Mgr. Fridrich Egyenes-Pörsök

Xiao, X., Mao, Y., Meng, B., Ma, G., Hušeková, K., Egyenes, F., Rosová, A., Dobročka, E., Eliáš, P., Ťapajna, M., Gucmann, F., and Yuan, C.: Phase-dependent phonon heat transport in nanoscale gallium oxide thin films, Small 20 (2024) 2309961.

1. Yan, S.H.: Applied Phys. Lett. 125 (2024) 022202.

Hrubišák, F., Hušeková, K., Zheng, X., Rosová, A., Dobročka, E., Ťapajna, M., Mičušík, M., Nádaždy, P., Egyenes, F., Keshtkar, J., Kováčová, E., Pomeroy, J.W., Kuball, M., and Gucmann, F.: Heteroepitaxial growth of Ga₂O₃ on 4H-SiC by liquid-injection MOCVD for improved thermal management of Ga₂O₃ power devices, J. Vacuum Sci Technol. A 41 (2023) 042708.

1. Woo, K.: J. Phys.-Mater. 7 (2024) 022003.
2. Vo, T.H.: Mater. Sci Semicond. Process. 173 (2024) 108130.
3. Akyol, F.: Mater. Sci Semicond. Process. 170 (2024) 107968.
4. Saquib, T.: J. Applied Phys. 135 (2024) 065701.
5. Hu, Y.: Mater. Sci Semicond. Process. 178 (2024) 108453.
6. Ferdous, N.: Sci Rep. 14 (2024) 12748.
7. Su, J.: J. Mater. Sci Technol. 210 (2025) 20.

Gucmann, F., Nádaždy, P., Hušeková, K., Dobročka, E., Priesol, J., Egyenes, F., Šatka, A., Rosová, A., and Ťapajna, M.: Thermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3 grown on sapphire by liquid-injection MOCVD, Mater. Sci Semicond. Process. 156 (2023) 107289.

1. Jewel, M.U.: Physica Status Solidi A 220 (2023) 2300036.
2. He, H.: Electronics 12 (2023) 4315.
3. Zhang, Y.F.: Nanotechnol. 35 (2024) 165502.
4. Vo, T.H.: Mater. Sci Semicond. Process. 173 (2024) 108130.
5. Zhou, X.L.: Nanomater. 14 (2024) 978.

Dobročka, E., Gucmann, F., Hušeková, K., Nádaždy, P., Hrubišák, F., Egyenes, F., Rosová, A., Mikolášek, M., and Ťapajna, M.: Structure and thermal stability of ε/κ-Ga₂O₃ films deposited by liquid-injection MOCVD, Materials 16 (2023) 20.

1. Girolami, M.: J. Mater. Chem. C 11 (2023) 3759.
2. Aarik, L.: Crystal Growth Design 23 (2023) 5899.
3. Chen, S.J.: J. Alloys Comp. 989 (2024) 174388.
4. Woo, K.: J. Phys.-Mater. 7 (2024) 022003.
5. He, Y.J.: Mater. 17 (2024) 1870.
6. Hu, Y.: Mater. Sci Semicond. Process. 178 (2024) 108453.
7. Aarik, L.: J. Mater. Chem. C 12 (2024) 10562.

Egyenes-Pörsök, F., Gucmann, F., Hušeková, K., Dobročka, E., Sobota, M., Mikolášek, M., Fröhlich, K., and Ťapajna, M.: Growth of α- and β-Ga₂O₃ epitaxial layers on sapphire substrates using liquid-injection MOCVD, Semicond. Sci Technol. 35 (2020) 115002.

1. Tak, B.R.: J. Phys. D 54 (2021) 453002.
2. Zhou, J.G.: J. Mater. Res. 36 (2021) 4832.
3. Yang, D.: Electron. Mater. Lett. 18 (2022) 113.
4. Biswas, M.: APL Mater. 10 (2022) 060701.
5. Liu, Z.: J. Phys. D 56 (2023) 093002.
6. Jewel, M.U.: Physica Status Solidi A 220 (2023) 2300036.
#     7. Jewel M.U.: Proc. SPIE 12422 (2023) 1242204.