Otvorenie Slovenského čipového kompetenčného centra
Slovensko má oficiálne otvorené vlastné Čipové kompetenčné centrum (SK CCC) a Elektrotechnický ústav SAV je jeho súčasťou. Slávnostné otvorenie sa uskutočnilo v piatok na Fakulte elektrotechniky a informatiky Slovenskej...
Vplyv morfológie prášku a aplikovanej deformácie na supravodivé prúdy “scarf” spojov medzi ex-situ MgB2 drôtmi
Supravodivosť umožňuje prenos jednosmerného elektrického prúdu bez strát, avšak je možné vyprodukovať len limitovanú dĺžku supravodivého drôta v jednom kuse (<...
Prednáška prof. Tuo-Hung Hou z univerzity NYCU, Taiwan
Elektrotechnický ústav SAV, v. v. i. pozýva na prednášku prof. Dr. Tuo-Hung (Alex) Hou z National Yang Ming Chiao Tung University...
Vysoko dopovaná GaN vrstva prináša stabilnejšie HEMT tranzistory bez straty prúdu
Vysoko kremíkom dopované vrstvy nitridu gália (n++ GaN) zohrávajú dôležitú úlohu pri vývoji moderných tranzistorov s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT), ktoré...
Hosťovanie delegácie z Litvy
Dňa 28. októbra 2025 privítal Elektrotechnický ústav SAV, v.v.i. (ElÚ SAV) vzácnu návštevu z Litvy, vedenú pani Wang Hsueh-Hong, šéfkou Taiwanskej reprezentatívnej...
