost effective processes for power applications and magnets
Program:	7RP
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Web stránka projektu:	http://eurotapes.eu/
Doba trvania:	1.9.2012 – 31.1.2018

Hard X-ray focussing andX-ray detectors for applications in medicine and plasma diagnostics
Hard X-ray focussing andX-ray detectors for applications in medicine and plasma diagnostics
Program:	Bilaterálne – iné
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Dubecký František, CSc.
Doba trvania:	1.1.2016 – 31.12.2017

Perovskitovské heteroštruktúry nanometrových hrúbok pre senzory a spintroniku
Perovskite heterostructures of nanometric thickness for sensors and spintronics
Program:	Medzivládna dohoda
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Štrbík Vladimír, CSc.
Doba trvania:	1.1.2015 – 31.12.2017

Príprava a charakterizácia pokročilých GaN nano-hetero-štruktur
Advanced GaN nano-hetero-structures – preparation and characterization
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2017 – 31.12.2017

EXTREMA – Moderné rtg zobrazovacie a tomografické metódy využívajúce fázový kontrast
Enhanced X-ray tomographic reconstruction: experiment, modeling, and algorithms
Program:	COST
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Zápražný Zdenko, PhD.
Doba trvania:	16.5.2013 – 15.5.2017

EXIL – Výmena poznatkov o iónových kvapalinách
Exchange on ionic liquids
Program:	COST
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Lobotka Peter, CSc.
Web stránka projektu:	http://www.cost.eu/domains_actions/cmst/Actions/CM1206
Doba trvania:	15.5.2013 – 14.5.2017

Štúdium rastu a elektrických vlastností hybridních štruktúr diamantu a tranzistorov AlGaN/GaN HEMT
–
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vanko Gabriel, PhD.
Doba trvania:	1.1.2016 – 31.3.2017

SUPRAPOWER – Supravodivá, spoľahlivá, ľahká a výkonnejšia veterná turbína umiestnená mimo pobrežia
Superconducting, reliable, lightweight, and more powerful offshore wind turbine
Program:	7RP
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kováč Pavol, DrSc.
Doba trvania:	1.12.2012 – 31.12.2016

Pokročilá rentgenová priestorová a časová metrológia
Advanced X-ray spatial and temporal metrology
Program:	COST
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Korytár Dušan, CSc.
Web stránka projektu:	http://www.cost.eu/domains_actions/mpns/Actions/MP1203
Doba trvania:	16.11.2012 – 15.11.2016

NanoSC – Supravodivosť na nanoškále: Nové funkcionality prostredníctvom optimalizovaného ohraničenia kondenzátu a polí
Nanoscale Superconductivity:
Program:	COST
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Cambel Vladimír, DrSc.
Web stránka projektu:	http://www.kuleuven.be/inpac/cost/
Doba trvania:	19.10.2012 – 18.10.2016

Koloidné aspekty nanovedy pre inovatívne procesy a materiály
Colloidal aspects of nanoscience for innovative processes and materials
Program:	COST
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Lobotka Peter, CSc.
Web stránka projektu:	http://www.cost.eu/domains_actions/cmst/Actions/CM1101
Doba trvania:	19.1.2012 – 18.1.2016

Kryštály pre vysokoenergetickú X-ray optiku a zobrazenie, detektory rtg a gama žiarenia
Crystals for high energy x-ray optics and imaging and x-ray and gamma ray detectors
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Dubecký František, CSc.
Doba trvania:	1.1.2013 – 31.12.2015

Príprava a vlastnosti supravodivých, manganitových a dielektrických vrstiev pre moderné elektronické aplikácie
Preparation and properties of superconducting, manganite and dielectric films for modern electronic applications
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2013 – 31.12.2015

Výskum efektu blízkosti a spinovej injekcie v dvojvrstvových epitaxných štruktúrach z feromagnetických manganátov a vysokoteplotných supravodičov
Investigation of the proximity effect and spin injection in epitaxial bi-layer structures of ferromagnetic manganites and high temperature superconductors
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Štrbík Vladimír, CSc.
Doba trvania:	1.1.2012 – 31.12.2015

Mikrovlnná a terahertzová metrológia pre bezpečnosť domácností
Microwave and terahertz metrology for homeland security
Program:	EMRP (EURAMET)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Lobotka Peter, CSc.
Doba trvania:	1.6.2012 – 30.5.2015

Hybridné zariadenia na uskladňovanie energie v mobilných a stacionárnych aplikáciách
Hybrid energy storage devices and systems for mobile and stationary applications
Program:	COST
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Web stránka projektu:	http://www.cost.eu/domains_actions/mpns/Actions/MP1004
Doba trvania:	2.5.2011 – 1.5.2015

Pokročilé M(N)EMS prvky na báze materiálového systému GaN-Diamant
Advanced M(N)EMS devices on the base of GaN-Diamond material systems
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vanko Gabriel, PhD.
Doba trvania:	1.1.2012 – 31.12.2014

Slovenské aktivity vo výskume fúzie
Slovak Fusion RTD Activities
Program:	Multilaterálne – iné
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2007 – 31.12.2014

HiPoSwitch – Normálne zatvorené spínacie tranzistory na báze GaN pre efektívne prevodníky výkonu
GaN-based normally-off high power switching transistor for efficient power converters
Program:	7RP
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Web stránka projektu:	http://www.hiposwitch.eu/
Doba trvania:	1.9.2011 – 30.8.2014

ERG – Zelená energia pre spoločnosť
Energy for a Green Society
Program:	ENIAC
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.6.2011 – 31.5.2014

ECCOFLOW – Vývoj a prevádzkové skúšky účinného obmedzovača skratových prúdov na báze pásky s YBCO pokrytím vhodného pre použitie v elektrických sieťach
Development and field testing of an efficient YBCO coated conductor based fault current limiter for operation in electricity networks
Program:	7RP
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Web stránka projektu:	http://www.eccoflow.org/
Doba trvania:	1.1.2010 – 31.12.2013

COINAPO – Kompozity z anorganických nanorúrok a polymérov
Composites of inorganic nanotubes and polymers
Program:	COST
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Lobotka Peter, CSc.
Web stránka projektu:	http://www.coinapo.eu
Doba trvania:	6.11.2009 – 5.11.2013

Kryštály pre X-ray optiku, detektory pre diagnostiku horúcej plazmy a slnečné články
Crystals for X-Ray optics, detectors for hot plasmas diagnostics and photovoltaic cells
Program:	Bilaterálne – iné
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Dubecký František, CSc.
Doba trvania:	1.1.2010 – 31.12.2012

Príprava a vlastnosti supravodivých, manganitových a dielektrických vrstiev pre kryoelektroniké štruktúry
Preparation and properties of superconducting, manganite and dielectric films for cryoelectronic structures
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2010 – 31.12.2012

Vývoj a kvalifikácia VTS vodičov pre fúzne magnety
Development qualification of HTSC conductors for fusion magnets
Program:	7RP
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Anotácia:	V rámci projektu sa študujú možnosti zhotovenia káblovaných vodičov pre budúci fúzny reaktor s pracovmým názvom DEMO, ktoré by boli mohli pracovať pri teplitách vyšších než 10 K. Skúmajú sa vlastnosti východzích supravodivých vodičov dvoch typov: páskový podič s tenkovrstvovým pokrytím z vysokoteplotného supravodiča REBCO a kompozitný vodič obsahujúci vlákna strednoteplotného supravodiča MgB2 v kovovej matrici. Zhotovujú sa laboratórne modely káblovaných vodičov a pomocou experimentoiv vlastnosti očakávané na základe teoretických modelov.
Doba trvania:	1.1.2007 – 31.12.2012

Vývoj testovacích aparatúr na meranie striedavých strát vo vysokoteplotných supravodičoch
Developing Test Apparatus and measurements of AC loss in HTS superconductors
Program:	Bilaterálne – iné
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kováč Pavol, DrSc.
Doba trvania:	1.9.2010 – 31.8.2012

Biologicky riadená redukcia nebezpečenstva výbuchu
Biologicaly driven reduction of explosive thread in post-Soviet era
Program:	International Visegrad Fund (IVF)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vávra Ivo, CSc.
Doba trvania:	1.1.2011 – 31.12.2011

MORGaN – Materiály pre robustný nitrid gália
Materials for Robust Gallium Nitride
Program:	7RP
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania:	1.11.2008 – 31.10.2011

Úprava rtg lúča a rtg zobrazovanie
X-ray beam conditioning and imaging
Program:	COST
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Korytár Dušan, CSc.
Anotácia:	Projekt je zameraný na výskum a vývoj laboratórnych krátkovlnných zdrojov s vlnovou dĺžkou 0.01-100 nm tak, aby sa rozšíril prístup európskych laboratórií k metódam výskumu a analýz doteraz prístupných iba na veľkých zariadeniach ako sú synchrotróny. Ciele projektu:1. Zvýšiť výstupný tok žiarenia aspoň o rád v porovnaní s bežne dostupnými zdrojmi, zmenšiť divergenciu emitovaného žiarenia, zvýšiť opakovaciu frekvenciu a zmenšiť veľkosť zdroja pod 1 µm pre niektoré aplikácie.2. Projekt sa bude venovať metódam generovania ultrakrátkych rtg pulzov v laboratórnych podmienkach.3. Vývoj a vylepšovanie nových kompaktných zdrojov, napr. na báze uhlíkových nanotrubíc a integrovaných prenosných systémov s optikou a detektormi dôležitých pre enviromentalistiku a zachovanie kultúrneho dedičstva. 4. Vysoké toky vyžadujú vylepšené detektory a optiku, čo nemožno prehliadnuť.5. Súčasťou bude modelovanie ako hnací mechanizmus experimentu a metód porovnania správania sa zdrojov pri premenlivých parametroch. optiky a detektorov. Program sám osebe je rámcový a do istej miery otvorený pre vznik nových metód a rtg aplikácií a ciele sa budú spresňovať postupne.
Web stránka projektu:	http://shortwavelengthsources.net/html/cost_mp0601.html
Doba trvania:	1.4.2007 – 1.10.2011

MgB2 supravodiče s vysokými prúdovými hustotami
MgB2 superconductors with high critical currents
Program:	Bilaterálne – iné
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kováč Pavol, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2009 – 31.12.2010

Tenkovrstvové nanokompozity
Nanocomposite thin films
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vávra Ivo, CSc.
Doba trvania:	1.1.2007 – 31.12.2010

NESPA – Nanotechnologicky upravené supravodiče pre aplikácie v silnoprúdovej elektrotechnike
Nano-Engineering Superconductors for Applications – European Network
Program:	6RP
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Anotácia:	Vývoj vysokoteplotných materiálov pre silnoprúdové aplikácie so zameraním na najsľubnejšie supravodivé materiály, ich prípravu. Osobitný dôraz bude kladený na prácu s mladými vedeckými pracovníkmi (PhD štúdiá, post-PhD pobyty na excelentných pracoviskách).
Web stránka projektu:	http://www.ifw-dresden.de/nespa
Doba trvania:	1.10.2006 – 30.9.2010

Nová výkonná optika pre infračervenú oblasť založená na gáliumfosfide VGF GaP
New power optics for infrared range based on gallium phosphide
Program:	EUREKA
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.3.2007 – 1.4.2010

Aplikácie polovodičových monokryštálov v rtg optike, pri výrobe monolitických rtg detektoroch a slnečných článkov s vysokou účinnosťou
Applications of semiconductor single crystals for X-ray optics, monolithic X-ray detectors and high efficiency solar cells
Program:	Medzivládna dohoda
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Dubecký František, CSc.
Doba trvania:	1.1.2004 – 31.12.2009

–
Functional nanocomposite coatings with carbon nanotubes
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Sedláčková Katarína, PhD
Doba trvania:	1.1.2007 – 31.12.2009

Medzinárodný lineárny kolaider: Tenkovrstvová nanotechnológia pre prípravu fotoemisných katód pre injektory urýchlovačov a detektorov nabitých častíc
International linear colaider: Thin film nanotechno-logy for preparation of photoemission cathode for injectors and detectors of charge particles
Program:	Bilaterálne – iné
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Huran Jozef, CSc.
Doba trvania:	1.4.2007 – 31.12.2009

–
Semiconducting crystals for X-ray optics, Gamma-ray detectors and solar cells
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Dubecký František, CSc.
Doba trvania:	1.1.2007 – 31.12.2009

Sendvičové štruktúry na báze kuprátov,dielektrík a manganitov:fyzikálne vlastnosti a aplikačné možnosti
Sandwich structures based on cuprates, dielectrics and manganites: physical properties and application possibilities
Program:	Medziústavná dohoda
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2004 – 31.12.2009

Supravodivé a manganitné tenké vrstvy a štruktúry pre aplikácie v kryoelektronike
Superconducting and manganite thin films and structures for applications in cryoelectronics
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2007 – 31.12.2009

Supravodivé pásky a polovodičové kvantové bodky: nanoštruktúry pre súdobé informatické a energetické technológie
Superconducting tapes and semiconductor quantum dots: nanostructures for todays information and energy technologies
Program:	Bilaterálne – iné
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2008 – 31.12.2009

Elektromagnetické a tepelné vlastnosti YBCO cievok v AC režime
Electromagnetic and thermal properties of YBCO coils in AC regime
Program:	Bilaterálne – iné
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Polák Milan, DrSc.
Doba trvania:	1.8.2007 – 31.5.2009

Výskum dielektrických vlastností a prenikanie prúdov vRu/high-k (Ta2O5,(Hf,Ti)-dotované Ta2O5) kondenzátormi pre pokročilé sub-90 nm technológie uzlové aplikácie
Investigation of dielectric properties and leakage currents in Ru/high-(Ta205,(hf,Ti)-doped Ta205)capacitors for advanced sub-90nm technology and applications
Program:	Medziústavná dohoda
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2006 – 31.1.2009

Detektorové struktury na báze InP
InP detector structures
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Dubecký František, CSc.
Anotácia:	Nenasiel sa zodpovedny riesitel: Dubecký S..
Doba trvania:	1.1.2006 – 31.12.2008

Magnetické a elektrické vlastnosti nanokompozitných vrstiev
Magnetic and electrical properties of thin film nanocomposites
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vávra Ivo, CSc.
Doba trvania:	1.1.2006 – 31.12.2008

Vývoj špeciálnych technológií obrábania kremíkových monokryštálov
Development of special technologies of Si monocrystal manifacturing
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Korytár Dušan, CSc.
Doba trvania:	1.1.2006 – 31.12.2008

ULTRAGAN – Technológia InAlN(In)GaN heteroštruktúr pre mikrovlnný tranzistor s ultra vysokým výkonom
InAlN/(In)GaN heterostructure technology for ultra-high power microwave transistor
Program:	6RP
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Anotácia:	Príprava vysoko frekvenčných – vysoko výkonných HEMT tranzistorov na báze heteroštruktúry InAlN/GaN. ElÚ SAV bol zodpovedný za prípravu a charakterizáciu HEMT tranzistorov s MOS štruktúrou na riadiacom hradle.
Web stránka projektu:	http://www.ultragan.eu/
Doba trvania:	17.10.2005 – 16.10.2008

Supravodivé cievky pre striedavé prúdy využívajúce YBCO vodiče
Superconducting coils for AC currents using YBCO coated conductors
Program:	Multilaterálne – iné
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Polák Milan, DrSc.
Doba trvania:	30.9.2005 – 29.9.2008

AQDJJ – Sústavy (mriežky) kvantových bodov a Josephsonových spojov
Arrays of Quantum Dots and Josephson Junctions
Program:	European Science Foundation (ESF)
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Beňačka Štefan, CSc.
Web stránka projektu:	www.esf.org/esf_article.php?language=0&article=430&domain=1&activity=1
Doba trvania:	1.6.2004 – 30.6.2008

THIOX – Tenké vrstvy pre nové súčiastky na báze oxidov
Thin films for novel oxide devices
Program:	European Science Foundation (ESF)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Anotácia:	Príprava tenkovrstvových štruktúr pre elektronické súčiastky na báze oxidov
Web stránka projektu:	www.esf.org/esf_article.php?language=0&article=322&domain=1&activity=1
Doba trvania:	1.6.2003 – 30.6.2008

SUPER3C – Kábel z páskového vodiča so supravodivým pokrytím
Superconducting coated conductor cable
Program:	6RP
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Anotácia:	Vytvorenie konzorcia excelentných pracovísk pre výrobu dvoch najkritickejších káblových komponentov, ktorými sú vysokoteplotná páska a kryogénne zariadenie. Úlohou ElÚ SAV je spolupráca na elektromagnetickom dizajne, výroba krátkych modelov a ich experimentálne testovanie.
Doba trvania:	1.6.2004 – 31.5.2008

TEPGAN – Elektro-tepelný prevodník monoliticky integrovaný s AlGaN/GaN založenými HEMT-SAW chemickými senzormi
Electro-thermal converter monolithically integrated with AlGaN/GaN based HEMT-SAW chemical sensors
Program:	Medzivládna dohoda
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Lalinský Tibor, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2006 – 31.1.2008

SAGAN – Monoliticky integrované HEMT-SAW chemické senzory založené na piezoelektrickom materiálovom systéme AlGaN/GaN
Monolithically integrated HEMT-SAW chemical sensors based on AlGaN/GaN piezoelectric material system
Program:	Medzivládna dohoda
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Lalinský Tibor, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2006 – 31.1.2008

HIPERMAG – Nano a mikro technologické postupy pre výkonné MgB2 kompozitné supravodiče na veľké aplikácie
Nano – and micro – scale engineering of higher – performance MgB2 composite superconductors for macro – scale applications
Program:	6RP
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kováč Pavol, DrSc.
Anotácia:	Pomocou moderných nano a mikro technológii optimalizovať vlastností mnohováknitých MgB2 supravodičov tak, aby boli pripravené na priemyselnú produkciu a komercializáciu s cieľom nahradenia drahých héliom chladených supravodičov NbTi a Nb3Sn lacným MgB2 materiálom s kritickou teplotou okolo 40K s možnosťou chladenia kryochladičmi.
Web stránka projektu:	http://lt.tnw.utwente.nl/eu/HIPERMAG/hipermag.htm
Doba trvania:	1.9.2005 – 31.1.2008

Fotoelektrický jav na povrchovej bariére s kvantovými bodkami
Photoelectric phenomena on surface-barrier structure with quantum dots
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Osvald Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2005 – 31.12.2007

ACLMHTS – Meranie striedavých strát na vysokoteplotných supravodičoch
AC loses measurements on high temperature superconductors (EFDA)
Program:	6RP
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Anotácia:	Experimentálny výskum striedavých strát na krátkych vzorkách vodičov Bi-2212/Ag, MgB2/Cu-Fe a YBCO magnetizačnými metódami. Objasnenie pozorovaného správania a veľkosti striedavých strát. Formulovanie odporúčaní pre ďalší vývoj perspektívnych vodičov pre jadrovú fúziu.
Doba trvania:	1.1.2006 – 31.12.2007

MgB2 kompozitné supravodiče pre aplikácie kryogén-frí magnetov
MgB2 composite superconductors for cryogen-free magnets applications
Program:	Medziústavná dohoda
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kováč Pavol, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2005 – 31.12.2007

Pokročilé nanoštruktúry a materiály pre využitie v informačných a energetických technológiách. Štrukturálne aspekty
Advanced nanostructures and materials for applications in informations and energy Technologies. Structural and electrotechnical aspects
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2006 – 31.12.2007

Polovodičové detektory na diagnostiku horúcej plazmy
Semiconductor detectors for diagnostics of hot plasmas
Program:	Medzivládna dohoda
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Dubecký František, CSc.
Doba trvania:	1.1.2005 – 31.12.2007

–
Semiconductor detectors for diagnostics of hot plasma
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Dubecký František, CSc.
Doba trvania:	1.1.2005 – 31.12.2007

Tenké oxidové vrstvy pre využitie v nanoelektronike
Thin oxide films for nanoelectric applications
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2006 – 31.12.2007

Základný a aplikovaný výskum supravodivých štruktúr
Basic and applied investigations of superconducting devices
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Anotácia:
Doba trvania:	1.1.2005 – 31.12.2007

Dohoda o spolupráci v oblasti supravodivej elektroniky
Agreement about cooperation in the field of superconducting electronics
Program:	Medziústavná dohoda
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2004 – 31.12.2006

–
High-Tc Josephson junctions – fabrication methods and properties
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2004 – 31.12.2006

–
Investigation of metal-insulator-semiconductor structures of GAN for high-frequency and high-power devices
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2005 – 31.12.2006

Štúdium GaN heteroštruktúr (kov-izolant-polovodič)
Investigation of metal-insulator-semiconductor structures of GAN for high-frequency and high-power devices
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2005 – 31.12.2006

Technológia a vlastnosti MOS HFET tranzistorov na báze GaN s dielektrikami s vysokou konštantou
Technology and properties of GaN-based MOS HFET transistors with high-k dielectric
Program:	Medzivládna dohoda
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2005 – 31.12.2006

Tenké nanokompozitné vrstvy obsahujúce fulerénu podobnú štruktúru
Thin film nanocomposites containing fullern-like structures
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vávra Ivo, CSc.
Doba trvania:	1.1.2004 – 31.12.2006

Teoretické a experimentálne štúdium III-N štruktúr
Theoretical and experimental study of III-N structures
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Osvald Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2004 – 31.12.2006

Výskum transportných vlastností granulárnych vrstiev pozostávajúcich zo supravodivých nanočastíc v dielektrickej matrici
Study of the transport properties of granular films of superconducting nanograins dispersed in a dielectric matrix
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Lobotka Peter, CSc.
Doba trvania:	1.1.2004 – 31.12.2006

10 – Vysokoteplotné josephsonovské spoje-metódy prípravy a vlastnosti
High-Tc Josephson junctions-fabrication methods and properties
Program:	Medziústavná dohoda
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2004 – 31.12.2006

Monolitické rtg optické prvky s viacnásobnou následnou difrakciou
Monolithic X – ray optics with multiple successive diffraction
Program:	COST
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Korytár Dušan, CSc.
Anotácia:	Zvýšiť poznanie v oblasti interakcie rtg a neutrónového žiarenia s tuhými látkami a rozhraniam, vyvinúťmetódy prípravy a charakterizácie pre moderné optické prvky v tejto krátkovlnovej oblasti.
Doba trvania:	1.1.2002 – 30.9.2006

SCENET – 2 – Európska sieť pre supravodivosť
The European network for superconductivity
Program:	5RP
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Anotácia:	Vývoj kľúčových technológií pre distribučné energetické siete. Úlohou ElÚ SAV v rámci projektu je vývoj nízkostratových káblov založených na vysokoteplotných supravodičoch, validácia komponentov pre elektrické aplikácie.
Doba trvania:	1.4.2002 – 31.3.2006

ASTRA – –
Applied Superconductivity Training and Research Advanced Centre
Program:	5RP
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Anotácia:	Tematicky je zameraný na využitie supravodičov v elektrotechnike a energetike s dôrazom na podporu účasti mladých ľudí na výskumných aktivitách ústavu,zapojení do medzinárodnej spolupráce s partnermi z Holandska, Dánska, Veľkej Británie, Talianska a ďalších krajín.
Doba trvania:	1.1.2003 – 31.12.2005

–
Conductance of disordered mesoscopic conductor obtained from many-body calculation of electronic structures
Program:	6RP
Zodpovedný riešiteľ:	doc. RNDr. Moško Martin, DrSc.
Anotácia:	Vývoj mnohočasticového kvantovomechanického výpočtu elektrickej vodivosti extrémne malých elektronických súčiastok.
Doba trvania:	1.1.2005 – 31.12.2005

INVEST – –
Integration of very high-k dielectrics with silicon CMOS technology
Program:	5RP
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Anotácia:	Príprava tenkých dielektrických vrstiev s vysokou permitivitou pre využitie v kremíkovej CMOS technológii. ElÚ SAV bol zodpovedný za prípravu a charakterizácia MOS štruktúr obsahujúcich hradlové elektródy s vysokou výstupnou prácou na báze vodivých oxidov Ru a kovového Ru.
Doba trvania:	1.1.2001 – 31.12.2005

Príprava tenkých vrstiev nanášaním z chemických roztokov
Preparation of barriers, electrodes and oxide films for microelectronics
Program:	COST
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Anotácia:	Príprava tenkých vrstiev oxidov nanášaním z chemických roztokov a skúmanie ich vlastnosti
Doba trvania:	1.3.2001 – 1.9.2005

VGFGAPLED – Gálium fosfidové substráty pripravené metódou VGF pre použitie na prípravu luminiscenčných diód
New gallium phosphide grown by vertical gradient freeze method for light emitting diodes
Program:	6RP
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Anotácia:	Cieľom projektu bolo vyvinúť technológiu prípravy polovodičových GaP substrátov pomocou metódy VGF. Základný európsky rozmer projektu bol určený skutočnosťou, že napriek obrovskému svetovému boomu v oblasti luminiscenčných diód s vysokou svietivosťou, sa substráty na ich výrobu dovážajú z JaponskaÚloha ElÚ SAV je skoncentrovaná do dvoch balíkov-workpackagov.:1. overenie kvality finalizácie substrátov GaP, v podstate ide o zistenie, či ide o kvalitu "epi-ready", ak nie navrhnúť zmany v technológii finalizácie a následne epitaxnými rastami v aparatúre MOCVD overiť ich účinnosť2. návrh a vývoj techniky epitaxného rastu p aj n vrstiev GaP resp. vývoj quaternárneho polovodičového tuhého roztoku InGaAsP vhodného pre použitie v luminiscenčných diódach s vysokou svietivosťou
Doba trvania:	1.2.2002 – 1.8.2005

–
Metal-oxide thin film heterostructures on tilted-axes substrates
Program:	5RP
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Beňačka Štefan, CSc.
Anotácia:	Zistiť možnosti prípravy slaboviazaných supravodivých spojov, vrátane intrinzických efektov Josephsona, na substrátoch (NdGaO3) s odklonenou kryštalografickou osou voči kolmici k substrátu. Využitie tenkých vrstiev vysokoteplotných supravodiča YBa2Cu3Ox.
Doba trvania:	1.7.2002 – 30.6.2005

ASDAM – –
Advanced Semiconductor Devices and Microsystems – ASDAM \’04
Program:	6RP
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Osvald Jozef, DrSc.
Anotácia:	Cieľom projektu bolo zhromaždiť vedúcich expertov z krajín EÚ, pridružených štátov EÚ zaujímajúcich sa a pracujúcich v oblati polovodičových súčiastok a mikrosystémov. Konferencia ASDAM 04 bola venovaná najnovším výsledkom výskumu v oblasti nanosúčiastok a mikrosystémov. Predpokladalo sa, že konferencia bude mať priaznivý vplyv na úroveň výmeny informácií a poznatkov z uvedenej oblasti medzi účastníkmi z členských štátov EÚ a účastníkmi z pridružených štátovEÚ. Multidisciplinárny charakter podujatia bol dobrou príležitosťou pre výskumníkov vymeniť si skúsenosti aj s kolegami pracujúcimi v príbuzných oblastiach.
Doba trvania:	1.4.2004 – 1.5.2005

Nanoštrukturované materiály
–
Program:	COST
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Lobotka Peter, CSc.
Anotácia:	Pripraviť a skúmať štruktúru a elektrické vlastnosti nanogranulárnych materiálov kov/izolant.
Doba trvania:	0.0.0000 – 31.12.2004

Q-Secrets – –
Quality monitoring of superconductors for the production of efficient compact and reliable energy transmission systems
Program:	5RP
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Anotácia:	Projekt je zameraný na vývoj meracích a testovacích metodík umožňujúcich sledovanie kvality a spoľahlivosti supravodivých pások a z nich vyrobených jednotiek rozvodnej elektrickej siete – káblov a transformátorov.
Doba trvania:	1.7.2000 – 1.10.2003

MULTIMETOX – –
Metal oxide multilayers obtained by cost-effective new CVD technologies for magnetoelectronic microsystems and nanotechnologies
Program:	5RP
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Anotácia:	Koordinované aktivity koncentrovať na prípravu a výskum vysokokvalitných epitaxných vrstiev získaných inovačnými technikami (CVD). Získať nové magnetoelektronické zariadenia z tenkých heteroštruktúr. Organizovať semináre s dôrazom na výchovu mladých vedeckých pracovníkov.
Doba trvania:	1.3.2000 – 28.2.2003

–
Optimising powder-in-tube tapes in MRI systems as ice-breaker for HTS socio-economic benefits
Program:	5RP
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kováč Pavol, DrSc.
Anotácia:	Projekt je zameraný na optimalizáciu technológie Bi-2223/Ag supravodivých pások pripravených metódou ”powder-in-tube”. Vyvinuté pásky budú použité vo vinutí supravodivého magnetu v MRI systéme pre tomografiu na medicínske účely firmou Oxford Magnet Technology.
Doba trvania:	1.1.2000 – 31.12.2002

Národné

TECHAPHO – Ternárne chalkogenidové perovskity pre fotovoltaiku
Ternary chalcogenide perovskites for photovoltaics
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Anotácia:	Cieľom navrhnutého projektu je príprava ternárnych chalkogenidov perovskitovej štruktúry a systematickácharakterizácia vzťahu medzi zložením, štruktúrou, optickými vlastnosťami, tepelnou a chemickou stabilitou s potenciálnym využitím vo fotovoltaike, príp. iných optoelektronických aplikáciách. Výsledkom bude pripravená skupina čistých ternárnych chalkogenidov vo forme kryštalických materiálov, tenkých filmov so známymi ako aj po prvýkrát pripravenými chemickými zloženiami a komplexná charakterizácia ich optických, elektronických vlastností, ako aj tepelnej a chemickej stability. Ternárne chalkogenidy budú takisto pripravené aj mokrou cestou do 350 °C v podobe nanokryštálov, ktoré budú charakterizované z hľadiska ich štruktúry a morfológie. Pripravený bude aj prototyp solárneho článku, ktorý doteraz nebol nikdy pripravený, po testoch výkonnosti bude prebiehať jeho optimalizácia.
Doba trvania:	1.7.2024 – 30.6.2028

CERBERUS – Farebné centrá v diamante – korelácia medzi atómovou štruktúrou a optoelektronickými vlastnosťami
Colour centres in diamond – correlation between atomic structure and opto-electronic properties
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Varga Marian, PhD.
Anotácia:	Predmetom projektu je oblasť kvantových technológií. Pripravíme a charakterizujeme opticky aktívne defekty vdiamantoch a korelujeme atómové štruktúry s optickými vlastnosťami využiteľnými pre kvantové aplikácie. Preširoký rozsah koncentrácií dopantov identifikujeme distribúciu dopantov a pomocou mikroskopie s atomárnymrozlíšením a spektroskopických techník budeme pozorovať vývoj jednotlivých konfigurácií atómov dopantu počastepelného žíhania. Ďalej budeme študovať vplyv žíhania na optoelektronické vlastnosti meraním fotoluminiscencie,fotoprúdu a elektroluminiscencie pre rovnakú sadu vzoriek. Pre meranie fototransportu budú pripravené priehľadnégrafénové elektródy na diamantovom povrchu. Pre meranie elektroluminiscencie budú pripravené hybridné p-i-ndiódy na báze diamantu. Zameriame sa na hľadanie korelácie medzi atomárnou štruktúrou a optoelektronickýmivlastnosťami rôzne dopovaných diamantov. To prispeje k pochopeniu fundamentálneho vzťahu potrebného naefektívne navrhovanie opticky aktívnych prvkov pre diamantové kvantové zariadenia.
Doba trvania:	1.9.2024 – 31.12.2027

PEROVCHIR – Vplyv aplikácie organických molekúl na vlastnosti perovskitovských tenkovrstvových štruktúr
Effect of the application of organic molecules on the properties of perovskite thin-film structures
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Španková Marianna, PhD
Anotácia:	Za posledné roky sa nahromadilo dosť experimentálnych dôkazov, že adsorbované organické chirálne molekulymajú vplyv na supravodivé vlastnosti YBa2Cu3O7-x (YBCO) vrstiev. V niektorých prípadoch je možné pozorovať nárast ich kritickej teploty Tc. Na druhej strane sa ukazuje, že v prípade feromagnetických vrstiev (napr. kobaltu) aplikácia chirálnych molekúl môže viesť k zmene magnetizácii bez použitia elektrického prúdu. Dôležitú úlohu tu hrá spin, ktorý uvádza do systému ďalší stupeň voľnosti a dáva tak možnosť zariadeniam napríklad znížiť elektrickú spotrebu alebo navýšiť ich výpočtovú kapacitu. Spintronické zariadenia sa tak stali lákadlom v elektronike, avšak problémy spojené s ovládaním spinu sú obrovskou výzvou. Unikátnym spôsobom určitej manipulácie so spinom je efekt nazývaný chirálne indukovaná spinová selektivita (CISS), ktorý je výsledkom osobitnej štruktúry organických chirálnych molekúl. Projekt sa sústredí na prípravu a charakterizáciu jednoduchých heteroštruktúr a ich interakciu s chirálnymi polymérmi nanesenými na povrch vrstviev. Konkrétne sa jedná o vplyv chirálnej kyseliny mliečnej na perovskitovské tenké vrstvy, kde vybrané perovskity sú vysokoteplotný supravodič YBCO a feromagnet La1 – xSrxMnO3 (LSMO).
Doba trvania:	1.7.2024 – 31.12.2027

ROTOLES – Optimalizovaný rast a transportné a optické vlastnosti tenkých vrstiev vybraných topologických polokovov
Optimised growth and the transport and optical properties of thin layers of selected topological semimetals
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Dr. rer. nat. Hulman Martin
Anotácia:	Jedným zo zásadných výsledkoch kvantovej mechaniky v dvadsiatych rokoch 20. storočia bolo odvodenierelativistické rovníc pre hmotné fermióny (Dirac), nehmotné fermióny (Weyl) a fermióny ktoré sami sebe antičastice(Majorana). Od tých čias prebieha v časticovej fyzike pátranie po časticiach, ktoré by reprezentovali Weylove aMajoranove fermióny. Ich hľadanie však dodnes nebolo úspešné.V priebehu posledných dvadsiatich rokov sa ukázalo, že pásová štruktúra niektorých tuhých látok má tak špeciálnecharakteristiky, že nosiče náboja sa v nich môže správať podľa dynamiky spĺňajúcej Diracovu alebo Weylovurelativistickú rovnicu. Medzi takéto látky patria a materiály zo skupiny dichalkogenidov prechodových kovov, naktoré sa sústredíme v našom projekte.My budeme pracovať s veľmi tenkými vrstvami vybraných materiálov z tejto skupiny, ako sú PtSe2, MoTe2 aWTe2. Prvým krokom v implementácii projektu bude príprava takýchto vrstiev metódou chalkogenizácie tenkýchfilmov prechodových kovov. Tenké vrstvy budeme potom skúmať pomocou meraní ich transportných a optickýchvlastností. Teplotne závislé merania transportu nám môžu ukázať prechody medzi rôznymi štruktúrami toho istéhomateriálu. Očakávame, že sa bude dať pozorovať prechod kov-izolant v prípade, keď sa bude meniť hrúbkatakýchto tenkých vrstiev. Pri veľmi nízkych teplotách môžu niektoré z týchto materiálov prejsť do supravodivéhostavu. Tento stav sa pokúsime vyvolať aj proximitne, t.j. keď je tenká vrstva v kontakte s iným supravodičom.Optické merania budú korelované s transportnými meraniami. Z nich odvodíme dôležité optické charakteristiky,ako je napríklad frekvenčná závislosť optickej vodivosti. Vo frekvenčnej závislosti optickej vodivosti budeme hľadaťcharakteristiky teoreticky predpovedané pre Diracove a Weylove fermióny.
Doba trvania:	1.7.2024 – 30.6.2027

PIRADUNEW – Perspektívne detektory ionizujúceho žiarenia pre nepokryté energetické okno neutrónov
Perspective ionizing radiation detectors for the uncovered neutron energy window
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Zaťko Bohumír, PhD
Anotácia:	Predmetom predkladaného projektu je optimalizácia a príprava polovodičových detekčných štruktúr na báze 4HSiC a polykryštalického diamantu vhodných pre detekciu neutrónov. V rámci projektu budú pripravované a skúmané single detektory najmä pre energie neutrónov od 100 keV do niekoľkých MeV. V tejto oblasti energií je vsúčasnosti málo citlivých neutrónových detektorov. Výhody SiC a polykryštalického diamantu sú vysoká radiačná a teplotná odolnosť štruktúr. Dôležitá je aj vysoká spektrometrická schopnosť SiC detektorov hlavne pri detekcii neutrónov s energiami pod 1 MeV. Polykryštalický diamant je cenovo dostupnejší oproti SiC a naše prvé predbežné výsledky ukazujú jeho sľubné detekčné vlastnosti najmä pri detekcii ionizujúcich častíc. Ďalšou výhodou obidvoch typov polovodičov je nízka citlivosť pre gama žiarenie, ktoré je takmer vždy prítomné v prípade, že pri jadrovej reakcii dochádza k vzniku neutrónov. Toto gama žiarenie zvyšuje pozadie a zhoršuje citlivosť v súčasnosti využívaných detektorov. Ďalej budú pripravované a skúmané aj pixelové senzory pre vyčítavací čip Timepix/Medipix. Prototypy radiačnej kamery budú testované a kalibrované pomocou zdroja monoenergetických neutrónov.
Doba trvania:	1.7.2023 – 30.6.2027

InN: prielom v elektronike tuhej fázy
InN: Breaking the Limits of Solid-State Electronics
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Anotácia:	Projekt InBreak nadväzuje na pôvodný horizontový projekt NANOMAT. Cieľom NANOMATu je inaugurovať a založiť novú doménu „Flexibilnej (konformnej) výkonovej RF nanoelektroniky“ prostredníctvom ambicióznej inovatívnej heterogénnej technologickej platformy zahŕňajúcej elektroniku na organickej báze a chladiče, polovodičové monolitické mikrovlnné integrované obvody so širokým pásmovým rozdielom (MMIC), rádiofrekvenčné mikroelektromechanické akčné členy (RF MEMS) a akustické senzory.V projekte InBreak bude InN ako jedinečný polovodičový materiál rásť ako plne namáhaný kanál na navrhnutej prispôsobenej vyrovnávacej vrstve InAlN s polaritou N. Očakávame koherentný rast a teoreticky predpovedaný výkon HEMT InN kanála. V projekte bude teda konvenčný GaN buffer nahradený uvoľneným InAlN s In molárnou frakciou 0,7-0,9. Očakávame, že tento prístup v kombinácii s tenkou GaN medzivrstvou medzi InAlN bariérou a InN kanálom povedie k vynikajúcemu zadržaniu 2-rozmerného elektrónového plynu (2DEG) s vysokou hustotou v epi-štruktúrach. Splnenie projektu umožní dosiahnutie podstatne vyšších pracovných frekvencií s potenciálom prechodu na technológiu 6G v (sub)THz pásme.
Doba trvania:	1.11.2023 – 30.6.2026

Memristívna senzorika pre post-digitálnu elektroniku
Memristive sensorics for post-digital electronics
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	Dehghan Mohammad
Anotácia:	„In-sensor computing“ je novou paradigmou pre elektroniku 21. storočia, inšpirovanou prírodou. V dnešnej elektronike je pre ďalšie spracovanie potrebné všetky zašumené, neštruktúrované dáta zo senzorov najprv digitalizovať. Toto bude čoskoro problém vzhľadom na exponenciálny nárast počtu senzorov a nimi produkovaným dát, ako v spotrebiteľskej elektronike ako sú samojazdiace vozidlá, tak aj v priemysle v rámci Industrie 4.0. Na druhej strane, v systémoch inšpirovaných prírodou nie sú senzory a spracovanie oddelené, naopak, senzorické uzly priamo tvoria synaptické spojenia hardvérovej neurónovej siete, kde vonkajšie senzorické stimuly priamo ovplyvňujú maticu synaptických váh. Toto umožňuje do siete zakódovať jednoduché algoritmy pre spracovanie signálov do rozumných výstupov v reálnom čase. V tejto téze sa študent naučí a porozumie ako postaviť takýto prototypový „smart“ senzorový systém od základov, a to depozíciou, tvarovaním a skladaním ultra-tenkých (~nm) kovových a oxidových filmov do jednoduchých senzorov a memristorov, s následným usporiadaním týchto súčiastiek do funkčných senzorických matíc neurónovej siete na čipe. Študent získa expertízu v nano-fabrikačných metódach s dôrazom na depozíciu po atomárnych vrstvách (ALD), metódach materiálových a elektrických analýz, a návrhu hardvérových neurónových sietí na báze nových súčiastok. Téza je súčasťou širšieho projektu a študent bude súčasťou nášho výskumného tímu. Hľadáme kreatívneho a nadšeného tímového hráča, predchádzajúca skúsenosť v príbuzných oblastiach je plusom.
Doba trvania:	1.9.2023 – 30.6.2026

Nanoelsen – Nanoštrukturované tenkovrstvové materiály vyznačujúce sa slabými väzbovými interakciami pre elektronické a senzorické aplikácie
Nanostructured thin-film materials characterized by weak binding interactions for electronic and sensoric applications
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Gregušová Dagmar, DrSc.
Anotácia:	Predkladaný projekt je zameraný na základný výskum procesov prípravy a vlastností polovodivých sulfidovprechodových kovov ako Mo, W a Ni a vybraných kombinácii s ich oxidmi vo forme zmiešaných sulfidov a oxidov,ako aj o možnostiach ich dopovania vzácnymi kovmi (Pt, Au) pre použitie v senzoroch plynovako aj v superkondenzátoroch. Zároveň predpokladáme plné využitie polovodičových mikroelektronických amikromechanických techník a mikro/nanotechnológií, čo významnou mierou môže pomôcť ku kvalitatívnezlepšeným detekčným vlastnostiam, nízkej prevádzkovej spotrebe elektrickej energie senzorov na detekciu plynovako aj k zvýšenej energetickej účinnosti a doby života superkondenzátorov.
Doba trvania:	1.7.2022 – 30.6.2026

Perspektívne detektory ionizujúceho žiarenia pre vysoko-energetické
Perspective ionizing radiation detectors for high-energy particles
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Zaťko Bohumír, PhD
Anotácia:	Cieľom projektu je obstaranie výskumnej infraštruktúry, ktorá bude využitá počas implementácie projektu APVV-22-0382 a na realizáciu ďalšieho nezávislého výskumu a vývoja vykonávaného organizáciou.
Doba trvania:	1.7.2024 – 30.6.2026

Pokročilé nízkotrecie povlaky na báze ultratenkých 2D-TMDC pre extrémne podmienky
Lubrication challenge for ultra-thin advanced 2D-TMDC in extreme conditions
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Kozak Andrii, PhD.
Anotácia:	Trenie, adhézia a opotrebovanie sú významne ovplyvnené nielen chemickými a fyzikálnymi vlastnosťami predmetov v relatívnom pohybe, ale aj ich tvarom, rozmermi interagujúcej plochy a prostredím. Zmenšenie pohybujúcich sa objektov na nanoškálu spôsobuje, že povrchové sily začnú dominovať tribologickému správaniu a možno pozorovať výskyt ďalších mechanizmov disipácie energie, ktoré môžu byť rozhodujúce pre životnosť a spoľahlivosť systémov.Na druhej strane, prostredie spôsobuje rôzne účinky na klzné rozhranie, čo podporuje štrukturálnu superlubricitu alebo opačné extrémne vysoké trenie spôsobené atómovými interakciami. Cieľom tohto projektu je vývoj nízkotrecích povlakov využiteľných pre pokročilé aplikácie na nano- a makroúrovni. Budeme pripravovať ultratenké povlaky na báze 2D dichalkogenidov prechodových kovov (PtSe2, MoSe2) s cieľom študovania ich štruktúrnych zmien počas trenia na vzduchu a vo vákuu ako aj zvýšenej teplote. Procesy trenia a opotrebenia povrchu 2D materiálov a ich rozhraní budeme systematicky analyzovať na nano- aj makroškále.Získané poznatky využijeme na vývoj nových ultratenkých nízkotrecích povlakov pre rôzne kovové substráty na báze 2D materiálov využiteľných vo vákuu.
Doba trvania:	1.7.2024 – 30.6.2026

Transit2D – Tranzistory na báze 2D kovových chalkogenidov pripravených teplom podporovanou konverziou
Transistors based on 2D Metal Chalcogenides Grown via Thermally Assisted Conversion
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Ťapajna Milan, PhD.
Anotácia:	2D materiály majú schopnosť vytvárať atomárne tenké vrstvy s mimoriadnymi vlastnosťami. Jednou znajsľubnejších skupín 2D materiálov sú dichalkogenidy prechodných kovov (TMD). Zmena typu energetickejmedzery z nepriamej na priamu pri stenčovaní na monoatomárnu vrstvu vedie k jedinečným elektrickým a optickýmvlastnostiam 2D TMD. Ďalšou zaujímavou skupinou 2D materiálov sú chalkogenidy post-prechodných kovov(PTMC). Tieto materiály majú širokú energetickú medzeru a v závislosti od štruktúry materiálu vykazujúanizotropné elektrické a optické vlastnosti. Cieľom tohto projektu je príprava poľom riadených tranzistorov sizolovaným hradlom (MOSFET) a ultra-tenkou kanálovou vrstvou na báze vybraných TMD a PTMC a podrobnéštudovanie ich transportných vlastností. Zameriame sa na veľkoplošné niekoľkovrstvové PtSe2 a GaS/GaSe vrstvyrastené teplom asistovanou konverziou, teda sulfurizáciou a selenizáciou. Na základe existujúcich skúsenostíbudeme optimalizovať štruktúrne a elektrické vlastnosti horizontálne-orientovaných PtSe2 vrstiev pripravenýchselenizáciou s cieľom dosiahnutia pohyblivosti nosičov náboja porovnateľnej s najkvalitnejšími vrstvamipripravenými mechanickou exfoliáciou. Následne budeme vyvíjať a optimalizovať procesnú technológia MOSFETsúčiastok využívajúca architektúru hornej aj spodnej hradlovej elektródy. Na rast hradlových oxidov budú použitéetablované metódy rastu po atomárnych vrstvách a chemickej depozície z pár organokovových zlúčenín (MOCVD).2D vrstvy GaS/GaSe budeme pripravovať pomocou chalkogenizácie ultratenkých vrstiev Ga2O3 rastenýchmetódou MOCVD. Po vývoji a optimalizácii rastu 2D GaS/GaSe sa zameriame na vývoj MOSFET súčiastok.Okrem elektrických vlastností budeme skúmať aj optické vlastnosti pripravených 2D materiálov.
Doba trvania:	1.7.2022 – 30.6.2026

Veľkoplošná výroba a charakterizácia 2D materiálov
Large-scale production and characterization of 2D materials
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr.Phil. Ahmad Faizan
Anotácia:	Dvojrozmerné (2D) materiály, vrátane dichalkogenidov prechodných kovov (TMD), ako je disulfid molybdénu (MoS2) alebo diselenid platiny (PtSe2), sú jednými zo sľubných materiálov a vstupnou bránou do moderných technológií a optoelektroniky. V súčasnosti existuje veľa výskumov, ktoré študujú výrobu TMD materiálov chemickou depozíciou z pár plynov (CVD), vďaka čomu je použitie týchto 2D materiálov na elektronickom trhu realizovateľné. Použitie alternatívnych metód, ako je pulzná laserová depozícia (PLD), otvára ďalšie možnosti v tejto oblasti a môže poskytnúť porovnávacie výsledky na objasnenie optimalizácie rastu. CVD a PLD systémy dostupné na ElÚ SAV budú použité na štúdium základného aspektu rastu a vlastností TMD materiálov. Pre výskumné aktivity sa optimalizované TMD vrstvy zvyčajne rastú na štandardných substrátoch o veľkosti 1×1 cm2. Z technologického hľadiska je však veľkou výzvou rozšírenie výrobného procesu. Mnohokrát depozičné podmienky (teplota, prietok plynu, tlak, výkon atď.) používané na prípravu vzoriek malých rozmerov nemusia dobre fungovať aj vo väčšom merítku. Z tohto pohľadu, štúdium a optimalizácia veľkorozmernej (4-palcovej) prípravy vrstiev budú novou kapitolou v tejto zaujímavej oblasti výskumu 2D materiálov. Dizertačná práca bude zameraná najmä na vývoj technologických postupov pre prípravu presne definovaných, homogénnych a reprodukovateľných TMD vrstiev na veľkých plochách v novo-inštalovanej dvojzónovej peci. Okrem toho sa predpokladá aj komplexná charakterizácia povrchových a objemových vlastností (vrátane morfologických, chemických, optických a optoelektronických vlastností) pripravených 2D materiálov.
Doba trvania:	1.9.2023 – 30.6.2026

SUPENKA – Supravodivé energetické káble
Superconducting energy cables
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Anotácia:	Projekt SUPENKA nadväzuje na horizontový projekt SCARLET, ktorého cieľom je vyvinúť supravodivý kábel pre stredné napätie jednosmerného prúdu na úrovni 25- 50 kV, čo má za následok odstránenie konvertorovej platformy (okolo 10 000 ton materiálu). Takéto riešenie sa dá výhodne použiť napríklad pri prenose z farmy veterných turbín, kde možno priamo získať jednosmerný prúd v konštrukcii turbíny na jednosmernej úrovni stredného napätia (25 až 100 kV).Navrhovaný projekt SUPENKA má za cieľ podrobnejšie rozvinúť niektoré aspekty problematiky, riešenej v projekte SCARLET.Vo vedeckej oblasti sú to dva hlavné ciele:• C1: Vypracovanie metodiky pre zahrnutie nehomogenity supravodivých vlastností do analýzy stability prenosu prúdu supravodivým káblom• C2: Overenie možností chladenia supravodivých káblov netradičnými chladiacimi médiami Základné overenie metodiky na krátkych vzorkách už prebehlo, preto sa štartovacia úroveň projektu SUPENKA pohybuje v rozsahu TRL 3-4, a zámerom je dosiahnuť úroveň TRL 5.Projekt SUPENKA prispeje k plneniu ambicióznych klimatických cieľov pracovného programu EK „Udržateľné, bezpečné a konkurencieschopné dodávky energie“ zameraného na transformáciu energetického systému a preklopenie dodávky energie smerom ku klimatickej neutralite v rámci dvoch oblastí vplyvu:• Vedúce postavenie európskeho priemyslu v kľúčových a nových technológiách, ktoré pracujú pre ľudí• Cenovo dostupná a čistá energia.
Doba trvania:	1.4.2024 – 31.3.2026

Kritické aspekty rastu polovodičových štruktúr pre novú generáciu III-N súčiastok
Critical aspects of the growth for a new generation of III-N devices
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Anotácia:	Gálium nitrid (GaN) a jemu podobné zlúčeniny sú predmetom intenzívneho skúmania pre novú generáciuvysoko-frekvenčných tranzistorov, výkonovej elektroniky a post-CMOS logických obvodov. Flexibilita v tejtooblasti je daná miešateľnosťou GaN materiálu s In a Al, čím sa otvára široké spektrum polovodičov s možnosťounastavenia energetickej medzere od 0.65 eV do 6.2 eV a nespočetné kombinácie pre návrh hetero-štruktúr. Základom nášho projektu bude zvládnutie a štúdium epitaxného rastu unikátnych materiálovych konceptovtechnikou chemickej depozície z kovovo-organických pár. Predmetom výskumu budú i/tranzistory s N-polárnymInN kanálom, ii/ MOS kontakty na heteroštruktúrach s N-polaritou, iii/ tranzistory s dierovou vodivosťou, ako ajiv/vertikálne štruktúr na GaN substráte. Súčasťou projektu budú charakterizačné aktivity, predovšetkýmvyšetrovanie transportu elektrónov v N-polárnom InN, v MOS štruktúrach, 2-rozmerného dierového plynu ako ajprechodových javov v C-dotovaných vertikálnych tranzistoroch.
Doba trvania:	1.1.2022 – 31.12.2025

Modifikácia vlastností supravodivých, feromagnetických oxidových vrstiev a štruktúr pre modernú elektroniku
Modification of properties of superconducting, ferromagnetic, oxide films and structures for advanced electronics
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Španková Marianna, PhD
Anotácia:	Predmetom projektu je príprava a štúdium oxidových – feromagnetických, a dielektrických perovskitovských tenkých vrstiev a štruktúr mikro a nanorozmerov ako aj vybraných aktuálnych supravodivých vrstiev. YBa2Cu3Ox (YBCO) a La0.67Sr0.33MnO3 (LSMO) mikropásky budú vystavené pôsobeniu rôznych typov dlhých organických molekúl s cieľom študovať ich vplyv na zmenu supravodivých a feromagnetických vlastností. V náväznosti na výsledky predchádzajúceho Vega projektu budeme pokračovať v štúdiu štruktúr supravodič S/feromagnetikum F a S/F/S, pričom sa zameriame na vytváranie magnetických nehomogenít s cieľom zvýšiť tripletnú zložku supravodivosti a objasniť vzájomnú interakciu tesne naviazaných S a F perovskitovských vrstiev (proximitný efekt). V rámci projektu preskúmame možnosť supravodivého správania dvojdimenzionálneho systému MoS2 naneseného pulznou laserovou depozíciou.
Doba trvania:	1.1.2022 – 31.12.2025

Rast a optická charakterizácia 2D materiálov: MoTe2, WTe2, PtTe2
Growth and optical characterization of 2D materials: MoTe2, WTe2, PtTe2
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Pribusová Slušná Lenka, PhD.
Anotácia:	Výskum v oblasti tenko-vrstvových materiálov zaznamenal značný vzostup najmä od objavu grafénu, kedy sa začala skúmať široká škála 2D materiálov. Dôležitou skupinou 2D materiálov sú dichalkogenidy prechodových prvkov (TMD), medzi ktoré patrí aj MoTe2, WTe2 a PtTe2. Tieto materiály majú unikátne opto-eletronické vlastnosti, ktoré sa menia, nie len na základe hrúbky vrstvy, ale aj kryštálovej štruktúry. Elektrické vlastnosti sa menia v závislosti na kryštálovej štruktúry od polovodivých až po kovové. Príprava filmov telurizáciou molybdénu, wolfrámu a platiny je náročnejšia ako v prípade sulfurizácie alebo selenizácie, kvôli slabším redoxným vlastnostiam telúru. Výzvou v problematike tenkých filmov je kontrolovaná príprava požadovanej kryštálovej štruktúry homogénnychveľkoplošných vrstiev (1x1cm). Cieľom projektu je prispieť k riešeniu prípravy týchto materiálov, charakterizovaťich štruktúru a orientáciu filmov vzhľadom na podložku, stanoviť optické parametre a elektrické vlastnosti.
Doba trvania:	1.1.2023 – 31.12.2025

Supravodivé spoje pre MgB2 vinutia v perzistentnom móde
Superconducting joints of MgB2 wires for windings in persistent mode
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kováč Pavol, DrSc.
Anotácia:	Podstatou projektu je pripraviť a optimalizovať supravodivé spojenia kompozitných MgB2 drôtov vyrobených práškovou metódou „PIT“ alebo metódou infiltrácie horčíka do bóru „IMD“ použiteľných pre vinutia v „perzistentnom móde“ t.j. spojených nakrátko. Hlavný dôraz bude kladený na supravodivé spoje pre vinutia žíhané až po navinutí tzv. „wind and react“ postupom, ale budú vyvíjané aj spoje pre vinutia z už zreagovaného MgB2 supravodiča „react and wind“ proces. Vlastnosti pripravených supravodivých MgB2 spojov rôznej geometrie a architektúry budú podrobené takému tepelnému spracovaniu, aby sa ich kritické prúdy v magnetickom poli 5T pohybovali okolo 50% hodnoty prúdu použitého referenčného MgB2 drôtu.
Doba trvania:	1.1.2022 – 31.12.2025

Ultratenké homogénne povrchové vrstvy na štruktúrach komplexnej morfológie pre vylepšenie výkonu batérii využitím depozície po atómových vrstvách
Ultra-thin conformal surface coatings of complex-morphology structures for improving battery performance using atomic layer deposition
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Hudec Boris, PhD.
Anotácia:	Projekt je zameraný na vývoj a optimalizáciu metódy 3D depozície homogénnych ultra-tenkých vrstiev pomocouALD (depozícia po atómových vrstvách, atomic layer deposition) na štruktúry s komplexnou morfológiou, aku súmikro-porózne vrstvy a prášky. Metóda bude následne aplikovaná v príprave novej generácie experimentálnychLi batérii za účelom pasivácie a modifikácie mikro-poróznych povrchov katódových vrstiev. Efekt homogenityultra-tenkých ALD vrstiev na nano-škále bude systematicky skúmaný koreláciou analýz elektrónovej mikroskopies elektrochemickými meraniami pripravených batérii. Ďalším krokom bude modifikácia povrchov diskrétnychkovových a keramických mikro-častíc a práškov za účelom ich následného využitia v technológii prípravy nových keramických a kovových materiálov a nových materiálov pre elektródy experimentálnych batérii.
Doba trvania:	1.1.2022 – 31.12.2025

Moderné elektronické súčiastky na báze ultraširokopásmového polovodiča Ga2O3 pre budúce vysokonapäťové aplikácie
Modern electronic devices based on ultrawide bandgap semiconducting Ga2O3 for future high-voltage applications
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Gucmann Filip, PhD.
Anotácia:	Polovodičové súčiastky založené na širokopásmových polovodičoch predstavujú jednu z kľúčových technológií vo vývoji vysoko výkonových a vysoko frekvenčných systémov pre konverziu elektrickej energie a elekomunikácie vďaka vyšším dosahovaným prierazným elektrickým poliam, v niektorých prípadoch aj vyššej pohyblivosti elektrónov a možnosti tvoriť heteroštruktúry a 2D elektrónový plyn. GaN a SiC ako dva typické príklady profitujú aj z dostatočnej tepelnej vodivosti, čo ich súčiastkám umožňuje účinnejší odvod stratového tepla a zvýšenú spoľahlivosť. Významne etablujúcou sa skupinou materiálov sú tzv. ultraširokopásmové polovodiče (Eg>3.4eV, t.j. viac ako GaN a SiC), pretože umožňujú dosahovať značné vylepšenia parametrov elektronických súčiastok pre narábanie s vysokými napätiami a výkonmi. Veľmi sľubným a v súčasnosti podrobne študovaným polovodičom je oxid gália (Ga2O3) – očakávaný základný materiál pre usmerňujúce diódy so Schottkyho kontaktom a elektrickým poľom riadené tranzistory pre úroveň napätí v kV rozsahu. Vďačí za to pomerne jednoduchej syntéze, škálovateľnosti, dostupnosti prirodzených substrátov a širokému rozsahu dotácie n-typu. Hlavným cieľom predkladaného projektu je pokročilý materiálový výskum a vývoj technológie epitaxného rastu vrstiev α, β a ε fáz Ga2O3 a technologickej prípravy elektronických súčiastok z nich pre budúce vy soko napäťové (výkonové) aplikácie. Ga2O3 epitaxné vrstvy budú rastené chemickou depozíciou z pár organokovov ich vstrekovaných v tekutej fáze na zafírových, a pre vyššiu tepelnú vodivosť, aj SiC podložkách. Zameriame sa aj na prípravu unipolárnych Schottkyho diód, poľom riadených tranzistorov, ako aj PN diód kombinujúcich n-typ Ga2O3 a ďalší, prirodzene p-typ oxid (napr. NiO, In2O3, CuO2). Vykonáme hĺbkovú štruktúrnu, elektrickú, optickú a tepelnú charakterizáciu pripravených vrstiev a súčiastok, ktorej výsledkom bude množstvo originálnych výsledkov.
Doba trvania:	1.7.2021 – 30.6.2025

NanoMemb-RF – Moderné nanomembránové heteroštruktúry na báze GaAs pre vysoko produktívne vysokofrekvenčné prvky
Advanced GaAs-based nanomembrane heterostructures for highperformance RF devices
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Gregušová Dagmar, DrSc.
Anotácia:	Hlavným cieľom navrhovaného projektu je rozšírenie znalostí a zvládnutie technológie prípravy pokročilýchnanomembránových heteroprechodových prvkov na báze AlGaAs/GaAs pre vysoko produktívnevysokofrekvenčné aplikácie. Nedostatočné odstraňovanie zvyškového tepla v elektronických prvkoch spôsobenéJouleovými stratami vedúce k prehrievaniu a rýchlemu zlyhávaniu týchto prvkov často vyžaduje využitiecudzorodých, vysoko tepelovodivých substrátov. V protiklade ku hlavnému smeru výskumu elektronických prvkovna báze GaN pripravovaných priamo na samonosných zafírových alebo SiC substrátoch, navrhované prvky nabáze GaAs budú zostavené na samonosných heteroštruktúrnych nanomembránach prenesených na rôznecudzorodé substráty. Je to veľmi aktuálny, originálny a vhodný prístup na rozšírenie využitia potenciálu prvkov na báze materiálu GaAs, ako to už bolo preukázané našími pôvodnými výsledkami.
Doba trvania:	1.7.2022 – 30.6.2025

TREND – Optimalizácia okrúhleho kábla z vysokoteplotného supravodiča pre pulzné magnetické polia
Optimization of round high-temperature supercnoducting cable for pulse magnetic field
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Anotácia:	Projekt je zameraný na optimalizáciu kábla vyrobeného z vysokoteplotných supravodivých pások navinutých najadre v tvare rúrky s možnosťou chladenia kábla pomocou prietoku chladiaceho média jeho stredom. Účelomoptimalizácie je podstatné zníženie striedavých strát, ktoré sa dosiahne prostredníctvom troch modifikácií kábla.Prvou je redukcia šírky použitej 4 mm supravodivej pásky na 1 mm s krokom min. 0,2 mm, pričom daná variabilita všírke pásky by mala umožniť prípravu káblov s optimálnym vrstvením a vyššej flexibility. Druhou modifikáciou jedodatočné zúženie šírky supravodiča vytvorením plytkých rýh tzv. striations v supravodivej vrstve pozdĺž pásky suž optimalizovanou šírkou. Oba procesy si vyžadujú vývoj vhodného spôsobu delenia a ryhovania supravodivýchpások s minimálnym vplyvom na mechanické, štruktúrne a elektrické vlastnosti pások. Treťou úpravou je inováciacentrálnej rúrky, na ktorú sa kladú nároky výrazne zníženej elektrickej vodivosti. Modifikované supravodivé pásky akáble pripravené z nich budú charakterizované z hľadiska mechanických a elektromagnetických vlastností. Väčšinaexperimentov bude mať podporu počítačového modelovania.
Doba trvania:	1.7.2021 – 30.6.2025

PEGANEL – p-GaN elektronika pre úsporu energie a post-CMOS obvody
p-GaN electronics for energy savings and beyond-CMOS circuits
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Anotácia:	III-N polovodiče sú pravdepodobne najuniverzálnejšou a najperspektívnejšou rodinou polovodičov, skladajúcej sa zumelých zliatin GaN, AlN a InN. V návrhu projektu popisujeme nové technologické postupy s dostatočnouvoľnosťou pre riešenie hlavných problémov III-N post-CMOS éry: prítomnosť parazitného n-kanála v tranzistorochspolu s p-kanálom, ako aj nízka koncentrácia a pohyblivosť dierového plynu. Podobne, hodláme demonštrovaťškálovateľné prahové napätie v obohacovacích p-dotovaných výkonových tranzistoroch, ktoré sú žiadanépriemyslom pre efektívne, energiu šetriace prevodníky. V týchto aspektoch naše laboratória už demonštrovali veľmisľubné výsledky, ktoré dokazujú kompetentnosť dosiahnúť vytýčené ciele. V prípade úspešného naplnenia,výsledky projektu budú predstavovať značný krok vpred nie len z medzinárodného hľadiska, ale budú aj v plnomsúlade s RIS3 SK (perspektívne oblasti špecializácie slovenskej ekonomiky), konkrétne v oblasti polovodičov pre emobilitu automobilového priemyslu ako aj v informačných a komunikačných vedách.
Doba trvania:	1.7.2022 – 30.6.2025

GRaDe – Rastové a radiačné mechanizmy v diamantových hybridních detektoroch
Growth and Radiation Mechanisms in Diamond Hybrid Detectorsd Radiation Mechanisms in Diamond Hybrid Detectors
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Zaťko Bohumír, PhD
Doba trvania:	1.7.2022 – 30.6.2025

Štipendiá pre excelentných výskumníkov ohrozených vojnovým konfliktom na Ukrajine
Scholarships for excellent researchers threatened by the war conflict in Ukraine
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Kalmykova Tetiana, PhD.
Doba trvania:	1.4.2022 – 31.3.2025

Elektronické a optoelektronické súčiastky na báze ultra-širokopásmového Ga2O3 polovodiča
Electronic and optoelectronic devices based on ultra-wide bandgap Ga2O3 semiconductor
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Ťapajna Milan, PhD.
Anotácia:	V ostatnom období sa intenzívne skúmajú možnosti využitia ultra-širokopásmových polovodičov pre prípravuvýkonových elektronických súčiastok pracujúcich v oblasti jednotiek až desiatok kV a taktiež UVC fotodetektorov.Projekt je zameraný na výskum rastu epitaxných vrstiev a elektronických ako aj optoelektronických súčiastok nabáze Ga2O3. Na základe predbežných výsledkov sa zameriame na výskum rastu romboedrickej fázy Ga2O3 snajvyššou šírkou energetickej medzery. Epitaxné vrstvy budú pripravované pomocou chemickej depozície z párorganokovových zlúčenín vstrekovaním prekurzorov v kvapalnej fáze. Vrstvy budú využívané na prípravu avýskum elektronických súčiastok so zameraním na Schottkyho diódy a spínacie MOSFET tranzistory. Budemeskúmať transportné a tepelné vlastnosti vyvinutých súčiastok, parazitné efekty a mechanizmy prierazov ako ajelektro-optické vlastnosti p-n heteropriechodov pre UV fotodetektory. Zameriame sa aj na výskum možnostízlepšenia tepelného manažmentu pripravených tranzistorov.
Doba trvania:	1.1.2021 – 31.12.2024

Fotonické laboratórium na čipe: výskum a vývoj platformy plazmonického senzora pre okamžitú detekciu zložiek v roztokoch
Photonic Lab-on-a-Chip: investigation and development of plasmonic sensor platform for immediate detection of composites in solutions
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.7.2021 – 31.12.2024

Nanooptické sondy a senzory integrované na optickom vlákne
Nano-optical probes and sensors integrated on optical fiber
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.8.2021 – 31.12.2024

Príprava a vlastnosti supravodivých a magnetických oxidových vrstiev pre moderné elektronické aplikácie
Preparation and properties of superconducting and magnetic oxide films for modern electronic applications
Program:	Vedecko-technické projekty
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2023 – 31.12.2024

Príprava, charakterizácia a dopovanie ultratenkých vrstiev dichalkogenidov prechodných kovov
Fabrication, characterization, and doping of ultra-thin layers of transition metal dichalcogenides
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Sojková Michaela, PhD.
Anotácia:	Vďaka neobvyklým fyzikálnym vlastnostiam sú dvojrozmerné materiály intenzívne študované už niekoľko rokov.Zaujímavou skupinou z tejto triedy materiálov sú dichalkogenidy prechodných kovov (TMD). Majú hexagonálnuštruktúru, v ktorej sú jednotlivé vrstvy navzájom viazané len slabými Van der Waalsovými väzbami. Tospôsobuje výrazne anizotrópne vlastnosti týchto materiálov a má podstatný vplyv na ich elektronickú štruktúru.Preto niektoré z nich vykazujú fyzikálne zaujímavé korelované stavy (supravodivosť, vlny nábojovej hustoty).Primárnym cieľom tohto projektu je príprava a štúdium vlastností tenkých vrstiev dvoch rôznych TMD materiálov– MoS2 a PtSe2, a sledovanie vplyvu dopovania katiónmi lítia a sodíka na elektrické a štruktúrne vlastnostitýchto vrstiev. Sekundárnym cieľom projektu je optimalizácia rastu a dopovania tak, aby zlepšené parametretenkých vrstiev, ako sú napr. elektrická vodivosť a mobilita nosičov náboja, umožnili prípravu funkčnýchelektronických prvkov – tranzistorov.
Doba trvania:	1.1.2021 – 31.12.2024

Štúdium dynamiky magnetického víru pre využitie v súčiastkach
Study of magnetic vortex dynamics for device applications
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Šoltýs Ján, PhD
Anotácia:	V projekte sa zameriame na teoretické a experimentálne skúmanie magnetických vírov. Cieľom je ich využitieako nosiča informácií v ultra rýchlych a energeticky efektívnych zariadeniach. Podstatou takejto pamäte jepoužitie dvoch možných polarít jadra víru ako magnetického bitu, ktorý je možné ľahko čítať a zapisovaťpomocou dynamického premagnetovania. Budeme hľadať optimálny tvar magn. 3D objektu, tak aby jeho polaritabola ľahko ovládateľná slabým magn. poľom orientovaním v rovine objektu. V druhej časti projektu navrhneme apripravíme systém usporiadaných magnetických nanoelementov, ktorý bude možné nastaviť do stavu vírumagnetickým poľom orientovaním v rovine nanoelementov. Takáto sústava usporiadaných nanolementov môžebyť považovaná ako samostatná bunka magnonického kryštálu. Bunka môže byť periodicky usporiadaná dokonečného 2D poľa interagujúcich mag. objektov na pozorovanie jednosmerných spinových vĺn. Naše skúmaniebude dôležitým krokom k prvej experimentálnej demonštrácii topologických magnónov.
Doba trvania:	1.1.2022 – 31.12.2024

Tepelná stabilizácia vysokoteplotných supravodivých pások pre použitie v obmedzovačoch skratových prúdov
Thermal stabilization of high-temperature superconducting tapes for fault current limiters
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Anotácia:	Pre zariadenia na obmedzovanie skratových prúdov vo vysokonapäťových sieťach je potrebné komerčnedostupné vysokoteplotné supravodivé pásky dodatočne tepelne stabilizovať. Predkladaný projekt je zameraný navyhotovenie tepelne stabilizačného povlaku z kompozitného materiálu (epoxidová živica s keramickým plnivom),ktorý bude plniť funkciu odvodu a absorpcie tepla generovaného v obmedzovanom režime. Skúmať sa budúrôzne materiály pre tepelnú stabilizáciu, s dôrazom na ich tepelno-fyzikálne a mechanické vlastnosti, ako ajodolnosť voči tepelným šokom. Bude preskúmaná aj možnosť zlepšenia mechanických vlastností dodatočnýmspevnením tepelnej stabilizácie. Efektivita tepelnej stabilizácie bude stanovená na supravodivých páskach odrôznych výrobcov prostredníctvom experimentov obmedzovania skratového prúdu. Experimentálne výsledkybudú doplnené numerickým modelovaním.
Doba trvania:	1.1.2021 – 31.12.2024

Topologicky netriviálne magnetické a supravodivé nanoštruktúry
Topologically nontrivial magnetic and superconducting nanostructures
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Šoltýs Ján, PhD
Doba trvania:	1.7.2021 – 31.12.2024

Výskum a vývoj kontaktov pre nové materiály a súčiastky
Contact engineering for advanced materials and devices
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Gregušová Dagmar, DrSc.
Anotácia:	Intenzívny výskum kontaktu kovu a polovodiča sa uskutočňuje už dlhý čas. Zaujímavé typy transportu náboja, nové materiály a súčiastky a nové mechanizmy vytvárania kontaktov si však vyžadujú nový pohľad a výskum.Naším cieľom je určiť procesy a fyzikálne javy, ktoré stoja za metalizačnými schémami pre tranzistory pracujúcev obohacovacom režime, s dierovou vodivosťou a vysokou pohyblivosťou na báze InAlN, ako to predpokladá nášnávrh súčiastky. InAlN s vysokou molárnou frakciou InN bude dotovaný Mg a bude potrebné optimalizovať kontakty.Nové dichalkogenidové (TMDCs) materiály z prechodových kovov sú pre aplikácie v súčiastkách veľmi sľubné.Metalizačné schémy pre TMDC sú však veľmi náročné. TMDC vykazujú rôzne šírky zakázaného pásu vzávislosti od ich hrúbky. Naším cieľom je študovať metalizačné schémy pre TMDC, ich topológiu a vysvetliťrozdiely medzi exfoliovanými a narastenými vziorkami a rozdiely medzi rôznymi typmi tranzistorov v korelácii sich základnými fyzikálnymi vlastnosťami.
Doba trvania:	1.1.2021 – 31.12.2024

SAV-AV ČR – Výskum a vývoj pokročilého QCM-FET duálneho senzora reaktivovaného na báze diamantových vrstiev pre detekciu plynov a biomolekúl
Research and development of advanced for defiction of gases and biomolecules
Program:	Iné projekty
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Izsák Tibor, PhD.
Doba trvania:	1.1.2023 – 31.12.2024

Heteroštruktúry TMD/diamant: Príprava, charakterizácia a aplikácia
TMD/diamond heterostructures: Fabrication, characterization and applications
Program:	MoRePro
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Varga Marian, PhD.
Doba trvania:	1.8.2020 – 31.7.2024

Dlhodosahový jav blízkosti v supravodič/feromagnet heteroštruktúrach
Long-range proximity effect in superconductor / ferromagnet heterostructures
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Doba trvania:	1.7.2020 – 31.12.2023

Nízkostratový supravodivý kábel typu CORC z REBCO vodičov
Low-loss superconducting CORC-like cable from REBCO conductors
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Seiler Eugen, PhD
Anotácia:	Cieľom projektu je návrh konštrukcie supravodivého kábla typu CORC s výrazne zníženými striedavými stratami.Projekt je zameraný na identifikáciu kľúčových parametrov v návrhu kábla, na konštrukciu modelových káblov aich experimentálnu charakterizáciu. Výskum bude prebiehať v dvoch základných smeroch: skúmanie možnostíoptimalizácie geometrie a uloženia jednotlivých REBCO pások v kábli CORC typu a skúmanie možného využitiamateriálov s nízkou vodivosťou pre centrálne jadro kábla. Optimalizácia geometrickej konfigurácie kábla budevychádzať z výsledkov numerických simulácií založených na metóde konečných prvkov a na metóde minimálnejprodukcie elektromagnetickej entropie. V rámci experimentálnej časti budú zhotovené sady krátkych modelovkáblov typu CORC, testujúce rôzne geometrické konfigurácie a rôzne materiály centrálneho jadra. Skúmanébudú najmä striedavé straty modelových káblov, základné transportné parametre a degradácia supravodivýchpások v dôsledku mechanického namáhania v procese káblovania.
Doba trvania:	1.1.2021 – 31.12.2023

Transport magnetických skyrmiónov v antidot mriežkach: Efekt teploty a kombinácie rôznych transportných mechanizmov
Transport of magnetic skyrmions in antidot lattices: Effect of temperature and combination of transport mechanisms
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Feilhauer Juraj, PhD.
Doba trvania:	1.1.2021 – 31.12.2023

Vlastnosti tepelného transportu v budúcich perspektívnych polovodičových materiáloch a rozhraniach
Thermal transport properties of perspective future semiconductor materials and interfaces
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Gucmann Filip, PhD.
Doba trvania:	1.1.2022 – 31.12.2023

Vysokoodolné polovodičové senzory ionizujúceho žiarenia pre využitie v radiačnom prostredí
Radiation resistant semiconductor sensors for utilization in harsh environment
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Zaťko Bohumír, PhD
Anotácia:	Detektory ionizujúceho žiarenia sú dôležitou zložkou mnohých oblastí vedy a techniky. Predmetom predkladaného projektu je výskum rôznych polovodičových detekčných štruktúr na báze Si, GaAs,CdTe a 4H-SiC ako detektorov ionizujúceho žiarenia, kde sa najmä širokopásmový 4H-SiC polovodič ukazuje ako vysokoodolný materiál vhodný pre dlhodobú prácu v sťaženom radiačnom prostredí. To záhŕňa optimalizáciu pripravených senzorov z hľadiska ich použitia, teda aký typ žiarenia a tok je potrebné detegovať. Taktiež pasivácia a púzdrenie je veľmi dôležité pre zabezpečenie dlhej životnosti pripravených senzorov. Budú robené aj simulácie detekčných vlastností štruktúr s cieľom optimalizácie hrúbky a rozmerov kontaktov a pasivácie. Detekčné struktúry budú charakterizované elektrickými (I-V, C-V merania) a spektrometrickými meraniami pomocou štandardných rádionuklidových zdrojov. Taktiež bude skúmaná odolnosť ich činnosti v sťaženom prostredí (zvýšená teplota, ionizačné prostredie).
Doba trvania:	1.1.2020 – 31.12.2023

Vysokovýkonná zakrivená röntgenová optika pripravená pokročilou technológiou nanoobrábania
High-performance curved X-ray optics prepared by advanced nanomachining technology
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Zápražný Zdenko, PhD.
Anotácia:	Projekt je zameraný na výskum a vývoj nových typov röntgenovej (rtg) optiky s vysoko presnými zakrivenýmiaktívnymi povrchmi. Povrchy budú pripravované inovatívnou technológiou nanoobrábania. Preskúmameaplikáciu technológie nanoobrábania na špeciálny prípad rtg optiky so zakrivenými povrchmi, ktorým jeparabolická refrakčná šošovka pracujúca v geometrii na prechod rtg žiarenia. Druhý špeciálny prípad, na ktorýsa zameriame, budú tenké kryštálové monochromátory s rôznymi hrúbkami v intervale 20-2000 mikrometrov.Takéto prvky je možné použiť napríklad ako deliče lúčov pre moderné rtg zdroje typu "X-ray free-electron laser",ohnuté kryštály v Johanssonovych monochromátoroch pre spektroskopické aplikácie alebo v časticovýchurýchľovačoch pre riadenie lúčov. Vyvinuté prvky zakrivenej rtg optiky budú testované v reálnych experimentochrtg metrológie a rtg zobrazovania s využitím laboratórnych alebo synchrotrónových rtg zdrojov a vysoko citlivýchpriamo konvertujúcich rtg detektorov Pilatus a Medipix.
Doba trvania:	1.1.2021 – 31.12.2023

Vývoj medzivrstiev karbidu kremíka a nitridu hliníka pre pn heteroštruktúry oxidu gália a bórom dopovaných nanodiamantov
Development of silicon carbide and aluminum nitride interlayers for pn heterostructure based on gallium oxide and boron-doped nanodiamonds
Program:	DoktoGrant
Zodpovedný riešiteľ:	MSc. Keshtar Javad
Doba trvania:	1.1.2023 – 31.12.2023

Zberač energie na báze mikrostĺpikovitých štruktúr
Energy Harvesting Device Based on Micropillar Structures
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vanko Gabriel, PhD.
Doba trvania:	1.1.2022 – 31.12.2023

Zlepšenie kryštalickej kvality β-Ga2O3 rasteného na SiC substrátoch pomocou LI-MOCVD metódy
Improvement of crystal quality of β-Ga2O3 grown on SiC using LI-MOCVD method
Program:	DoktoGrant
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Hrubišák Fedor
Doba trvania:	1.1.2023 – 31.12.2023

Nová technológia prípravy senzorov, detektorov a memristorov pre inteligentnú mikroelektroniku v 21. storočí
New technology for the preparation of sensors, detectors and memristors for intelligent microelectronics in the 21st century
Program:	Európsky fond regionálneho rozvoja (EFRR)
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Cambel Vladimír, DrSc.
Anotácia:	Projekt Nová technológia prípravy senzorov, detektorov a memristorov pre inteligentnú mikroelektroniku v 21. storočí predstavuje nový prístup k technológiiprípravy týchto mikroelektronických súčiastok. Cieľom je výskum procesu výroby senzorov, detektorov a memristorov prostredníctvom novej inovatívnejtechnológie ALD využívajúcej kontrolovaný lokálny rast hradlových, izolačných a pasivačných oxidových vrstiev metódou depozície po atomárnych vrstvách(atomic layer deposition, ALD).
Doba trvania:	1.3.2022 – 30.9.2023

Fototlač atomárnych vrstiev
Photo-Atomic Layer Printing
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Hudec Boris, PhD.
Anotácia:	Cieľom projektu je podpora prípravy a podania projektového zámeru do výziev Programu Horizont Európa: Photo-Atomic Layer Printing.
Doba trvania:	1.1.2023 – 31.7.2023

CEMEA – Vybudovanie centra pre využitie pokročilých materiálov SAV
Building a centre for advanced material application SAS
Program:	Štrukturálne fondy EÚ Výskum a inovácie
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Ťapajna Milan, PhD.
Anotácia:	Predkladaný projekt je komplementárny k projektu v rámci programu H2020 WIDESPREAD-1-2014-Teaming – Building-up Centre of Excellence for advancedmaterials application CEMEA, No. 664337, ktorý získal Seal of excellence a odporúčanie pre národné financovanie. Miesto realizácie projektu je Bratislavský kraj.Cieľom projektu je etablovať v SAV organizáciu Centrum pre využitie pokročilých materiálov SAV, centrum špičkového nezávislého výskumu so zameraním namodifikáciu povrchov a rozhraní pre nové funkcionality štruktúr a prvkov v oblasti pokročilých (nano)materiálov, udržateľnej energie a biomedicíny. Ide o výskumnových nízkorozmerných (LD) nanomateriálov, nových kompozitov a vrstvových štruktúr so zlepšenými alebo novými vlastnosťami zaujímavými pre aplikácie.Výskumná téma pokrýva 6 oblastí výskumu – podaktivít projektu. Projekt podporuje okrem žiadateľa SAV, 7 výskumných inštitúcií (ElU SAV, FU SAV, UPo SAV,UMMS SAV, UACH SAV, BMC SAV a CEMEA SAV).
Doba trvania:	1.7.2019 – 30.6.2023

TMD2DCOR – Metalické 2D dichalkogenidy prechodných kovov: príprava, štúdium vlastností a korelované stavy
Fabrication, physics and correlated states in metallic 2D transition metal dichalcogenides
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Dr. rer. nat. Hulman Martin
Anotácia:	Objav grafénu v roku 2004 priniesol obrovský záujem vedcov pôsobiacich vo fyzike kondenzovaných látok ovýskum 2D materiálov. Aj keď tieto materiály majú dlhú históriu, ktorá sa začína už v dvadsiatych rokoch 20.storočia, v posledných rokoch došlo k zintenzívneniu výskumu týchto látok. Boli úspešne pripravené ultratenkévrstvy mnohých 2D materiálov so zaujímavými elektronickými vlastnosťami medzi ktoré určite patria silnokorelované elektronické stavy ako sú vlny nábojovej hustoty a supravodivosť. Jednou z najviac študovaných skupín2D materiálov sú dichalkogenidy prechodných kovov (TMD). TMD sa skladajú z hexagonálnych vrstiev, v ktorýchsú atómy prechodných kovov vložené medzi dve vrstvy atómov chalkogénu s celkovou stochiometriou MX2.V tomto projekte sa sústredíme na tie materiály z TMD skupiny, ktoré vykazujú silne korelované elektronické stavy,a to konkrétne: NbSe2, TiSe2, TaS2, TaSe2 a PtSe2. Cieľom projektu je pripraviť ultratenké vrstvy (≤ 10 nm) akryštalické vzorky a dôkladne ich charakterizovať z hľadiska ich hrúbky, kryštalinity, homogenity, optických aelektronických vlastností. Osobitná pozornosť sa bude venovať stavom vĺn nábojovej hustoty a supravodivosti vtýchto materiáloch, a tomu, ako vlastnosti týchto korelovaných stavov závisia od hrúbky vzorky, dopovania,parametrov rastu samotnej vrstvy, a aj ako tieto korelované stavy reagujú na vonkajšie elektrické a magneticképolia.Vedecký program projektu tiež obsahuje prípravu heteroštruktúr vytvorených z týchto materiálov, ako aj nahybridné systémy kombinujúce TMD s inými materiálmi. Výskum zahŕňa aj podrobnú charakterizáciu heteroštruktúrza účelom optimalizácie parametrov rastu.
Doba trvania:	1.7.2020 – 30.6.2023

Radiačne odolnejší senzor pre RTG zobrazovanie vyššej kvality
Radiation harder sensor for X-ray imaging of higher quality
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Zaťko Bohumír, PhD
Doba trvania:	1.7.2019 – 30.6.2023

Robustné spinové vlny pre budúce magnonické aplikácie
Robust spin waves for future magnonic applications
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Dr. Mruczkiewicz Michal
Anotácia:	V tomto projekte sa zameriame na teoretický a experimentálny výskum transportu spinových vĺn v nanoštruktúrach. Vďaka svojim výnimočným vlastnostiam, ako sú nízke energetické straty, sub-mikrometrová vlnová dĺžka a rekonfigurovatelnosť, je spinová vlna potenciálnym kandidátom ako nosič informácie v ultrarýchlych a energeticky efektívnych logických hradlách a pamätiach. Cieľom našeho výskumu budú špecifické systémy, použitelné ako nosiče robustných, jednosmerných a reprogramovateľných spinových vĺn. Výsledky našeho výskumu budú dôležité v oblasti magnetizmu a magnoniky.
Doba trvania:	1.7.2020 – 30.6.2023

Vysokoteplotná supravodivá cievka pre motory elektrických a hybridných lietadiel
High temperature superconducting coils in motors for electric and hybrid aircrafts
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Pardo Enric, PhD.
Anotácia:	Elektromotory s plne supravodivými vinutiami sa javia ako mimoriadneperspektívne z hľadiska požadovanejhustoty výkonu pre komerčné použitie v hybridných a elektrickýchlietadlách. Tie sú schopné dosiahnuť zníženieemisií CO2 v atmosfére o 75 % a emisií NOx o 90 %, čo je v súlade scieľmi ACARE Flightpath 2050 EurópskejÚnie. Supravodivé elektromotory však môžu prispieť tiež k ekologickejšeja čistejšej námornej, či riečnej lodnejdoprave. Aj napriek rozsiahlemu výskumu ostávajú do dnešných dní viaceréelektro-magnetické a elektro-tepelnévlastnosti supravodivých cievok v podmienkach využitia ako vinutímotorov do značnej miery neznáme, jednak zdôvodu chýbajúcich meraní v rozsahu požadovaných teplôt (medzi 20 – 40K), ako aj metód počítačových simuláciía výpočtov supravodivých motorov.Cieľom tohto projektu je získanie nových poznatkov z tejto oblasti avývoj metód numerického modelovaniaumožňujúcich návrh budúcich supravodivých motorov. Plánovaná práca máambíciu priniesť nové poznatky vnasledujúcich oblastiach, z ktorých každá predstavuje samostatný cieľ:• Merania striedavých strát cievok (približne 100 závitov) v podmienkachvlastného poľa pri teplotách 40 K alebonižších, na izolovaných ako aj na neizolovaných cievkach z REBCOsupravodivých vodičov. Výsledky týchtomeraní budú významným príspevkom sami osebe a budú tiež využité naoverenie numerických modelov.• Tepelná stabilita a ochrana pri náhlom prechode týchto typov cievokpri nízkych teplotách (40 K a nižších).Cieľom týchto meraní bude overenie elektro-tepelného modelu.• Vývoj vlastnej numerickej metódy pre elektro-magnetické aelektro-tepelné modelovanie plne supravodivýchelektrických motorov, dvojrozmernej (2D) ako aj trojrozmernej (3D).Výpočtový program bude plne paralelizovanýpre počítačové klastre. Výpočty budú overované porovnaním sexperimentálnymi výsledkami.• Modelovanie striedavých strát a demagnetizácie v skrížených poliach vizolovaných a neizolovaných cievkach
Doba trvania:	1.7.2020 – 30.6.2023

Optimalizácia rastu parametrov pre tenké vrstvy MoTe2
Oprimisation of growth parameters for MoTe2
Program:	DoktoGrant
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Vojteková Tatiana
Doba trvania:	1.1.2022 – 31.12.2022

Pokročilé mikromechanické nosníky zo širokopásmových polovodičových materiálov
Advanced Microcantilevers from Wide Bandgap Materials
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vanko Gabriel, PhD.
Doba trvania:	1.3.2020 – 31.12.2022

Výskum radiačne odolných polovodičových detektorov pre jadrovú energetiku
Research of radiation resistant semiconductor detector for nuclear energies
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Zaťko Bohumír, PhD
Doba trvania:	1.7.2019 – 31.12.2022

Vývoj UV senzora na báze GaN pre vesmírne aplikácie
GaN-based heterostructure as a promising UV sensor for space application
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Stoklas Roman, PhD.
Doba trvania:	1.1.2019 – 31.12.2022

Supravodivé vinutia z homogénnych MgB2 drôtov s trubičkovými vláknami
Superconducting coils made of uniform MgB2 wires with tubular filaments
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kováč Pavol, DrSc.
Anotácia:	Cieľom tohto projektu je vyvinúť proces infiltrácie/difúzie (IMD) pre dlhé a homogénne supravodivé drôty s trubicovými MgB2 vláknami majúcimi vysoké inžinierske prúdové hustoty merané v cievkach chladených tuhým dusíkom a pracujúcich v tzv. perzistentnom móde. Hlavným cieľom je zvýšiť tri krát inžiniersku prúdovú hustotu v dlhých IMD MgB2 drôtoch v porovnaní s komerčne vyrábanými metódou prášok-v-trubke (PIT) a to zvlášť v magnetických polí 1-5T a teplotách okolo 20K.
Doba trvania:	1.7.2019 – 30.11.2022

Časovo-rozlíšené štúdium rastu hybridných van der Waalsových heteroštruktúr
Real-time grow studies of hybrid van der Waals heterostructures
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Dr. rer. nat. Hulman Martin
Doba trvania:	1.8.2018 – 30.6.2022

Tribologické vlastnosti 2D materiálov a príbuzných nanokompozitov
Tribological properties of 2D materials and related nanocomposites
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Dr. rer. nat. Hulman Martin
Doba trvania:	1.8.2018 – 30.6.2022

Vertikálny GaN MOSFET pre výkonové spínacie aplikácie
Vertical GaN MOSFET for power switching applications
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Anotácia:	Jedným z najnaliehavejších problémov súčasnej spoločnosti je dostupnosť zdrojov energie, najmä s ohľadom na neustále sa zvyšujúce nároky na jej spotrebu. Jednou z ďalších možností úspory energie je zníženie strát vznikajúcich pri prevode do formy vhodnej pre daný spotrebič. Z hľadiska úspory elektrickej energie predstavuje zvýšenie efektivity prevodu elektrickej energie veľký potenciál. Podľa dostupných analýz, viac ako 10% elektrickej energie sa nenávratne stráca v podobe prevodových strát. Aj čiastkové využitie takejto rezervy môže mať veľký hospodársky význam. Prevodové straty vznikajú najmä pri úprave úrovní elektrického napätia vhodných pre konkrétny spotrebič alebo zariadenie. Ťažisko riešenia problematiky efektívnejšieho prevodu elektrickej energie teda spočíva v oblasti výkonovej elektroniky zahŕňajúcej AC/DC a DC/DC prevodníky pre spotrebnú a priemyselnú elektroniku. Razantnejšie zvýšenie efektivity prevodu poskytujú nové výkonové tranzistory na báze GaN-u, ktoré sú schopné pracovať pri podstatne vyšších frekvenciách s takmer trojnásobne nižšími spínacími stratami.Hlavný cieľ predkladaného projektu je výskum a vývoj vertikálneho GaN MOSFET tranzistora a získanie poznatkov o elektro-fyzikálnych vlastnostiach takýchto súčiastok. Jedná sa o „proof-of-concept“ vývoj; z hľadiska kvantitatívnych parametrov bude naším cieľom demonštrovať RON<2 mOhm/cm2 a VBD>600 V. Originálnou črtou navrhovaného konceptu je využitie semi-izolačnej (SI) kanálovej GaN vrstvy (namiesto p-oblastí), blokujúcou tok prúdu pri nulovom napätí na hradle. Na otvorenie tranzistora bude potrebné kladné hradlové napätie, ktoré vytvorí podmienky na injekciu voľných elektrónov z emitora pozdĺž okrajov SI-GaN oblasti. Koncept teda možno označiť za unipolárny tranzistor pracujúci v obohacovacom móde, pričom v driftovej oblasti sa zachováva možnosť využitia nedotovanej GaN vrstvy s extrémne nízkou koncentráciou dislokácií narastenou na priamo na GaN substráte.
Doba trvania:	1.7.2019 – 30.6.2022

Adaptácia algoritmu metadynamiky na problémy mikromagnetizmu
Application of the metadynamics algorithm to micromagnetism
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Tóbik Jaroslav, PhD.
Anotácia:	Objektom štúdia mikromagnetizmu sú javy, kde je možné použiť klasický model magnetizmu. Sú tojavy v mangnetických súčiastkach ako napríklad bit-patterned medium pre hard-disky, magneticképamäte, magnetické frekvenčné detektory, či bio a medicínske aplikácie. Parametricky sa aktívne častisúčiastok pohybujú na úrovni desiatok nanometrov až po mikrometre. Pracovná teplota vo väčšineprípadov je oblasť izbovej teploty. Používaným modelom opisu problémov v tejto oblasti je klasickáfyzika. Problémom výpočtu stability magnetického stavu v aplikáciách je časová škála, na ktorej sazmena typicky udeje. Magnetický stav v pmätiach je stabilný roky. Existujú rôzne efektívne algoritmyna hľadanie najnižších bariér prechodu medzi metastabilnými stavmi. Rozhodli sme sa implementovaťalgoritmus metadynamiky do mikromagnetických solverov na to, aby sme mohli efektívne hľadaťmagnetické stavy v súčiastkach a skúmať ich stabilitu.
Doba trvania:	1.1.2018 – 31.12.2021

Perovskitovské tenké vrstvy a štruktúry vhodné pre modern elektroniku a senzoriku
Perovskite thin films and structures for modern electronics and sensorics
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Španková Marianna, PhD
Anotácia:	Predmetom projektu je príprava a štúdium feromagnetických, supravodivých a dielektrických perovskitovskýchtenkých vrstiev (do 100 nm) a štruktúr mikro a nanorozmerov. Supravodivé mikropásky YBa2Cu3Ox budúožarované elektrónmi (30keV) s cieľom vytvoriť kanály ľahkého pohybu vírov. Ďalej sa zameriame na detailnéštúdium rozhrania podložka Si/dielektrická vrstva s využitím netradičných materiálov (SrO,TiN) s cieľom umožniťepitaxný rast oddeľovacích vrstiev nevyhnutných pre realizáciu bolometrov na báze La0.67Sr0.33MnO3 vrstievpracujúcich pri izbovej teplote (nechladené) v oblasti THz frekvencií. Pri vývoji nových typov bolometrovposúdime okrem dosiaľ študovaného materiálu Bi4Ti3O12 viacero typov iných oddeľovacích vrstiev. Budemepokračovať v štúdiu štruktúr supravodič S/feromagnetikum F a S/F/S s cieľom objasniť vzájomnú interakciutesne naviazaných S a F perovskitovských vrstiev (proximitný efekt).Z aplikačného hľadiska použitie pí-typu Josephsonovho spoja môže riešiť problematiku– kvantového bitu (qubit).
Doba trvania:	1.1.2018 – 31.12.2021

Pokročilé III-N súčiastky pre prenos informácie a energie
Advanced III-N devices for energy and information transfer
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Anotácia:	Nitrid gália (GaN) a jemu podobné polovodičové zlúčeniny bežne označované ako III-N majú oproti dnes už klasickým polovodičom výrazne flexibilnejšiu energetickú medzeru, vyššiu intenzitu prierazného elektrického poľa, veľkú mriežkovú spontánnu polarizáciu, vysokú tepelnú a radiačnú odolnosť, ale aj vysokú pohyblivosť elektrónov. Preto je snaha postupne vyvinúť III-N polovodičové prvky, predovšetkým tranzistory typu HFET ktoré majú potenciál postupne nahradiť prvky na báze Si, Si/SiGe, GaAs a InP pre mikrovlnné a výkonové aplikácie, spínače, spínacie zosilňovače, logické obvody ako aj obvody zmiešaných signálov. Následne, v tomto zmysle plánujeme vyvinúť a študovať HFET-y s InN kanálom pre ultra-rýchly prenos informácie, pokročilé GaN spínače pre konverziu energie, technológiu GaN obvodov zmiešaných signálov a GaN UV senzory pre kozmické aplikácie.
Doba trvania:	1.1.2018 – 31.12.2021

Pokrokový MgB2 supravodič bez difúznej bariéry
Advanced MgB2 superconductor without diffusion barrier
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kováč Pavol, DrSc.
Anotácia:	Podstatou projektu je pripraviť a optimalizovať spôsob prípravy supravodivého kompozitného drôtu (vlákna) metódou infiltrácie horčíka do bóru. Hlavný dôraz bude kladený na jednoduchosť prípravy (bez difúznej bariéry), ďalej dostupnosť a vhodnosť použitých obalových materiálov a ich elektromechanických vlastností. Vlastnosti supravodivého jadra MgB2 bude možné ovplyvniť technologickou prípravou, žíhacími podmienkami, ako aj možným dopovaním. Použiť možno napríklad uhlík a jeho zlúčeniny, alebo iný chemický prvok požadovaných vlastností a rozmerov, ktoré výrazne nepresahujú koherenčnú dĺžku a môžu tak pôsobiť ako centrum záchytu magnetického poľa. Výberom vhodných materiálov a technologických postupov sa bude sledovať vplyv na mikroštruktúru, mechanické vlastnosti a supravodivé vlastnosti: kritická prúdová hustota pri teplotách v rozsahu 4,2 – 20 K, kritická teplota, konektivita, straty v striedavom magnetickom poli. Úlohou projektu bude tiež skúmanie možností vytvárania supravodivých spojov
Doba trvania:	1.1.2020 – 31.12.2021

Rast a charakterizácia materiálu zo skupiny dichalkogenidov prechodových kovov: diselenid titánu
Growth and characterization of a material from the group of transition metal dichalcogenides: titanium diselenide
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Precner Marián, PhD.
Doba trvania:	1.1.2019 – 31.12.2021

Systematický výskum Ohmických kontaktov pre súčiastky na báze romboedrického oxidu gália (alfa-Ga2O3)
Systematic investigation of Ohmic contacts for devices based on rhombohedral gallium oxide (alfa-Ga2O3)
Program:	DoktoGrant
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Egyenes Fridrich, PhD.
Doba trvania:	1.1.2021 – 31.12.2021

Štúdium magnetických efektov na nanoúrovni
Study of magnetic effects at nanoscale
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Šoltýs Ján, PhD
Doba trvania:	1.1.2019 – 31.12.2021

Tenkovrstvové štruktúry pre využitie v energetike
Thin film structures for energy applications
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Anotácia:	Projekt je zameraný na výskum prípravy tenkovrstvových štruktúr pre využitie v energetike. V časti projektu sabudeme venovať príprave a výskumu vlastností transparentných vodivých elektród pre organické slnečné článkya organické svietiace diódy na báze tenkých vrstiev oxidov ako aj enkapsulácii týchto súčiastok. Ďalej sazameriame na prípravu a výskumu vlastností štruktúr kov-izolátor-polovodič vhodných ako fotoanódy pre rozkladvody vplyvom slnečného žiarenia. Ďalšia časť projektu bude venovaná výskumu prípravy tenkovrstvovýchelektród pre uskladnenie energie v batériách a príprave štruktúr pre superkapacitory. Tenké vrstvy v týchtosúčiastkach budú pripravené technológiou nanášania po atomárnych vrstvách a chemickým nanášaním z párorganokovových zlúčenín s využitím kvapalného zdroja. Pripravené štruktúry budú základom pre nové modernésúčiastky a zariadenia s využitím v energetike.
Doba trvania:	1.1.2018 – 31.12.2021

MAPKO – Magnetické plášte z kompozitov supravodič/feromagnetikum
Magnetic cloaks from superconductor/ferromagnet composites
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Anotácia:	Zhotovenie magnetického plášťa, umožňujúceho skryť predmety s magnetickými prejavmi pred magnetickým detektorom, poskytuje priestor na experimentálne skúmanie viacerých fundamentálnych problémov elektromagnetizmu a tiež na hľadanie nových riešení praktických problémov tienenia a formovania magnetických polí. Navrhovaný projekt je zameraný na vývoj metód návrhu a zhotovenia magnetických plášťov, ktoré by takéto skúmanie umožnili. Základnou charakteristikou, ktorú budeme sledovať, je magnetická neviditeľnosť, teda absencia magnetického prejavu plášťa alebo doňho vloženého „magnetického nákladu“ vo vonkajšom priestore. Teoretické predpovede, ako sa dá úplná neviditeľnosť dosiahnuť, predpokladajú také vlastnosti materiálov, ktoré sa v praxi nedajú dosiahnuť, a predpokladajú dokonalé a jednoduché tvary bez obmedzenia ich rozmerov. Preto dôležitou časťou projektu bude hľadania a testovanie nových numerických modelovacích metód, ktoré by tieto podstatné aspekty reálnych kompozitných objektov zahŕňali. Vďaka nim by sme chceli zhotoviť plášte, ktoré budú pre jednosmerné a striedavé polia s frekvenciami do 1000 Hz spĺňať podmienku neviditeľnosti na 99%. Z hľadiska možných aplikácií chceme náš výskum zamerať týmito smermi: a) Vytvorenie priestoru pre biologické experimenty s odtieneným poľom Zeme a umelých zdrojov prítomných v urbánnom prostredí. Priestor valcového tvaru s izbovou teplotou by mal umožňovať jednoduchú výmenu a manipuláciu s obsahom a jeho rozmery presahovať priemer 50 mm a výšku 150 mm. b) Návrh a zhotovenie plášťa pre magnetické pole na úrovni 0.1 T s objemom prevyšujúcim 1000 cm3, ktorý by mohol chrániť citlivú elektroniku alebo umožňoval napríklad zváranie jednosmerným elektrickým oblúkom v blízkosti elektrických strojov generujúcich takéto rozptylové pole. c) Skúmanie silového pôsobenia nehomogénneho magnetického poľa na magnetický plášť a možností magnetického pohonu pomocou regulácie magnetického momentu kompozitu supravodič/feromagnetikum.
Doba trvania:	1.7.2017 – 28.2.2021

2D materiály a iónové kvapaliny pre využitie v mikroelektronike a senzorike
2D materials and ionic liquids in microelectronics and sensors
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Sojková Michaela, PhD.
Anotácia:	Dvojrozmerné (2D) materiály a nanočastice sú veľmi aktuálnymi témami. Predkladaný projekt nadväzuje nadoteraz dosiahnuté výsledky pracovnej skupiny a je zameraný na tieto oblasti – príprava 2D materiálov ananočastíc (s využitím iónových kvapalín (IL)) a kombinácia týchto troch materiálov. Cieľom projektu je prípravaexperimentálnych súčiastok a materiálov pre senzoriku. V oblasti 2D materiálov sa sústredime na hľadanieoptimálnych podmienok pre rast tenkých vrstiev vybraných materiálov (napr. MoS2). V oblasti nanočastícbudeme pokračovať v príprave fazetovaných nanočastíc kovov a uhlíkových nanočastíc. Prvé z nich sa použijúna dekorovanie tenkých vrstiev 2D materiálov, čím sa vytvoria lokálne p-n priechody vhodné napr. pre senzoryplynov. Nanočastice uhlíka svetielkujú a tým sú vhodné pre fluorescenčnú mikroskopiu. IL využijeme jednak naprípravu nanočastíc vo vákuu a tiež na vytvorenie hradla pre riadenie elektrického transportu v 2D materiáloch.Tým vytvoríme nové elektronické súčiastky.
Doba trvania:	1.1.2017 – 31.12.2020

Fotonické nanoštruktúry pripravené laserovou 3D litografiou pre biosenzory
Photonic nanostructures prepared by 3D laser lithography for biosensing
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.7.2017 – 31.12.2020

Fyzikálne problémy štruktúr MISFET a MISHFET na báze III-V a III-N polovodičov
Physical problems of MISFET and MISHFET structures based on III-V and III-N semiconductors
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Osvald Jozef, DrSc.
Anotácia:	Projekt je orientovaný na fyzikálne problémy III-V a III- polovodičov. Ide o otázky, ktoré nie sú dostatočnefyzikálne objasnené, prípadne nie je známe ich technologické riešenie. Medzi tieto otázky patria v prvom radeotázky spojené s fyzikou a chémiou rozhrania polovodič – izolant, ktorého podstata rozhoduje o kvalite tohtorozhrania. S tým je priamo spojená otázka hustoty povrchových stavov a existencia, prípadne neexistenciazáchytu Fermiho hladiny na povrchu polovodiča.Pri III-V MISFET štruktúrach sa mienime venovať otázkam frekvenčnej disperzie kapacitných kriviek štruktúr. Súteórie, že v oblasti akumulácie je disperzia kapacita spôsobená nízkou hustotou elektrónových stavov naspodnom okraji vodivostného pásu a za kapacitný nárast v oblasti inverzie sú zodpovedné stavy v stredezakázaného pásu. Pokúsime sa tieto teórie overiť, prípadne ich na základe výsledkov modifikovať.
Doba trvania:	1.1.2017 – 31.12.2020

Magnetická interakcia supravodivých a feromagnetických vrstiev: modelovanie, charakterizácia a aplikácie
Magnetic interaction of superconducting and ferromagnetic layers: modelling, characterization and applications
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Seiler Eugen, PhD
Anotácia:	Projekt sa zaoberá skúmaním vzájomnej magnetickej interakcie supravodivých a feromagnetických vrstiev.Teoretické skúmanie je založené na numerických modeloch vychádzajúcich z metódy konečných prvkov a zmetódy minimálnej produkcie elektromagnetickej entropie. Projekt výrazne rozšíri možnosti numerickýchmodelovacích metód, čo umožní dostatočne presné modelovanie v reálnych geometriách.Experimentálne skúmanie vychádza z charakterizácie supravodivých a feromagnetických vrstiev a zcharakterizácie jednoduchých štruktúr supravodič-feromagnetikum, so zameraním na podmienky striedavéhopoľa. Ako supravodivé elementy budú použité najmä komerčné supravodivé pásky a ako feromagnetickéelementy najmä kompozity obsahujúce feritový prášok. Vyvinuté numerické modely budú v rámci projektuvyužité na návrh a konštrukciu vylepšených plášťov magnetickej neviditeľnosti pre tienenie striedavého poľa, akoaj na analýzu a optimalizáciu elektrických motorov so supravodivým vinutím.
Doba trvania:	1.1.2018 – 31.12.2020

Moderné nanoštruktúry pripravené sofistikovanou MOVPE technológiou
Advanced nanostructures prepared by sophisticated MOVPE technology
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Anotácia:	Projekt sa zaoberá výskumom moderných polovodičových nanoštruktúr pripravených technológiou MOVPE.Cieľom projektu je zdokonaliť technológiu prípravy nanoštruktúr v porovnaní s doteraz dosiahnutým stavom tak(technikou VLS), aby sme mohli pripraviť štruktúry s presne definovanými vlastnosťami určené na špičkovéaplikácie. Využijeme možnosti nového laboratória MOVPE, v ktorom bola spustená nová MOVPE aparatúra namateriálový systém na báze GaN a teda (i)môžeme pripravovať nanoštruktúry pripravené v systéme III-V a III-Na zvoliť materialový systém vhodnejší pre danú aplikáciu, (ii) sústredíme sa na získanie nových poznatkov ozmene rastových podmienok MOVPE s cieľom zmapovať rastový transfer od nanodrôtov k nanokužeľom, (iii)získame nové poznatky o depozícii kovových nanozŕn na povrch nanodrôtov a nanokúžeľov s cieľom zdokonalťich vlastnosti pre SERS experimenty.
Doba trvania:	1.1.2017 – 31.12.2020

MOSSLE – Modifikácia YBCO tenkovrstvových štruktúr nízkoenergetickými elektrónmi pre supravodivú elektroniku
Modification of YBCO thin film structures using low energy electron beam processing for superconducting electronics
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Anotácia:	Predložený projekt sa zaoberá štúdiom efektu ožiarenia YBCO mikropások nízkoenergetickými elektrónmi s cieľom vytvárať kanály ľahkého pohybu vírov. Detailná analýza bude zameraná hlavne na krehkú rovnováhu viacerých procesov zahrňujúcich ako kinetický (kick off) process, tepelnú aktiváciu kyslíka ale aj samotné usporiadanie Cu-O reťazcov dopadajúcimi elektrónmi. Štúdium týchto javov spolu s ich efektom na zavedenie umelého pinningu v exponovaných kanáloch, ktorý má vplyv na dynamiku vírov v kanáli povedie, okrem príspevku k základnému výskumu, tiež k realizácii funkčnej modelovej štruktúry pre aplikáciu v supravodivej elektronike.
Doba trvania:	1.7.2017 – 31.12.2020

Návrh a príprava spojov vysokoteplotných supravodivých pások bezolovnatými spájkami a charakterizácia ich vlastností
Design and preparation of high-temperature superconducting tapes joints using lead-free solders and characterization of their properties
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Anotácia:	Predkladaný projekt základného výskumu je zameraný na návrh a prípravu funkčných spojov vysokoteplotnýchsupravodivých pások vhodnými metódami spájania bezolovnatými spájkami na báze Sn, prípadne inýchnízkotaviteľných prvkov. Na prípravu spojov sa použije konvenčné a indukčné spájkovanie a optimalizačnýmimetódami budú určené vhodné parametre spájacích procesov. Vyhotovené spoje budú skúmané z hľadiskamikroštruktúry, elektrických a mechanických vlastností. Dosiahnuté výsledky bude možné aplikovať v praxi.Poznatky získané v projekte budú publikované v karentovaných časopisoch a prezentované na svetovýchvedeckých konferenciách.
Doba trvania:	1.1.2017 – 31.12.2020

Opracovanie povrchu polovodiča ako cesta k novým III-As a III-N elektronickým súčiastkám
Surface processing of semiconductors as the way towards new III-As and III-N electronic devices
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Gregušová Dagmar, DrSc.
Anotácia:	Povrch III-V polovodičov sa vyznačuje vysokou hustotou povrchových stavov, ktoré sú limitujúce v ichintenzívnom využití. Manipulácia s povrchom a snaha ovplyvniť ho sú široko skúmané vo vedeckej komunite.Cieľom je eliminovať záchytné centrá, zistiť operácie vedúce k ich pasivácii. Spolu s návrhom a realizáciouheteroštruktúr a povrchových technologických krokov pripravíme kvalitné poľom riadené kov-oxid-polovodičovétranzistory s vysokou pohyblivosťou náboja. Technologická manipulácia s povrchovými nábojovými stavmi vedieku vzniku nových typov súčiastok. Vzniká predpoklad k tvorbe integrovaných systémov z rôznych typovtranzistorov na jednej podložke. Poznať vlastnosti jednotlivých vrstiev heteroštruktúr vyžaduje zvládnuťtechnologicky oddelenie-separáciu jednotlivých vrstiev z domovského substrátu a jeho transport na cudziupodložku, aby bolo možné sledovať optickými metódami vlastnosti vrstiev. Jej zvládnutie bude viesť kheterointegrácii súčiastok a tvorbe neplanárnych polovodičových systémov.
Doba trvania:	1.1.2017 – 31.12.2020

Pokročilé monochromátory s pridanou funkcionalitou úpravy zväzku pre röntgenovú metrológiu a röntgenové zobrazovanie
Advanced monochromators with added functionality of the beam conditioning for X-ray metrology and X-ray imaging
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Zápražný Zdenko, PhD.
Doba trvania:	1.1.2018 – 31.12.2020

NanoSky – Skyrmióny vo feromagnetických nanoobjektoch
Skyrmions in ferromagnetic nanoobjects
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Cambel Vladimír, DrSc.
Anotácia:	V tomto projekte sa zameriame na numerické a experimentálne štúdium skyrmiónov vo feromagnetických nanoobjektoch. Skyrmióny boli zistené v štruktúrach s viacvrstvovou konfiguráciou, pričom väzba v dôsledku geometrie môže stabilitu skyrmiónu významne zvýšiť. Preto štruktúra nanoobjektu môže viesť k rekonfigurovateľným magnetickým elementom, ktorá sú teplotne stabilné. Avšak, kontrola a experimentálne vyšetrovanie takýchto štruktúr je výzvou. My sa budeme v projekte sústrediť na generovanie a rozvoj metód na identifikáciu a charakterizáciu skyrmiónových stavov. Takáto štúdia ukáže cestu na implementáciu skyrmiónov v magnetických súčiastkách založených na tvarovaných naonoobjektoch (jednotlivých alebo poliach).
Doba trvania:	1.7.2017 – 31.12.2020

Štúdium okrajových stavov a Landauových hladín v elektronickom umelom graféne
Edge states and Landau levels in electronic artificial graphene
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Feilhauer Juraj, PhD.
Doba trvania:	1.1.2018 – 31.12.2020

Pokročilé materiály a štruktúry pre perspektívne aplikácie v elektrotechnike, elektronike a iných oblastiach na báze feritov s rozmermi častíc v oblasti mikrometrov a nanometrov
Advanced materials and smart structures for progressive applications in electrical engineering, electronics and other fields based on micro- and nano-sized ferrite particles
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Soloviov Mykola, PhD.
Doba trvania:	1.7.2016 – 30.6.2020

2DMOSES – 2D materiály iné ako grafén: monovrstvy, heteroštruktúry a hybridné vrstvy
2D materials beyond graphene: monolayers, heterostructures and hybrids
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Dr. rer. nat. Hulman Martin
Anotácia:	Kvôli svojím neobvyklým fyzikálnym vlastnostiam sú dvojrozmerné (2D) materiály jednou z najviac skúmaných tried materiálov. Najlepším príkladom je grafén – jednoatomárna vrstva atómov uhlíka usporiadaných do dvojrozmernej (2D) hexagonálnej mriežky. Intenzívny výskum v posledných rokoch dokázal, že grafén má mimoriadne mechanické, tepelné a elektronické vlastnosti. Jeho objav stimuloval rozsiahly výskum aj iných 2D materiálov. Ukazuje sa, že je nielen možné získať stabilné dvojrozmerné materiály, ale že tieto majú tiež mimoriadne a jedinečné fyzikálne vlastnosti. Dvojrozmernosť systému má podstatný vplyv na elektronickú štruktúru materiálov, v ktorých sa potom dajú pozorovať aj niektoré význačné korelované stavy ako napr. supravodivosť a vlny nábojovej hustoty. Cieľom projektu je príprava ultratenkých (<10 nm) filmov a jednoatomárnych vrstiev materiálov zo skupiny dichalkogenidov prechodových kovov (TMD). Na prípravu týchto vrstiev budeme používať pulznú laserovú depozíciu a magnetrónové naprašovanie. Vrstvy budú dôkladne skúmané z hľadiska ich hrúbky, kryštalinity, homogenity, elektrických a optických vlastností. Po zvládnutí týchto krokov budeme pokračovať prípravou heteroštruktúr a hybridov – systémov, v ktorých sú vertikálne usporiadané tenké vrstvy rôznych TMD materiálov alebo sú TMD materiály kombinované s inými 2D štruktúrami. V našom prípade pôjde o hybridné štruktúry s grafénom a oxidom grafénu.
Doba trvania:	1.7.2016 – 31.12.2019

Detekcia ionizujúcich častíc s využitím senzorov na báze semiizolačného GaAs a 4H-SiC pre fyziku vysokých energií
Detection of ionizing particles using sensors base on semi-insulating GaAs and 4H-SiC for high energy physics
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Zaťko Bohumír, PhD
Anotácia:	Predmetom predkladaného projektu je výskum polovodičových detekčných štruktúr na báze GaAs a 4H-SiC ako detektorov iónov a rýchlych neutrónov, čo zahŕňa nasledovné činnosti: – štúdium technológie prípravy a optimalizácia detekčných štruktúr a prípadného zapúzdrenia z hľadiska ich použitia; – simulácia detekčných vlastností štruktúr s cieľom optimalizácie plochy a hrúbky pripravených kontaktov, ako aj celkového objemu polovodičového materiálu použitého pri návrhu detektorov; – skúmanie fyzikálnych a elektrických vlastností pripravených štruktúr, meranie ich detekčných a spektrometrických vlastností pomocou alfa častíc, vysokoenergetických iónov (40 MeV Xe+), rýchlych neutrónov a pod.; – skúmanie odolnosti pripravených štruktúr proti vysokoenergetickým iónom (Kr+, Xe+ 167 MeV) a elektrónom (5 MeV), sledovanie elektrických a detekčných parametrov; – návrh a optimalizácia pripojenej spektrometrickej trasy podľa parametrov detekčných štruktúr s cieľom dosiahnutia čo najlepšieho energetického rozlíšenia
Doba trvania:	1.1.2016 – 31.12.2019

SENAD – Polovodičové nanomembrány pre hybridné súčiastky
Semiconductor nanomembranes for hybrid devices
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kúdela Róbert, CSc.
Anotácia:	Projekt sa zaoberá prípravou a skúmaním fyzikálnych vlastností nanomembrán na báze GaAs a GaN, ako aj ich využitím v nových hybridných súčiastkach, ktoré nemôžu byť efektívne pripravované súčasnou monolitickou technológiou. Nanomembrány môžeme popísať ako monokryštalické štruktúry s hrúbkou do stoviek nanometrov a pozdĺžnymi rozmermi aspoň o dva rády väčšími, a ktoré boli separované od pôvodného substrátu a sú voľne stojace, alebo uchytené na náhradnom substráte. Na niektoré vybrané nanomembrány budú nanesené tenké organické filmy, ktoré môžu modifikovať ich vlastnosti.
Doba trvania:	1.7.2016 – 31.12.2019

Výskum progresívnych materiálov a štruktúr pre foto-elektrochemické aplikácie
Investigation of advanced materials and structures for photoelectrochemical applications
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Huran Jozef, CSc.
Doba trvania:	1.1.2016 – 31.12.2019

Vysokoteplotná charakterizácia, integrácia a spoľahlivosť MEMS senzorov tlaku na báze AlGaN/GaN
High temperature characterization, integration and reliability of MEMS pressure sensors based on AlGaN/GaN
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vanko Gabriel, PhD.
Doba trvania:	1.1.2017 – 31.12.2019

Fotoluminescenčné keramické materiály na báze oxynitridov kremíka
Silicon oxynitride-based photoluminiscent ceramic materials
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania:	1.7.2015 – 30.6.2019

MioGaN – GaN monolitické integrované obvody
GaN Monolithic Integrated Circuits
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Doba trvania:	1.7.2016 – 30.6.2019

Tranzistory s InN-kanálom pre THz mikrovlny a logiku
Transistors with InN channel for THz microwaves and logic
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Doba trvania:	1.7.2016 – 30.6.2019

Výskum technológie nanoobrábania pre aktívne povrchy novej generácie rtg optiky
Research of the nanomachining technology for active surfaces of the new generation of the X-ray optics
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Zápražný Zdenko, PhD.
Doba trvania:	1.7.2015 – 30.6.2019

Kompozitný supravodič MgB2 na báze difúznej metódy
Composite superconductor MgB2 made by internal Mg diffusion
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kováč Pavol, DrSc.
Anotácia:	Cieľom projektu je pripraviť supravodič (vlákno) obsahujúce supravodivú fázu MgB2 použitím novej metódy difúzie horčíka do bórovej vrstvy (IMD), ktorá zabezpečí vysokú hustotu supravodivej zložky. Jedným z cieľov je optimalizácia tejto metódy tak, aby MgB2 s čím vyššou hustotou dosahoval vysoké kritické parametre. Očakávajú sa zlepšenia dôležitých parametrov, ako je kritická prúdová hustota v nízkych magnetických poliach (< 3 T) a kritická teplota, aby bol MgB2 efektívne použiteľný aj v teplotách okolo 20 K, kde stráca konkurenciu nízkoteplotných supravodičov (Nb3Sn, NbTi, Nb3Al …) a nutné chladenie kvapalným héliom.
Doba trvania:	1.1.2016 – 31.12.2018

Pinning v komerčných coated vodičoch
Pinning in commercial coated conductors
Program:	SASPRO
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Seiler Eugen, PhD
Anotácia:	Projekt bude skúmať pinningové mechanizmy v komerčných ReBCO coated vodičoch od rôznych priemyselných výrobcov. Hlavný dôraz bude kladený na oblasti teplôt a magnetických polí zaujímavých pre aplikácie na poli elektrických strojov (elektrické monoty, generátory, transformátory, atď.)- teploty 65 K až 77 K a polia 0 až 5 T. Cieľom je zistiť, ktorý z mechanizmov je najefektívnejší v tejto oblasti teplôt a polí a vypracovať experimentálne metodiky na jeho charakterizáciu a klasifikáciu. Súčasťou projektu sú experimenty spoločne s aplikáciou a rozvojom teoretických modelov. Hlavnými meracími technikami budú merania magnetizačných slučiek a magnetickej relaxácie vo vibračnom magnetometri (VSM), spoločne s transportnými meraniami prúdovo-napäťových charakteristík pri rôznych orientáciách aplikovaného magnetického poľa.
Doba trvania:	1.1.2016 – 31.12.2018

Senzory na báze nosníkových štruktúr
Cantilever based sensors
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Šoltýs Ján, PhD
Anotácia:	Senzory na báze nosníkových štruktúr sú využívané na detekciu fyzikálnych, chemických a biologických veličín. V zásade každá odchýlka magnetického, elektrického, tepelného či chemického pôvodu môže byť prevedená na mechanickú výchylku nosníka. Tento ohyb môže byť následne vyhodnocovaný s veľmi vysokou citlivosťou a selektivitou. Cieľom projektu je vývoj nových techník slúžiacich pre úpravu komerčných rastrovacích sond ako aj výrobu nových senzorov magnetických veličín na báze nosníkových štruktúr. Aplikácia týchto techník na nosníkové systémy otvára nové možnosti ich použitia v senzorických aplikáciách a na výskumné účely vo fyzike a biomedicíne.
Doba trvania:	1.1.2015 – 31.12.2018

Spinové vlny v exotických štruktúrach
Waves in exotic spin textures
Program:	SASPRO
Zodpovedný riešiteľ:	Dr. Mruczkiewicz Michal
Anotácia:	Výskumný projekt je zameraný na teóriu kolektívnych excitácií pre rôzne magnetické architektúry a konfigurácie magnetických polí (spinové textúry). Dynamické vlastnosti magnetických vírov a skyrmiónov budú študované v diskoch, v netriviálnych geometriách a v ultratenkých filmoch. Uvažované budú možné mechanizmy excitácií (napr. prúdom alebo externýcm poľom) a vyhodnotené budú možnosti experimentálneho overenia numericky študovaných štruktúr. Dôležitá časť práce bude venovaná štúdiu kolektívnych módov skyrmiónov, čo je doteraz neprebádaná oblasť výskumu. Na základe získaných výsledkov budú potom navrhnuté logické súčiastky.
Doba trvania:	4.1.2016 – 31.12.2018

Štúdium metód návrhu a zhotovenia cievok z vodiča s kruhovým prierezom na báze vysokoteplotného supravodiča
Investigation of design and manufacturing methods for coils from round high-temperature superconducting conductor
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Šouc Ján, CSc.
Doba trvania:	1.7.2015 – 31.12.2018

Ultraľahký kompozitný supravodič na báze Mg, B, Ti a Al
Ultra light composite superconductor based on Mg, B, Ti and Al
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kováč Pavol, DrSc.
Doba trvania:	1.7.2015 – 31.12.2018

Univerzálna nanoštrukturovaná platforma pre interdisciplinárne použitie
Universal nanorod platform for interdisciplinary applications
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.7.2015 – 31.12.2018

Širokopásmový MEMS detektor terahertzového žiarenia
Broadband MEMS detector of terahertz radiaton
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vanko Gabriel, PhD.
Doba trvania:	1.7.2015 – 30.6.2018

Štruktúry odporového prepínania pre rozpoznávanie vzorov
Resistive switching structures for pattern recognition
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania:	1.7.2015 – 30.6.2018

Návrh a príprava hybridných štruktúr na báze diamantu a nitridu gália
Design and Fabrication of Diamond-on-GaN Hybrid Structures for MEMS
Program:	SASPRO
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Babchenko Oleg, PhD.
Anotácia:	Projekt je zameraný na bilaterálny prenos poznatkov, návrh hybridných elektronických zariadení s účinným tepelným odvodom, napr. AlGaN/GaN súčiastky pasivované diamantom a/alebo diamantové štruktúry a prvky pokryté oxidom kovu, ale aj na samotnú výrobu týchto prvkov a ich charakterizáciu. Predpokladá sa, že riešenie projektu umožní výrobu hybridných vysoko výkonových elektronických súčiastok a/alebo mikro-elektro-mechanických systémov schopných pracovať pri vysokých frekvenciách a/alebo vysokých teplotách.
Doba trvania:	1.5.2015 – 30.4.2018

Tepelno-elektrická stabilita supravodičov pri nekonvenčných spôsoboch chladenia
Thermo-electrical stability of superconductors in unconventional cooling conditions
Program:	SASPRO
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vojenčiak Michal, PhD.
Anotácia:	Supravodiče sú materiály s výrazne nelineárnou volt-ampérovou charakteristikou. Ak je veľkosť elektrického prúdu menšia ako kritický prúd daného vodiča, elektrický odpor supravodiča je nulový. Avšak pri vyšších prúdoch elektrický odpor supravodiča prudko rastie, čo sa prejavuje aj premenou elektrickej energie na teplo a zvýšením teploty. Tento proces môže viesť až ku poškodeniu supravodivého materiálu. Stabilita supravodivého vodiča vyjadruje aká veľká je rezerva proti prechodu do nesupravodivého stavu a či bude takýto prípadný prechod viesť ku nevratnému poškodeniu materiálu. V rámci tohto projektu skúmame stabilitu supravodičov v dvoch typoch aplikácií: obmedzovač skratových prúdov a kábel pre vinutia cievok.
Doba trvania:	1.4.2015 – 31.3.2018

Príprava a štúdium vlastností supravodivých a feromagnetických vrstiev a štruktúr pre kryoelektroniku a senzoriku
Perspective thin films and structures for electronic applications
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2014 – 31.12.2017

Príprava tenkých vrstiev technológiou nanášania po atómových vrstvách
Growth of thin films using Atomic Layer Deposition
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2014 – 31.12.2017

Rast 2D materiálov: grafén a diselenid titánu
Growth of 2D materials: graphene and titanium diselenide
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Dr. rer. nat. Hulman Martin
Doba trvania:	1.1.2015 – 31.12.2017

Supravodivé cievky z káblovaných REBCO vodičov
Superconducting coils made of cabled REBCO conductors
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vojenčiak Michal, PhD.
Doba trvania:	1.1.2015 – 31.12.2017

Vysoko kvalitné aktívne povrchy pre novú generáciu prvkov kryštálovej röntgenovej optiky
High quality active surfaces for new generation of X-ray crystal optics elements
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Zápražný Zdenko, PhD.
Doba trvania:	1.1.2015 – 31.12.2017

Tvarovanie magnetického poľa pomocou kombinácie supravodivých a feromagnetických materiálov
Magnetic field shaping by a combunation of superconducting and ferromagentic materials
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Doba trvania:	1.10.2013 – 30.4.2017

Magnetické nanoelementy pre energeticky nezávislé pamäte a mikrovlnné aplikácie
Magnetic nanoelements for nonvolatile memory and microwave applications
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Cambel Vladimír, DrSc.
Doba trvania:	1.10.2013 – 31.3.2017

Fotonické štruktúry pre integrovanú optoelektroniku
Photonic structures for integrated optoelectronics
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.10.2013 – 31.12.2016

Mikro-elektromechanický systém (MEMS) akumulácie energie pre využitie v medicíne
Micro-electromechanical (MEMS) energy harvesting system for applications in medicine
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vanko Gabriel, PhD.
Doba trvania:	1.1.2014 – 31.12.2016

Nanoštruktúry a ich aplikácie v optoelektronických súčiastkach
Advanced nanostructures for application in optoelectronic devices
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2013 – 31.12.2016

HiPoSwitch – Normálne zatvorené spínacie tranzistory na báze GaN pre efektívne prevodníky výkonu
GaN-based normally-off high power switching transistor for efficient power converters
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2016 – 31.12.2016

Nové technológie prípravy nanočastíc
New technologies of nanoparticles preparation
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vávra Ivo, CSc.
Doba trvania:	1.1.2013 – 31.12.2016

Pokročilé AlGaN/GaN HEMT a MISHEMT tranzistory pre vysokoteplotnú elektroniku a senzoriku
Advanced AlGaN/GaN HEMT and MISHEMT transistors for high temperature electronics and sensors
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Osvald Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2013 – 31.12.2016

Technológia hradiel s izolujúcou vrstvou pre kvalitné, vyskoúčinné III-As a III-N tranzistory
Insulated gate technologies for high-performance III-As and III-N transistors
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Gregušová Dagmar, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2013 – 31.12.2016

Teoretické štúdium vodivosti a perzistentných prúdov v nízkorozmerných mezoskopických systémoch: Vplyv interakcie, disorderu a pásovej štruktúry
Theoretical study of conductance and persistent currents in low-dimensional mesoscopic systems: effects of interaction, disorder, and band structure
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	doc. RNDr. Moško Martin, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2014 – 31.12.2016

Termodynamické vlastností mikromagnetických objektov
Thermodynamic properties of the micro-magnetic objects
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Tóbik Jaroslav, PhD.
Doba trvania:	1.1.2014 – 31.12.2016

Výskum a vývoj technológií prípravy tenkých vrstiev karbidu kremíka pre aplikácie v solárnych článkoch a v tenkovrstvových súčiastkach
Research and development of silicon carbide thin film technologies for applications in solar cells and thin film devices
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Huran Jozef, CSc.
Doba trvania:	1.10.2013 – 31.12.2016

Tranzistory na báze progresívnych materiálov pre vysoké teploty
Transistors on the base of progressive materials for high temperatures
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vanko Gabriel, PhD.
Doba trvania:	1.10.2013 – 30.9.2016

Výskumno-vývojové centrum pre pokročilé rtg technológie
Research and development center for advanced X-ray technologies
Program:	Štrukturálne fondy EÚ Výskum a vývoj
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Zaťko Bohumír, PhD
Doba trvania:	1.6.2012 – 31.3.2016

Jemno-vláknitý supravodič MgB2 pre striedavé aplikácie
Fine-filamentary MgB2 superconductor for AC applications
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kováč Pavol, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2012 – 31.12.2015

Kryštálové prvky rtg optiky pre kompresiu a expanziu zväzku
Crystal elements of X-ray optics for beam compression and expansion
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Korytár Dušan, CSc.
Doba trvania:	1.7.2012 – 31.12.2015

MEMS senzory na báze nanoštruktúr tenkých vrstiev pre detekciu plynov a stopových ťažkých kovov
MEMS sensors based on nanostructured thin films for gas detection and determination of heavy metals
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Haščík Štefan, PhD.
Doba trvania:	1.1.2012 – 31.12.2015

Mezoskopické vlastnosti supravodivých tenkovrstvových nanoštruktúr
Mesoscopic properties of thin film superconducting nanostructures
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Štrbík Vladimír, CSc.
Doba trvania:	1.1.2013 – 31.12.2015

Nanoštruktúrne materiály pre senzoriku
Nanostructured Materials for Sensorics
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Lobotka Peter, CSc.
Doba trvania:	1.7.2012 – 31.12.2015

Nové polovodičové detektory neutrónov
New semiconductor detectors of neutrons
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Zaťko Bohumír, PhD
Doba trvania:	1.7.2012 – 31.12.2015

Pixelové senzory rtg. a gama žiarenia pre použitie najmä v digitálnej
Pixel sensors of X- and gamma rays for using primarily in digital imaging
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Zaťko Bohumír, PhD
Doba trvania:	1.1.2013 – 31.12.2015

Progresívne materiály s konkurenčnými parametrami usporiadania
Progressive materials with competing order parameters
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Cambel Vladimír, DrSc.
Doba trvania:	1.7.2012 – 31.12.2015

Proximitný efekt a transportné vlastnosti nanoštruktúr feromagnet/supravodič
Proximity effect and electron transport in ferromagnet/superconductor nanostructures
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Doba trvania:	1.7.2012 – 31.12.2015

Technológia prípravy a štúdium metalizačných vrstiev pre plošné detektory ionizačného žiarenia na báze SI GaAs
Technology and study of metalization layers for area radiation detectors on base of semi-insulating GaAs
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Boháček Pavol, CSc.
Doba trvania:	1.1.2013 – 31.12.2015

Univerzitný vedecký park STU Bratislava
University Science Park of STU Bratislava
Program:	Štrukturálne fondy EÚ Výskum a vývoj
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Cambel Vladimír, DrSc.
Doba trvania:	1.2.2013 – 31.12.2015

Výskumné centrum ALLEGRO
–
Program:	Štrukturálne fondy EÚ Výskum a vývoj
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Cambel Vladimír, DrSc.
Doba trvania:	1.10.2014 – 31.12.2015

Vysokoteplotná mikrovlnná charakterizácia pokročilých polovodičových prvkov
High temperature microwave characterization of advanced semiconductor devices
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Lalinský Tibor, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2012 – 31.12.2015

Kompetenčné centrum pre nové materiály, pokročilé technológie a energetiku
Center of competence for new materials, advanced technologies and energetics
Program:	Štrukturálne fondy EÚ Výskum a vývoj
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania:	1.8.2011 – 30.11.2015

Výskum prípravy moderného polovodičového materiálu a substrátov VGF GaP o priemere 100 mm pre potreby konverzie CO2 na užitočné chemikálie
Research and development of advanced semiconductor material and substrates VGF GaP with 100 nm diameter for conversion of CO2 into value addeed chemicals
Program:	Štrukturálne fondy EÚ Výskum a vývoj
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.2.2012 – 30.11.2015

Centrum aplikovaného výskumu nových materiálov a transféru technológií
Centre for applied research of new materials and technology transfer
Program:	Štrukturálne fondy EÚ Výskum a vývoj
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Cambel Vladimír, DrSc.
Doba trvania:	1.10.2013 – 30.9.2015

Monolitická integrácia ochudobňovacích a obohacovacích InAlN/GaN HFET
Monolithic integration of depletion- and enhancement-mode InAlN/GaN HFET transistors
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Doba trvania:	1.7.2012 – 30.6.2015

Heteroštruktúry na báze InN pre vysoko-frekvenčné tranzistory
–
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2011 – 31.12.2014

Integrácia supravodivých a manganitových vrstiev a štruktúr na polovodičových podložkách
Integration of superconducting and manganite films and structures with semiconducting substrate
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Doba trvania:	1.7.2013 – 31.12.2014

Káblované vodiče konštruované z páskových YBCO supravodičov vhodné pre zhotovenie magnetických systémov silových zariadení
Cables made of YBCO tape superconductors aimed for magnetic systems and energy applications
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Šouc Ján, CSc.
Doba trvania:	1.1.2012 – 31.12.2014

Štúdium magnetických efektov vo feromagnetických nanoobjektoch
Study of magnetic effect in ferromagnetic nanoobjects
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Cambel Vladimír, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2012 – 31.12.2014

Vplyv nehomogenít na úžitkové vlastnosti pások na báze vysokoteplotných supravodivých materiálov
Effects of inhomogeneities on functional properties of high-temperature superconducting wires
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2011 – 31.12.2014

Multidetek – Multifunkčné detektorové polia na báze mikromechanických štruktúr
Multifunctional detector arrays based on micromechanical structures
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vanko Gabriel, PhD.
Doba trvania:	1.5.2011 – 31.10.2014

PiezoMEMS – Pokročilé piezoelektrické MEMS senzory tlaku
Advanced piezoelectric MEMS pressure sensors
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Lalinský Tibor, DrSc.
Doba trvania:	1.5.2011 – 31.10.2014

GRONA – Príprava nanodrôtov pre fotovoltaické aplikácie
Growth of nanowires for photovoltaic applications
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.5.2011 – 31.10.2014

JESUM – Jemnovláknité supravodivé MgB2 drôty pre jednosmerné a striedavé vinutia
Fine-filamentary superconducting MgB2 wires for steady and alternating current windings
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kováč Pavol, DrSc.
Doba trvania:	1.5.2011 – 30.9.2014

ReSwitch – Štruktúry kov-oxid-kov pre nanorozmerné pamäťové bunky na báze odporového prepínania
Metal-oxide-metal structures for resistive switching based memory cells
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania:	1.5.2011 – 30.4.2014

GETRATRON – Vývoj novej generácie III-N tranzistorov s vysokou pohybivosťou elektónov
Towards next generation of III-N high-electron-mobility transistors
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Doba trvania:	1.5.2011 – 30.4.2014

Perzistentné prúdy v mezoskopických prstencoch z izolantov a kovov: Mikroskopické výpočty metódou tesnej väzby
Persistent currents in mesoscopic rings made of insulators and metals: Microscopic calculations by means of the tight-binding method
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Tóbik Jaroslav, PhD.
Doba trvania:	1.1.2011 – 31.12.2013

Tenké vrstvy a štruktúry pre aplikácie v kryoelektronike na polovodičových a iných podložkách
Thin films and structures for the cryoelectronic applications prepared on semiconducting and other type substrates
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2011 – 31.12.2013

Tenké vrstvy oxidov a ich uplatnenie v pokročilých elektronických súčiastkach
Thin oxide films and their application in advanced electronic devices
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2011 – 31.12.2013

Vysokoteplotné supravodivé vrstvy a štruktúry pre mikrovlnné aplikácie
High temperature superconducting films and structures for microwave
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Doba trvania:	1.6.2008 – 30.9.2013

ENERGOZ – Efektívne riadenie výroby a spotreby energie z obnoviteľných zdrojov
Effective control of production and consumption of energy from renewable sources
Program:	Štrukturálne fondy EÚ Výskum a vývoj
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Web stránka projektu:	http://tisav.choma.sk/index.php?projekt=energoz&card=energoz
Doba trvania:	1.4.2010 – 1.3.2013

CENTE II – Budovanie Centra Excelentnosti pre Nové Technológie v Elektrotechnike – II. etapa
Center of Excellence for New Technologies in Electrical Engineering II.
Program:	Štrukturálne fondy EÚ Výskum a vývoj
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania:	1.3.2010 – 28.2.2013

Vývoj univerzálnej HD video platformy pre aplikáciu v broadcastingu, vzdelávaní a výskume
Development of HD video universal platform for application in broadcasting, education and research (HD Video)
Program:	Štrukturálne fondy EÚ Výskum a vývoj
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Web stránka projektu:	http://www.monogram.sk/projekty0.html
Doba trvania:	1.2.2010 – 31.1.2013

Heteroštruktúry tenkých vrstiev vysokoteplotný supravodič-feromagnetikum
High temperature superconductor-ferromagnet thin film heterostructures
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Štrbík Vladimír, CSc.
Doba trvania:	1.1.2010 – 31.12.2012

Kov-oxid-polovodič (MOS) štruktúry na III-V materiáloch
Metal-oxide-semiconductor structures on III-V semiconductors
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Gregušová Dagmar, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2009 – 31.12.2012

Mikro- a nano-technologické procesy pre pokročilé MEMS senzory
Micro- and nano-process technology foradvanced MEMS sensors
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Lalinský Tibor, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2011 – 31.12.2012

Mikro(Nano)ElektroMechanické senzorické štruktúry pre extrémne podmienky
Micro(Nano)ElectroMechanical sensor structures for extreme conditio
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Lalinský Tibor, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2009 – 31.12.2012

Molekulárne mechanizmy interakcií nanočastíc magnetitu
Molecular mechanisms of magnetite nanoparticle interactions due to internalization and accumulation in cells in vitro
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vávra Ivo, CSc.
Doba trvania:	1.1.2009 – 31.12.2012

Polovodičové detektory pre diagnostiku horúcej plazmy
Semiconductor radiation detectors for hot plasmas diagnostics
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Zaťko Bohumír, PhD
Doba trvania:	1.1.2010 – 31.12.2012

Rtg zobrazovanie a optika založená najmä na komplexnom indexe lomu
X-ray imaging and optics based mainly on the complex index refraction
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Korytár Dušan, CSc.
Doba trvania:	1.1.2010 – 31.12.2012

Technológia prípravy monodisperzných kovových nanočastíc a ich usporiadanie do tvaru supermriežky
Technology of monodispersed metallic nanoparticles and their organization in superlattice form
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vávra Ivo, CSc.
Doba trvania:	1.1.2009 – 31.12.2012

Moderné polovodičové súčiastky s precízne navrhnutou pásovou štruktúrou a povrchovými vlastnosťami
Advanced semiconductor structures with tailored band-gap structure and surface properties
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2009 – 21.12.2012

MOS HFET tranzistory na báze III-V polovodičov pre vysokoteplotné aplikácie
MOS HFET transistors based on III-N semiconductors for high temperature applications
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.9.2009 – 30.8.2012

CEKOODUV – Centrum komercializácie poznatkov a ochrany duševného vlastníctva Slovenskej akadémie vied
Centre of knowledge commercialization and intellectual property rights management of the Slovak Academy of Sciences
Program:	Štrukturálne fondy EÚ Výskum a vývoj
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Web stránka projektu:	http://tisav.choma.sk/index.php?projekt=ceko
Doba trvania:	1.10.2009 – 31.3.2012

Kritický stav a striedavé straty v supravodivých vodičoch na feromagnetickej podložke
Critical state and ac loss of tape conductor with superconductor coating deposited on ferromagnetic substrate
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Šouc Ján, CSc.
Doba trvania:	1.1.2009 – 31.12.2011

Moderné metódy rtg zobrazovania s vysokým kontrastom
Modern high resolution X-ray imaging techniques
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Korytár Dušan, CSc.
Doba trvania:	1.1.2010 – 31.12.2011

Pinning v nových typoch supravodivých vodičov
Pinning in the new types of superconducting wires
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Anotácia:	Experimentálno-teoretickým skúmaním určiť hlavné mechanizmy pinningu v nových typoch silnoprúdových supravodivých vodičoch, ktorými sú YBCO-coated pásky a MgB2 vodiče. Časť úsilia bude venovaná vylepšeniu metodiky simulácie procesu záchytu magnetického toku vo vzorkách supravodivých vodičov perspektívnych z hľadiska použitia v budúcich silnoprúdových zariadeniach.
Doba trvania:	1.11.2006 – 31.12.2011

Pokročilé GaN mechanické senzory pre extrémne podmienky
Advanced GaN mechanical sensors for extreme conditions
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Lalinský Tibor, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2010 – 31.12.2011

Stabilita supravodiča a supravodivého vinutia za prítomnosti lokálnych porúch
Stability of superconductors and superconducting windings exposed to local disturbances
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Ušák Pavol, CSc.
Doba trvania:	1.1.2010 – 31.12.2011

Technológie prípravy moderných polovodičových vrstiev SiC, AlN pre mikroelektronické a optoelektronické aplikácie
Technologies of formation of modern semiconductor SiC, AlNfilms for microelectronics and optoelectronics applications
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Huran Jozef, CSc.
Doba trvania:	1.1.2010 – 31.12.2011

Transport elektrónových a elektromagnetických vĺn v malých systémoch
Transport of electron and electromagnetic waves in small systems
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	doc. RNDr. Moško Martin, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2009 – 31.12.2011

Vystužený a stabilizovaný MgB2 kompozit pre supravodivé magnetické systémy
Reinforced and stabilized MgB2 composites for superconducting magnetic systems
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kováč Pavol, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2009 – 31.12.2011

Syntéza nitridu hliníka AlN na báze PBN technológie
AlN synthesis based on PBN technology
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.9.2009 – 30.9.2011

CENAMOST – Centrum excelencie NAno-/mikro-elektronických, optoelektronických a senzorických technológií
Centre of Excellence in Nano-/Micro-electronic, Optoelectronic and Sensoric Technologies
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.7.2008 – 30.6.2011

Centrum kryofyziky a kryonanoelektroniky
Centre of Cryophysics and Cryonanoelectronics
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Cambel Vladimír, DrSc.
Doba trvania:	1.7.2008 – 30.6.2011

Štruktúry kov-izolant-kov pre nanorozmerné pamäte typu DRAM
Structure metal-insulator-metal for nanoscale DRAM memories
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania:	1.9.2008 – 30.6.2011

CENTE – Centrum excelentnosti pre nové technológie v elektrotechnike
Center of Excellence for New Technologies in Electrical Engineering
Program:	Štrukturálne fondy EÚ Výskum a vývoj
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Anotácia:	Centrum bolo vytvorené vďaka podpore Európskeho fondu regionálneho rozvoja, ktorý pomáha rozvíjať zamestnanosť podporovaním zamestnateľnosti, obchodného ducha, rovnakých príležitostí a investovaním do ľudských zdrojov. Prostredníctvom projektu Centra excelentnosti budú vybudované ďalšie nové technologické laboratóriá, ktoré organickým spôsobom doplnia už existujúcu infraštruktúru a zároveň ju posunú na kvalitatívne vyššiu úroveň. Impulzom pre projekt Centra bola intenzívna spolupráca jednotlivých vedeckých pracovníkov i celých kolektívov z pracovísk partnerov a žiadateľa na spoločných projektoch tematicky zameraných na nové elektronické súčiastky a efekty v nich. Ďalšou motiváciou je spoločná výchova študentov a doktorandov v oblasti nových technológií, tak aby prinášali firmám v regióne informácie o nových progresívnych technológiách v oblasti elektrotechniky.
Web stránka projektu:	http://www.elu.sav.sk/cente/intro_sk.html
Doba trvania:	15.5.2009 – 14.5.2011

Technológia a charakterizácia tenkých vrstiev moderných polovodičov pre mikroelektroniku a optoelektroniku
Technology and characterization of modern semiconductor thin films for microelectronics and optoelectronics
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Huran Jozef, CSc.
Doba trvania:	1.9.2008 – 1.5.2011

Uhlíkové nanokompozity pre chemické senzory
Carbon nanocomposites for chemical sensing
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Lobotka Peter, CSc.
Doba trvania:	1.6.2008 – 1.5.2011

Pokročilé MEMS chemické senzory pre extrémne podmienky
Advanced MEMS chemical sensors for extreme conditions
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Lalinský Tibor, DrSc.
Doba trvania:	1.6.2008 – 30.4.2011

NANOSMART – Centrum nanoštruktúrnych materiálov
Centre of nanostructured materials
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vávra Ivo, CSc.
Doba trvania:	1.1.2008 – 31.12.2010

Epi-ready substráty VGF GaP (S)
Epi-ready substrates VGF GaP (S)
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.6.2008 – 31.12.2010

Mikroštruktúra veľmi tenkých vrstiev pre modernú mikroelektroniku
Microstructure of very thin films for advanced microelectronics
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2008 – 31.12.2010

Perspektívne tenké vrstvy a štruktúry pre kryoelektoniku na polovodičových podložkách
Perspective thin films and structures for cryoelectronics on semiconducting
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2008 – 31.12.2010

Pokrokové vláknite kompozitné MgB2 supravodiče
Advanced filamentary composite MgB2 superconductors
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kováč Pavol, DrSc.
Doba trvania:	1.3.2008 – 31.12.2010

Príprava \’aktívnych\‘ hrotov sondovej mikroskopie metódou MOCVD
Preparation of
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Cambel Vladimír, DrSc.
Anotácia:	Cieľom tohto projektu je rozpracovať technológiu "aktívnych hrotov" so súčiastkami (tranzistorom, senzormi, a pod.) umiestnenými priamo na stenách hrotov sondových mikroskopov, pripravených na báze kvantových heteroštruktúr metódou MOCVD.
Doba trvania:	1.3.2006 – 1.4.2010

Elektromagnetické a tepelné vlastnosti YBCO cievok v režime striedavého prúdu
Electromagnetic and thermal properties of YBCO coils in AC regime
Program:	Podpora MVTS z prostriedkov SAV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Polák Milan, DrSc.
Doba trvania:	11.3.2009 – 31.12.2009

Elektromagnetické vlastnosti kompozitných pások supravodič-feromagnetikum
Electromagnetic properties of composite tapes
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Šouc Ján, CSc.
Doba trvania:	1.3.2008 – 31.12.2009

MORGAN – Materiály pre robustný gálium nitrid
Materials for Robust Gallium Nitride
Program:	Podpora MVTS z prostriedkov SAV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania:	16.7.2009 – 31.12.2009

NESPA – Nanotechnologicky upravené supravodiče pre aplikácie v silnoprúdovej elektrotechnike
Nano-Engineering Superconductors for Applications
Program:	Podpora MVTS z prostriedkov SAV
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Doba trvania:	10.3.2009 – 31.12.2009

INFRALENS – Nová optika založená na VGFGaP pre infračervené senzory
New power optics for infrared range based on gallium phosphide
Program:	Podpora MVTS z prostriedkov SAV
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania:	16.7.2009 – 31.12.2009

Nová výkonná optika pre infračervenú oblasť založená na gáliumfosfide VGF GaP
New power optics for infrared range based on gallium phosphide
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.2.2007 – 31.12.2009

Teoretické a experimentálne štúdium a technológa senzorov pre diagnostiku plazmy
Theoretical and experimental study and technology of plasma diagnostic sensors
Program:	Podpora MVTS z prostriedkov SAV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Dubecký František, CSc.
Doba trvania:	11.3.2009 – 31.12.2009

Transportné a mikrovlnné charakteristiky diborida horčíka, nového supravodivého materiálu pre praktické aplikácie
Transport and microwave characteristics of magnesium diboride, a novel superconducting material for practical applications
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Doba trvania:	1.2.2008 – 31.12.2009

COSTS – Úprava rtg. lúča a rtg. zobrazovania
X-ray beam conditioning and imaging
Program:	Podpora MVTS z prostriedkov SAV
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Korytár Dušan, CSc.
Doba trvania:	11.3.2009 – 31.12.2009

Vybrané problémy rtg technológií
Selected topics from X-ray technologies
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Korytár Dušan, CSc.
Anotácia:	Získať nové teoretické a experimentálne poznatky v oblasti rtg metód využívajúcich vysoké rozlíšenie v reálnom a reciprokom priestore, v energii, prípadne v čase so zameraním na extrémne prípady geometrického usporiadania (silné asymetrie, tzv. inclined geometria, extrémne malé ohnisko a p.) pri využití kombinácie kryštálovej optiky s inými optikami a s polovodičovými snímačmi obrazu.
Doba trvania:	1.2.2007 – 31.12.2009

Výskum vzniku a vlastností pyrolytického nitridu bóru-PBN
Research work on formation and properties of pyrolytic boron nitride
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2008 – 31.12.2009

Vývoj nových supravodivých káblov pre DEMO
Development of new superconducting cables for DEMO
Program:	Podpora MVTS z prostriedkov SAV
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2009 – 31.12.2009

Detektory neutrónov: technológia prípravy, štúdium elektrických a detekčných vlastností
Neutron detectors:technology of preparation, study of electrical and detection properties
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Dubecký František, CSc.
Anotácia:	Projekt sa týka výskumu technológie a vlastností detektorov neutrónov. Ide o polovodičový detektor prednostne na báze polovodičovej zlúčeniny semiizolačného GaAs prípadne iných materiálov (SiC, InP,…) schopný registrovať produkt interakcie neutrónu s atómami konverznej vrstvy. Konverznú vrstvu detektoru rýchlych neutrónov tvorí materiál s vysokou koncentráciou atómov vodíka. Konverzná vrstva detektora pomalých neutrónov má vysoký obsah atómov IOB, 6Li, resp. ich kombináciu. Štúdium sa zameria na optimalizáciu technológie a topológie elektród detektora, povrchovej pasivácie, techniku nanášania konverznej vrstvy ako aj finálneho kontaktovania a púzdrenia. Chemické zloženie konverznej vrstvy sa bude optimalizovať z hľadiska dosiahnutia maximálnej účinnosti detektora. Pôjde o jednotlivé senzory a polohovo citlivé systémy 1D resp. 2D s monolitickým usporiadaním detektorov neutrónov na jednej podložke. Východiskové materiály a hotové detektory sa budú testovať (elektrické a detekčné vlastnosti) a skúmať fyzikálnymi metódami, ktoré umožnia študovať degradačné procesy následkom poškodenia neutrónmi a gama žiarením. Predpokladané činnosti zahŕňajú simuláciu návrhu detektora, fyzikálnu interpretáciu výsledkov a využitie detektora neutrónov v praxi (napr. pri štúdiu emisie neutrónov z horúcej plazmy produkovanej systémom Plasma-Focus PF1000 v ústave IPPLM, Varšava).
Doba trvania:	1.1.2007 – 1.12.2009

Josephsonove javy v štruktúrach pripravených na báze nekonvenčných supravodičov
Josephson effects in structures from unconventional superconductors
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Štrbík Vladimír, CSc.
Anotácia:	Cieľom projektu je príprava a štúdium vlastností slabých väzieb (Josephsonových spojov) v heteroštruktúrach založených na tenkých vrstvách i nekonvečných supravodičoch (NS), t.j. nedávno objavený MgB2 a rovnako vysokoteplotné supravodiče (VTS) ako Tl-Ba-Ca-Cu-O, Hg-Ba-Ca-Cu-0 resp. YBaCuO. Hlavné úsilie v štúdiu NS / bariéra / NS heteroštruktúr bude venované optimalizácii supravodivých tenkých vrstiev, hľadaniu vhodných bariérových materiálov (izolačného I, normálneho kovu N. alebo feromagnetického F) a príprava ostrých rozhraní v NS / bariéra / NS spojoch. V dôsledku anizotropie a ďalších špecifických vlastností NS transport Cooperových párov a kvázičastíc v slabých väzbách bude vedený v smere väčšej koherenčnej dĺžky a energetickej medzery. Vlastnosti Josephsonových spojov založených na oboch typoch NS budú porovnávané z pohľadu použitia pre kvantové elektronické prvky.
Doba trvania:	1.1.2007 – 1.12.2009

Koherencia, dekoherencia a neusporiadanosť v kovových a supravodivých systémoch
Coherence, decoherence and disorder in metallic and superconducting systems
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	doc. RNDr. Moško Martin, DrSc.
Doba trvania:	1.5.2006 – 1.5.2009

Monoliticky integrované obvody na báze GaAs (GaN) s pasívnymi supravodivými filtrami pre milimetrové pásmo
Monolitically integrated circuits based on GaAs (GaN) with passive superconducting filters for millimeter wave band
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Anotácia:	Príprava a štúdium vlatností modelovej štruktúry monoliticky integrovaného obvodu na GaAs, príp. GaN pracujúceho pri teplote 77K, obsahujúceho aktívne prvky a pasívne filtre na báze supravodiča za účelom využitia v mikroelektronike.
Doba trvania:	1.5.2006 – 1.4.2009

Supravodivé vodiče v podmienkach silnoprúdových elektrotechnických zariadení
Superconducting wires in the conditions of power
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Anotácia:	Vypracovanie a experimentálne overenie modelov správania elektrotechnických zariadení, ktoré sú konštruované zo supravodivých vodičov. Projekt je zameraný na kvantifikovanie základných parametrov s osobitným zreteľom na veľkosť striedavých strát v supravodivých častiach.
Doba trvania:	1.5.2006 – 1.4.2009

CENG – Centrum elektronických a elektrotechnických súčiastok novej generácie
Centre of electronic and electrotechnique advanced devices
Program:	Centrá excelentnosti SAV
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2005 – 31.12.2008

Elektrón-elektrónová interakcia a koherentný elektrónový transport v mezoskopických drôtoch a prstencoch
Electron-electron interaction and coherent electron transport in mesoscopic wires and rings
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	doc. RNDr. Moško Martin, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2006 – 31.12.2008

Nanokyštalické tenkovrstvové štruktúry pre senzoriku a mikrosystémovú techniku
Nanocrystallic thin layer structures for senzorics and microsystem techniques
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Huran Jozef, CSc.
Doba trvania:	1.1.2006 – 31.12.2008

AQDJJ – Sústavy (mriežky) kvantových bodov a Josephsonových spojov
Arrays of Quantum Dots and Josephson Junctions
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Beňačka Štefan, CSc.
Doba trvania:	17.9.2007 – 31.12.2008

Mikro/nano/ elektromechanické štruktúry pre novú generáciu elektronických, snímacích a detekčných prvkov
Micro/nano/ elektromechanical structures for new generation of elektronic, senting and detecting devices
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Lalinský Tibor, DrSc.
Anotácia:	Projekt je zameraný na komplexné štúdium metód prípravy, simulácie a metodík charakterizácie polovodičových M(N)EMS štruktúr využiteľných pri návrhu elektronických, snímacích a detekčných prvkov novej generácie. Bázovým konštrukčným a elektronickým materiálom budú polovodičové heteroštruktúry GaAs/AlGaAs ako aj GaN/AlGaN rastené metódou MBE a MO CVD.Riešená problematika bude pokrývať oblasť štúdia technológie povrchového a objemového mikro(nano)tvarovania mechanických štruktúr (membrány, môstiky, nosníky a ostrovčeky) plne kompatibilných s aktívnym mikro(nano)elektronickým kvantovým prvkom akým je tranzistor HEMT.
Doba trvania:	1.1.2006 – 1.12.2008

Nanokompozitné tenké vrstvy a pokrytia
Nanocomposite thin films and coatings
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vávra Ivo, CSc.
Anotácia:	Vyvinúť technológiu prípravy nanokompozitných tenkých vrstiev na báze nespojitých periodických multivrstiev, vyšetriť ich nanoštrukturovanosť a elektrické vlastnosti v širokom teplotnom rozsahu. Na základe zistených vlastností navrhnúť ich využitie v elektrotechnike.
Doba trvania:	1.1.2006 – 1.12.2008

Nanorozmer a jeho vplyv na vlastnosti MOCVD polovodičových vrstiev a štruktúr
Nanodimension and its influence on properties of movpe semiconductor layers and structures
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Anotácia:	Cieľom projektu je skúmanie vlastností nanorozmerov na výsledné vlastnosti polovodičových štruktúr pripravených technológiou MOVPE. Špeciálny dôraz sa kladie na možnosť prípravy feromagnetických polovodičov s Curieho teplotou vyššou ako izbová teplota a použitie týchto materiálov na rast kvantových magnetických bodiek.
Doba trvania:	1.1.2006 – 1.12.2008

Pôsobenie magnetického poľa na vlastnosti supravodičov pretekaných striedavým elektrickým prúdom
The influence of the magneticfield on the properties of superconductor s carrying AC current
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Doc. RNDr. Takács Silvester, DrSc.
Anotácia:	Prispieť k hlbšiemu poznaniu a porozumeniu procesu vnikania magnetického toku do supravodičov rôznych geometrických tvarov a konfigurácií prisúčasnom pôsobení vonkajšieho magnetického poľa a elektrického prúdu. Teoretické výpočty a počítačové simulácie rozloženia magnetického toku v supravodičoch a supravodivých štruktúachr a ich porovnanie s experimentálnymi výsledkami pomôžu presnejšie určiť niektoré dôelžité parametre supravodičov, ako napr. jednotlivé príspevky k striedavým stratám v supravodivých štruktúrach.
Doba trvania:	1.1.2006 – 1.12.2008

Vplyv dielektrickej pasivácie na vlastnosti AlGaN/GaN HEMT-ov
Influence of dielectric passivation on properties of AlGaN/GaN HEMTs
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Gregušová Dagmar, DrSc.
Anotácia:	Preskúmať procesy prebiehajúce pri pasivácii súčiastok na báze GaN, hlavne AlGaN/GaN tranzistorov s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT). Vyšetriť vplyv rozličných pasivačných vrstiev na vlastnosti HEMT-ov , zvlášť na prúdový kolaps tranzistorov. Tenké dielektrické vrstvy, také ako, Al2O3 a MgO budú deponované za rôznych podmienok (fyzikálne a chemické metódy depozície, rôzne teploty prípravy, rôzne hrúbky vrstiev) a budú aplikované na tranzistorové štruktúry. Následne bude analyzovaný ich vplyv na materiálovú štruktúru a parametre súčiastok statickými a pulznými meraniami HEMT-ov spolu s meranim Hall-ovho javu. Očakávame získanie nových informácií týkajúcich sa základných problémov v mechanizme pasivácie ako i návrhov na zlepšenie v AlGaN/ GaN HEMT-ov.
Doba trvania:	1.1.2006 – 1.12.2008

Tenké oxidové vrstvy pre GaN heteroštruktúry
Thin oxide films for GaN heterostructures
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania:	1.3.2007 – 30.11.2008

MatNet – Vybudovanie výskumno-vývojovej a inovačnej siete pre oblasť materiálov a technológií ich spájania
Creation of network for innovations, research & development in the field of advanced materials and technologies of their joining
Program:	Európsky sociálny fond /ESF/ (MŠ SR, MPSVR SR)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Anotácia:	Projekt je zameraný na vytvorenie výskumno-vývojovej a inovačnej siete (virtuálneho inštitútu) výskumno-vývojových pracovísk zo Slovenskej akadémie vied, vysokých škôl a výskumno-vývojových organizácií priemyselného sektora v Bratislavskom samosprávnom kraji (BSK) zaoberajúcich sa výskumom a vývojom progresívnych technických materiálov a technológií ich spájania. V rámci siete budú vytvorené podmienky na úzku spoluprácu akademického a priemyselného výskumu a vývoja, na realizáciu informačných aktivít podporujúcich zvýšenie záujmu podnikateľskej sféry o výsledky výskumu a vývoja a na podporu prenosu nových progresívnych technológií do výrobnej praxe. Súčasťou projektu bude zapojenie vytvoreného virtuálneho inštitútu do existujúcich sietí medzinárodnej vedecko-výskumnej spolupráce (MVTS) v oblasti vývoja materiálov a technológií a príprava nových výskumno-vývojových projektov na základe požiadaviek priemyselnej sféry v rámci domácich, ako aj medzinárodných programov výskumu a vývoja.
Web stránka projektu:	http://www.matnet.sav.sk/
Doba trvania:	1.4.2006 – 30.9.2008

Štúdium procesov prerozdeľovania elektrického prúdu v supravodivých vodičoch v jednosmerných a striedavých aplikáciách
The study of electric current distribution processes in superconducting conductors at DC and AC applications
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Ušák Pavol, CSc.
Anotácia:	Využitie technológie Hallových sond rozpracovanej na ElÚ SAV na meranie rozloženia prúdu v supravodivých páskach, vodičoch ľubovoľného prierezu a kábloch. Metóda je založená na mapovaní vlastného poľa supravodivej vzorky v nulovom vonkajšom magnetickom poli ale i za prítomnosti silných polí s vektorom orientovaným v rovine sondy.
Doba trvania:	1.5.2006 – 1.4.2008

VCITE – Vzdelávacie centrum informačných technológií a energetiky
Educational Centre for Information Technology and Power Engineering
Program:	Európsky sociálny fond /ESF/ (MŠ SR, MPSVR SR)
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Cambel Vladimír, DrSc.
Anotácia:	Podporiť a rozšíriť výskumný a vývojový potenciál regiónu, podporiť výchovu študentov a doktorandov, postgraduálnu výchovu, vysielať vychovávaných mladých pracovníkov do významných centier vedy, výskumu, pomôcť stabilizovať mladých pracovníkov po návrate z dlhodobých pobytov a postdoktorandských štúdií v oblasti výskumu a vývoja, usporiadaním spoločných konferencií, seminárov a prednášok, pozývaním zahraničných expertov slovenských a zahraničných centier výskumu a firiem pracujúcich v oblasti informačných technológií a energetiky zabezpečiť priamy transfer informácií svetového výskumu až do slovenských firiem.
Web stránka projektu:	http://www.elu.sav.sk/vcite/intro_sk.html
Doba trvania:	1.9.2005 – 28.2.2008

Tenké vrstvy oxidov pre pokročilé MOS štruktúry
–
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Anotácia:	Cieľom projektu je príprava štruktúr kov-izolant-polovodič (metal-oxide-semiconductor, MOS) na báze izolačných vrstiev s vysokou dielektrickou konštantou (> 30). Štruktúry budú využité pre CMOS technológiu s typickým rozmerom pod 45 nm.
Doba trvania:	1.2.2005 – 31.12.2007

THIOX – Tenké vrstvy pre nové súčiastky na báze oxidov
Thin oxide films for novel oxide devices
Program:	Iné projekty
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania:	1.1.2003 – 31.12.2007

Perspektívne tenké vrstvy a štruktúry pre elektroniku
Perspective thin films and structures for electronic applications
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Anotácia:	Príprava a štúdium supravodivých vrstiev a štruktúr na báze oxidov a nového MgB2 supravodiča vhodných pre kryoelektroniku, ako aj príprava a štúdium dielektrických a vodivých tenkých vrstiev oxidov pre aplikácie v mikroelektronike. Príprava oxidovej oddeľovacej vrstvy na GaAs s cieľom umožniť rast funkčných perovskitových vrstiev.
Doba trvania:	1.1.2005 – 1.12.2007

Teplotné aspekty disipatívnych procesov vo vysokoteplotných supravodičoch YBCO a BSCOO-2223
Temperature aspects of dissipative processer in high Tc superconductors YBCO and BSCCO-2223
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Ušák Pavol, CSc.
Anotácia:	Meranie teplotného nárastu v supravodiči v dôsledku disipácie energie od poruchy alebo striedavých strát v definovaných podmienkach chladenia. Využitie teplotného nárastu ako merateľného parametra strát pri striedavom napájaní vzorky vystavenej striedavému vonkajšiemu magnetickému poľu. Takýto prístup postihuje i straty, ktoré unikajú elektrickým metódam, resp. sú obťažne elektricky merateľné.
Doba trvania:	1.1.2005 – 1.12.2007

Dynamika rozdelenia prúdu v supravodičoch 2. generácie určených pre striedavé aplikácie
–
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Ušák Pavol, CSc.
Anotácia:	Určovanie priečneho rozloženia striedavých prúdov v supravodivých páskach druhej generácie z meraní magnetického poľa v ich okolí.
Doba trvania:	1.11.2006 – 30.6.2007

Integrované mikromechanické senzory elektromagnetického žiarenia na báze manganitových tenkých vrstiev
–
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Lobotka Peter, CSc.
Anotácia:	Projekt sa zaoberal návrhom mikrobolometra na oblasť THz frekvencií, ktorý nevyžaduje chladenie.
Doba trvania:	1.1.2004 – 30.6.2007

Stavebnica digitálneho rádiologického systému novej generácie
A new generation digital radiology system kit
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Dubecký František, CSc.
Doba trvania:	1.1.2005 – 30.6.2007

Epitaxné heteroštruktúry pre luminiscenčné diódy s vysokou svietivosťou pripravené na základe substrátov GaP
–
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.
Anotácia:	Cieľom tohoto projektu je pripraviť prispôsobovaciu medzivrstvu ternárneho tuhého roztoku InxGa1-xP technológiou epitaxného rastu z organokovových pár (technológia MOCVD) na substráte GaP tak, aby bola vytvorená kryštalograficky kvalitná podložka pre prípravu AlGaInP luminiscenčných diód s vysokou svietivosťou. Pre dosiahnutie tohto cieľa bude potrebné zdokonaliť technológiu MOCVD rastu tak, aby pomocou systému prispôsobovacích vrstiev (tzv. buffer systém) bolo možné dosiahnuť zmenu mriežkovej konštanty polovodičovej monokryštalickej podložky z 0,545 nm (mriežková konštanta GaP) na 0.56 nm. Kvaternárny AlGaInP polovodič s touto mriežkovou konštantou má priamu štruktúru energetických pásov (na rozdiel od nepriameho polovodiča GaP), čo ho robí materiálom vhodným pre prípravu luminiscenčných diód (LED) svietiacich v zelenej, resp. oranžovej oblasti. Súčasťou riešenia tohoto problému bude získavanie nových poznatkov o povrchovej morfológii, kryštalografických, elektrických a optických vlastnostiach zhotovenej štruktúry.
Doba trvania:	1.2.2004 – 31.12.2006

Kompozitné supravodiče pre zariadenia bez chladiacich kvapalín
–
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kováč Pavol, DrSc.
Anotácia:	Cieľom projektu bol vývoj vysoko prúdových a nízko stratových kompozitných drôtov obsahujúcich novú supravodivú zlúčeninu MgB2 alebo vysoko teplotnú fázu Bi-2223 vhodných pre vinutia cievok pracujúcich pri teplotách dosahovaných pomocou jednostupňových kryo-chladičov (15-40K).
Doba trvania:	1.1.2004 – 31.12.2006

Výskum supravodivých kvantových interferenčných detektorov (SQUID) na báze tenkých vrstiev vysokoteplotných supravodičov
–
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Beňačka Štefan, CSc.
Anotácia:	Hľadanie vhodných technologických podmienok prípravy Josephsonových spojov a SQUIDov, preštudovanie ich základných fyzikálnych vlastností a overenie možnosti ich využitia v kvantovej magnetometrii, realizovaním modelového senzora typu rf- alebo dc-SQUID.
Doba trvania:	1.8.2002 – 31.12.2005

Submikrónový vektorový hallovský mikroskop
–
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Cambel Vladimír, DrSc.
Anotácia:	Cieľom projektu je zlepšiť o rád parametre magnetickéhovektorového skenovacieho mikroskopu na ElÚ SAV a využiť ho v oblastizákladného výskumu a pre komerčné aplikácie. Zariadenie dosiahne priestorovérozlíšenie magnetického poľa úrovni 1 mikrometer.
Doba trvania:	1.9.2002 – 31.8.2005

Elektromagnetické vlastnosti supravodivých kompozitných vodičov
–
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Anotácia:	Projekt je venovaný štúdiu elektromagnetických vlastností supravodivých kompozitných vodičov, s osobitným dôrazom na význam usporiadania supravodivých vlákien z hľadiska striedavých strát.
Doba trvania:	1.8.2002 – 31.7.2005