Projekty

Ing. Miriam Krettová

Národné

Aktuálne
  • Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie
    Program: APVV
    Doba trvania: 1. 9. 2025 – 31. 8. 2029
  • MOCVD heteroepitaxia a analýza porúch tenkých vrstiev Ga2O3 pre pokročilé detektory UV-C žiarenia
    Program: APVV
    Doba trvania: 1. 7. 2026 – 30. 6. 2028
  • Potlačenie rotačných domén v heteroepitaxných vrstvách β-Ga2O3 rastených pomocu MOCVD na zafíre
    Program: DoktoGrant
    Doba trvania: 1. 1. 2026 – 31. 12. 2026
Pracovníci