Národné projekty

Zvoľte rok pre výpis projektov

20262025202420232022202120202019201820172016201520142013201220112010200920082007200620052004200320022001200019991998199719961995199419931992199119901989198819871986198519841983198219811980

Aktuálne

NovelTHz - Nové heteroštruktúry pre (sub)THz elektroniku
Novel heterostructures for (sub)THz electronics
Doba trvania:	1. 9. 2025 – 31. 8. 2029
Evidenčné číslo:	APVV-24-0166
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Spoluriešitelia zo SAV:	Ing. Blaho Michal, PhD., Ing. Eliáš Peter, RNDr. Gregušová Dagmar, DrSc., Ing. Gucmann Filip, PhD., Ing. Hasenöhrl Stanislav, MSc. Chidambaram Roshan Jeevan , Mgr. Laurenčíková Agáta, PhD., Mgr. Nádaždy Peter, PhD., Ing. Pohorelec Ondrej, PhD., Ing. Rosová Alica, CSc., Ing. Stoklas Roman, PhD., Ing. Zápražný Zdenko, PhD.
Anotácia:	Rýchlosť a zložitosť digitálnych logických obvodov Si CMOS sa neustále zvyšuje zmenšovaním tranzistorov SiMOSFET, ale to nemôže pokračovať do nekonečna. Ďalší pokrok, ktorý je nevyhnutný pre počítače s vyššoukapacitou a energetickou účinnosťou, možno dosiahnuť nahradením tranzistorového Si kanála polovodičom typuIII-V, ktorý poskytne významné zvýšenie rýchlosti elektrónov. Podobne rastie záujem o používanie frekvencií THz vultra-vysokorýchlostných informačných a komunikačných systémoch, ako je bezdrôtová komunikácia, alebo vinfračervených zobrazovacích systémoch a spektroskopickej detekcii. InN je uznávaný sľubný kandidát pre ultravysokorýchlostnú elektroniku už takmer dve dekády. V skutočnosti, tieto očakávania boli veľmi nedávno podporenéaj tým, že sme extrahovali rýchlosť elektrónov 1 × 10e8 cm/s v 775 nm hrubej InN epitaxnej vrstve narastenejmolekulárnou zväzkovou epitaxiou. To je najvyššia hodnota, aká bola kedy zaznamenaná v akomkoľvekpolovodičovom materiáli. Bohužiaľ, kvôli veľkému neprispôsobeniu InN mriežky ku GaN podložke, tenšie InN vrstvytrpia veľkou hustotou defektov a nízkou pohyblivosťou elektrónov. Preto sa zatiaľ nepodarilo demonštrovaťmikrovlnný tranzistor na báze InN. Cieľom navrhovaného projektu je rozšíriť naše súčastné široké znalosti v oblastifyziky, rastu a implementácie heteroštruktúr s InN kanálom a etablovať ďalšie nové postupy epitaxie heteroštruktúrnevyhnutné pre uskutočnenie (sub)THz elektroniky. Zameriavame sa najmä na zlepšenie kryštalografickej amateriálovej kvality navrhovaných heteroštruktúr implementáciou nových techník MOCVD, ako sú: i/ Epitaxia smodulovaným prietokom, ii/ Rast na rôzne naklonenom zafíre, iii/ Rast krycej vrstvy a manipulácia náboja pomocoupolarizácie, s cieľom dosiahnuť iv/ Demonštrácia a kvalifikácia nových III-N heteroštruktúr pre (sub)THztranzistorovú elektroniku.

GO4HV - Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie
Gallium oxide power transistors for high-voltage operation
Doba trvania:	1. 9. 2025 – 31. 8. 2029
Evidenčné číslo:	APVV-24-0325
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Gucmann Filip, PhD.
Spoluriešitelia zo SAV:	doc. RNDr. Dobročka Edmund, CSc., Mgr. Egyenes Fridrich, PhD., Ing. Eliáš Peter, RNDr. Gregušová Dagmar, DrSc., Ing. Gucmann Filip, PhD., Ing. Hasenöhrl Stanislav, Ing. Hrubišák Fedor, RNDr. Hušeková Kristína, MSc. Chidambaram Roshan Jeevan , MTech. Chouhan Hemendra, MSc. Keshtar Javad, Ing. Krettová Miriam, Mgr. Laurenčíková Agáta, PhD., Ing. Rosová Alica, CSc., Ing. Sobota Michal, PhD., Ing. Ťapajna Milan, PhD.
Anotácia:	V tomto projekte sa zameriame na návrh, výrobu a charakterizáciu výkonových, poľom riadených tranzistorov sizolovanou hradlovou elektródou (MOSFET) na báze oxidu galitého (GaO), vhodných na spínanie vysokých napätí.Za pomoci novozakúpeného komerčného systému Aixtron CCS pre epitaxný rast GaO vrstiev z chemických párorganokovových zlúčenín (MOCVD) vyvinieme vysokokvalitné epitaxné GaO vrstvy na cudzích podložkách (zafír,SiC, AlN/Si). Jedným z hlavných zameraní tohto projektu je zvýšenie kvality heteroepitaxných GaO vrstievpomocou zníženia počtu rotačných domén v jeho rovine rastu, ktoré sú často prítomné pri GaO raste na cudzíchpodložkách s hexagonálnou symetriou povrchu. Systematickým prístupom budeme optimalizovať rastovéparametre a taktiež využijeme podložky s narušenou povrchovou symetriou pre zabezpečenie plošnej anizotropieepitaxného rastu a podporíme rast len niektorých orientácií GaO kryštalitov. Vďaka tomu očakávame zníženiekoncentrácie dislokácií v GaO vrstvách a zvýšenú pohyblivosť nosičov náboja čo v dôsledku povedie k nárastuvýstupného prúdu vyrobených MOSFET súčiastok. Pomocou elektrotepelných simulácií za pomoci TCAD softvérusa zameriame na optimalizáciu návrhu GaO MOSFETov s ohľadom na prierazné napätie >1 kV s využitím rôznychštruktúr pre optimlizáciu rozloženia el. poľa (field plates), pri súčasnej snahe o minimalizáciu odporu súčiastky vzopnutom stave. Plošná geometria MOSFET súčiastok bude taktiež optimalizovaná s ohľadom na zlepšenie ichtepelného menežmentu a súvisiacej spoľahlivosti a životnosti. Za pomoci konvenčných postupov výrobymikroelektronických súčiastok, t.j. fotolitografia, suché leptanie, PVD, ALD a PE-CVD, a s ohľadom naoptimalizovaný dizajn pripravíme funkčné GaO MOSFETy. Následne budeme charakterizovať ich elektrickévlastnosti vrátane el. prierazu a spoľahlivosti. Namerané experimentálne údaje budú použité na verifikáciuelektrotepelných súčiastkových TCAD simulácií a dalšie vylepšenie dizajnu GaO MOSFETov.

ZnižStrStr - Znižovanie striedavých strát v modeli kábla zo zväzku filamentovaných vysokoteplotných supravodičov
Reduction of AC losses in a cable model made of striated hightemperature superconductors
Doba trvania:	1. 9. 2025 – 31. 8. 2029
Evidenčné číslo:	APVV-24-0061
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Seiler Eugen, PhD
Spoluriešitelia zo SAV:	Ing. Frolek Lubomír, Ing. Kucharovič Martin, PhD., Ing. Kujovič Tomáš, PhD.
Anotácia:	Vysokoteplotné supravodiče na báze REBCO (Rare Earth Barium Copper Oxide) sa používajú vo vinutiachmagnetov pre zariadenia s vysokými magnetickými poľami (>10 T) ako sú časticové urýchľovače alebo reaktoryvyužívajúce jadrovú fúziu. Počas prevádzky týchto zariadení vznikajú striedavé straty a na REBCO supravodičepôsobia cyklické elektromagnetické sily, vznikajúce počas časovej zmeny magnetického poľa, ktoré môžu spôsobiťzlyhanie zariadenia.Cieľom tohto projektu bude vyvinutie filamentovaného REBCO supravodiča a kábla typu TORT (Tapes on RoundTube) s nízkymi striedavými stratami a vysokou mechanickou odolnosťou (napr, únavová životnosť). Zníženiestriedavých strát plánujeme dosiahnuť filamentizáciou supravodiča a zmenou materiálu jadra kábla. Po takomtoprocese je však nevyhnutné filamentované REBCO vrstvy ochrániť dodatočnou (multi)vrstvou za účelom chemickeja tepelnej stabilizácie. Jadro kábla bude vytlačené 3D tlačou z kompozitného materiálu na báze PETG CF(polyetylén tereftalát glykol vystužený uhlíkovým vláknom), s rádovo nižšou elektrickou vodivosťou než doterazpoužívané jadrá. Zmenou materiálu jadra v TORT kábli v porovnaní s konvenčným jadrom z Cu rúrok dokážemeznížiť celkové magnetizačné straty o zložku vírivých prúdov, ktorými doteraz prispievalo Cu jadro. Podľanumerických výpočtov (ANSYS, COMSOL) aplikujeme zodpovedajúce mechanické zaťaženie na REBCO pásky(neupravené/filamentované) a káble z týchto REBCO pások. Na kábloch potom zistíme ich mechanickú odolnosť,ktorú následne budeme zlepšovať na základe štúdii výsledného poškodenia REBCO pások pomocou metód SEM,FIB, XPS a ERDA.Za potvrdenie vhodnosti tohto konceptu budeme považovať úspešné zhotovenie krátkeho TORT kábla, ktorý budepozostávať z filamentovaných REBCO pások, so stabilizačnou (multi)vrstvou, navinutých na kompozitné jadro.Kombináciou vyššie uvedených materiálov dokážeme vytvoriť inovatívny supravodivý kábel s výrazne zníženýmimagnetickými stratami a vysokou mech. odolnosťou.

Cenovo dostupné fotodetektory s heteroprechodom Ga2O3-diamant pre UV zobrazovanie necitlivé na slnečné svetlo
Cost-effective Ga2O3-diamond heterojunction photodetectors for solar-blind UV imaging
Doba trvania:	1. 8. 2024 – 30. 7. 2029
Evidenčné číslo:	IM-2023-87
Program:	IMPULZ
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Varga Marian, PhD.

Heteroštruktúry na báze 2D dichalkogenidov prechodných kovov pre elektronické aplikácie
2D TMD-based heterostructures for electronic applications
Doba trvania:	1. 1. 2025 – 31. 12. 2028
Evidenčné číslo:	2/0075/25
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Sojková Michaela, PhD.

Tepelný manažment elektronických a optoelektronických súčiastok na báze Ga2O3
Thermal management in Ga2O3 based electronic and optoelectronic devices
Doba trvania:	1. 1. 2025 – 31. 12. 2028
Evidenčné číslo:	2/0156/25
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Ťapajna Milan, PhD.
Spoluriešitelia zo SAV:	Ing. Blaho Michal, PhD., Mgr. Egyenes Fridrich, PhD., Ing. Eliáš Peter, Ing. Fedor Ján, PhD, RNDr. Gregušová Dagmar, DrSc., Ing. Gucmann Filip, PhD., RNDr. Hušeková Kristína, Mgr. Kozak Andrii, PhD., RNDr. Kučera Michal, PhD, Ing. Pohorelec Ondrej, PhD.
Anotácia:	Ga2O3 je nový polovodičový materiál s potenciálom pre využitie v technológiách výkonových elektronickýchsúčiastok a detektorov UV a RTG žiarenia. Hlavnou nevýhodou Ga2O3 je jeho nízka tepelná vodivosť, ktorápredstavuje potenciálny problém pri efektívnom chladení výkonových súčiastok. Cieľom tohto projektu je vyvinúťpokročilé stratégie tepelného manažmentu v Ga2O3 elektronických a optoelektronických súčiastkach. Najprv sazameriame na vývoj rastu vrstiev Ga2O3 na vysoko tepelne vodivých (HTC) substrátoch, ako sú SiC a diamant,pomocou rôznych metód CVD s cieľom skúmať a optimalizovať transportné a tepelné vlastnosti Ga2O3 vrstvy atepelnú vodivosť rozhrania Ga2O3/HTC substrát. Druhým cieľom je vyvinúť technológiu CVD rastu diamantovejvrstvy na povrchu Ga2O3 slúžiacej na rozptyl tepla generovaného v aktívnej oblasti súčiastky. Tretí cieľ jezameraný na vývoj heteroepitaxných pn fotodiód na báze polykryštalickej štruktúry p-diamant/n-Ga2O3 prekonštrukciu UV fotodetektora necitlivého na slnečné žiarenie.

TECHAPHO - Ternárne chalkogenidové perovskity pre fotovoltaiku
Ternary chalcogenide perovskites for photovoltaics
Doba trvania:	1. 7. 2024 – 30. 6. 2028
Evidenčné číslo:	APVV-23-0202
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Spoluriešitelia zo SAV:	Ing. Bennár Michal, doc. RNDr. Dobročka Edmund, CSc., RNDr. Španková Marianna, PhD, Ing. Talacko Marcel, PhD.
Anotácia:	Cieľom navrhnutého projektu je príprava ternárnych chalkogenidov perovskitovej štruktúry a systematickácharakterizácia vzťahu medzi zložením, štruktúrou, optickými vlastnosťami, tepelnou a chemickou stabilitou s potenciálnym využitím vo fotovoltaike, príp. iných optoelektronických aplikáciách. Výsledkom bude pripravená skupina čistých ternárnych chalkogenidov vo forme kryštalických materiálov, tenkých filmov so známymi ako aj po prvýkrát pripravenými chemickými zloženiami a komplexná charakterizácia ich optických, elektronických vlastností, ako aj tepelnej a chemickej stability. Ternárne chalkogenidy budú takisto pripravené aj mokrou cestou do 350 °C v podobe nanokryštálov, ktoré budú charakterizované z hľadiska ich štruktúry a morfológie. Pripravený bude aj prototyp solárneho článku, ktorý doteraz nebol nikdy pripravený, po testoch výkonnosti bude prebiehať jeho optimalizácia.

CERBERUS - Farebné centrá v diamante – korelácia medzi atómovou štruktúrou a optoelektronickými vlastnosťami
Colour centres in diamond – correlation between atomic structure and opto-electronic properties
Doba trvania:	1. 9. 2024 – 31. 12. 2027
Evidenčné číslo:	APVV-23-0361
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Izsák Tibor, PhD.
Spoluriešitelia zo SAV:	Mgr.Phil. Ahmad Faizan, Ing. Gucmann Filip, PhD., Mgr. Hrdá Jana, PhD., RNDr. Hušeková Kristína, Mgr. Hutár Peter, PhD., MSc. Keshtar Javad, Mgr. Kotrusz Peter, PhD., Mgr. Kozak Andrii, PhD., Ing. Precner Marián, PhD., doc. Ing. Skákalová Viera, DrSc., Mgr. Sojková Michaela, PhD., Ing. Ťapajna Milan, PhD.
Anotácia:	Predmetom projektu je oblasť kvantových technológií. Pripravíme a charakterizujeme opticky aktívne defekty vdiamantoch a korelujeme atómové štruktúry s optickými vlastnosťami využiteľnými pre kvantové aplikácie. Preširoký rozsah koncentrácií dopantov identifikujeme distribúciu dopantov a pomocou mikroskopie s atomárnymrozlíšením a spektroskopických techník budeme pozorovať vývoj jednotlivých konfigurácií atómov dopantu počastepelného žíhania. Ďalej budeme študovať vplyv žíhania na optoelektronické vlastnosti meraním fotoluminiscencie,fotoprúdu a elektroluminiscencie pre rovnakú sadu vzoriek. Pre meranie fototransportu budú pripravené priehľadnégrafénové elektródy na diamantovom povrchu. Pre meranie elektroluminiscencie budú pripravené hybridné p-i-ndiódy na báze diamantu. Zameriame sa na hľadanie korelácie medzi atomárnou štruktúrou a optoelektronickýmivlastnosťami rôzne dopovaných diamantov. To prispeje k pochopeniu fundamentálneho vzťahu potrebného naefektívne navrhovanie opticky aktívnych prvkov pre diamantové kvantové zariadenia.

Nové hybridné polovodičové štruktúry pre detekciu ionizujúceho žiarenia
New hybrid semiconductor structures for ionizing radiation detection
Doba trvania:	1. 1. 2024 – 31. 12. 2027
Evidenčné číslo:	2/0063/24
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Zaťko Bohumír, PhD

PEROVCHIR - Vplyv aplikácie organických molekúl na vlastnosti perovskitovských tenkovrstvových štruktúr
Effect of the application of organic molecules on the properties of perovskite thin-film structures
Doba trvania:	1. 7. 2024 – 31. 12. 2027
Evidenčné číslo:	APVV-23-0238
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Španková Marianna, PhD
Spoluriešitelia zo SAV:	Ing. Bennár Michal, doc. RNDr. Dobročka Edmund, CSc., Ing. Chromik Štefan, DrSc., Mgr. Mosnáček Jaroslav, DrSc., Mgr. Sojková Michaela, PhD., RNDr. Španková Marianna, PhD, Ing. Talacko Marcel, PhD., Ing. Vanko Gabriel, PhD.
Anotácia:	Za posledné roky sa nahromadilo dosť experimentálnych dôkazov, že adsorbované organické chirálne molekulymajú vplyv na supravodivé vlastnosti YBa2Cu3O7-x (YBCO) vrstiev. V niektorých prípadoch je možné pozorovať nárast ich kritickej teploty Tc. Na druhej strane sa ukazuje, že v prípade feromagnetických vrstiev (napr. kobaltu) aplikácia chirálnych molekúl môže viesť k zmene magnetizácii bez použitia elektrického prúdu. Dôležitú úlohu tu hrá spin, ktorý uvádza do systému ďalší stupeň voľnosti a dáva tak možnosť zariadeniam napríklad znížiť elektrickú spotrebu alebo navýšiť ich výpočtovú kapacitu. Spintronické zariadenia sa tak stali lákadlom v elektronike, avšak problémy spojené s ovládaním spinu sú obrovskou výzvou. Unikátnym spôsobom určitej manipulácie so spinom je efekt nazývaný chirálne indukovaná spinová selektivita (CISS), ktorý je výsledkom osobitnej štruktúry organických chirálnych molekúl. Projekt sa sústredí na prípravu a charakterizáciu jednoduchých heteroštruktúr a ich interakciu s chirálnymi polymérmi nanesenými na povrch vrstviev. Konkrétne sa jedná o vplyv chirálnej kyseliny mliečnej na perovskitovské tenké vrstvy, kde vybrané perovskity sú vysokoteplotný supravodič YBCO a feromagnet La1 - xSrxMnO3 (LSMO).

ROTOLES - Optimalizovaný rast a transportné a optické vlastnosti tenkých vrstiev vybraných topologických polokovov
Optimised growth and the transport and optical properties of thin layers of selected topological semimetals
Doba trvania:	1. 7. 2024 – 30. 6. 2027
Evidenčné číslo:	APVV-23-0564
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Dr. rer. nat. Hulman Martin
Spoluriešitelia zo SAV:	doc. RNDr. Dobročka Edmund, CSc., doc. RNDr. Gažová Zuzana, DrSc., Mgr. Hrdá Jana, PhD., Ing. Krajčovičová Timea Ema, doc. RNDr. Moško Martin, DrSc., Ing. Precner Marián, PhD., RNDr. Pribusová Slušná Lenka, PhD., doc. Ing. Skákalová Viera, DrSc., Mgr. Sojková Michaela, PhD., RNDr. Španková Marianna, PhD, doc. Mgr. Ziman Mário, PhD.
Anotácia:	Jedným zo zásadných výsledkoch kvantovej mechaniky v dvadsiatych rokoch 20. storočia bolo odvodenierelativistické rovníc pre hmotné fermióny (Dirac), nehmotné fermióny (Weyl) a fermióny ktoré sami sebe antičastice(Majorana). Od tých čias prebieha v časticovej fyzike pátranie po časticiach, ktoré by reprezentovali Weylove aMajoranove fermióny. Ich hľadanie však dodnes nebolo úspešné.V priebehu posledných dvadsiatich rokov sa ukázalo, že pásová štruktúra niektorých tuhých látok má tak špeciálnecharakteristiky, že nosiče náboja sa v nich môže správať podľa dynamiky spĺňajúcej Diracovu alebo Weylovurelativistickú rovnicu. Medzi takéto látky patria a materiály zo skupiny dichalkogenidov prechodových kovov, naktoré sa sústredíme v našom projekte.My budeme pracovať s veľmi tenkými vrstvami vybraných materiálov z tejto skupiny, ako sú PtSe2, MoTe2 aWTe2. Prvým krokom v implementácii projektu bude príprava takýchto vrstiev metódou chalkogenizácie tenkýchfilmov prechodových kovov. Tenké vrstvy budeme potom skúmať pomocou meraní ich transportných a optickýchvlastností. Teplotne závislé merania transportu nám môžu ukázať prechody medzi rôznymi štruktúrami toho istéhomateriálu. Očakávame, že sa bude dať pozorovať prechod kov-izolant v prípade, keď sa bude meniť hrúbkatakýchto tenkých vrstiev. Pri veľmi nízkych teplotách môžu niektoré z týchto materiálov prejsť do supravodivéhostavu. Tento stav sa pokúsime vyvolať aj proximitne, t.j. keď je tenká vrstva v kontakte s iným supravodičom.Optické merania budú korelované s transportnými meraniami. Z nich odvodíme dôležité optické charakteristiky,ako je napríklad frekvenčná závislosť optickej vodivosti. Vo frekvenčnej závislosti optickej vodivosti budeme hľadaťcharakteristiky teoreticky predpovedané pre Diracove a Weylove fermióny.

PIRADUNEW - Perspektívne detektory ionizujúceho žiarenia pre nepokryté energetické okno neutrónov
Perspective ionizing radiation detectors for the uncovered neutron energy window
Doba trvania:	1. 7. 2023 – 30. 6. 2027
Evidenčné číslo:	APVV-22-0382
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Zaťko Bohumír, PhD
Spoluriešitelia zo SAV:	RNDr. Boháček Pavol, CSc., Ing. Izsák Tibor, PhD., Ing. Kováčová Eva, MSc. Parsa Saeb Saviz, Mgr. Sekáčová Mária, Ing. Varga Marian, PhD.
Anotácia:	Predmetom predkladaného projektu je optimalizácia a príprava polovodičových detekčných štruktúr na báze 4HSiC a polykryštalického diamantu vhodných pre detekciu neutrónov. V rámci projektu budú pripravované a skúmané single detektory najmä pre energie neutrónov od 100 keV do niekoľkých MeV. V tejto oblasti energií je vsúčasnosti málo citlivých neutrónových detektorov. Výhody SiC a polykryštalického diamantu sú vysoká radiačná a teplotná odolnosť štruktúr. Dôležitá je aj vysoká spektrometrická schopnosť SiC detektorov hlavne pri detekcii neutrónov s energiami pod 1 MeV. Polykryštalický diamant je cenovo dostupnejší oproti SiC a naše prvé predbežné výsledky ukazujú jeho sľubné detekčné vlastnosti najmä pri detekcii ionizujúcich častíc. Ďalšou výhodou obidvoch typov polovodičov je nízka citlivosť pre gama žiarenie, ktoré je takmer vždy prítomné v prípade, že pri jadrovej reakcii dochádza k vzniku neutrónov. Toto gama žiarenie zvyšuje pozadie a zhoršuje citlivosť v súčasnosti využívaných detektorov. Ďalej budú pripravované a skúmané aj pixelové senzory pre vyčítavací čip Timepix/Medipix. Prototypy radiačnej kamery budú testované a kalibrované pomocou zdroja monoenergetických neutrónov.

Tepelná stabilita supravodivých cievok a filamentovaných REBCO pások
Thermal stability of superconducting coils and filamentized REBCO tapes
Doba trvania:	1. 1. 2024 – 31. 12. 2026
Evidenčné číslo:	2/0098/24
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Seiler Eugen, PhD
Spoluriešitelia zo SAV:	MSc. Dadhich Anang, PhD., Ing. Frolek Lubomír, doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc., MSc. Hussain Arif, PhD., Ing. Kucharovič Martin, PhD., Ing. Kujovič Tomáš, PhD., Ing. Mošať Marek, PhD., Mgr. Pardo Enric, PhD., Ing. Ries Rastislav, PhD., Mgr. Soloviov Mykola, PhD., Ing. Šouc Ján, CSc., Štefánik Stanislav, Tančár Juraj
Anotácia:	Projekt sa zaoberá skúmaním elektricko-tepelnej stability filamentovaných supravodivých REBCO pások asupravodivých cievok pri transporte elektrického prúdu. Cieľom je vyvinúť teoretické modely a výpočtové metódyumožňujúce určiť maximálny transportný prúd ktorý môže tiecť supravodivou cievkou a filamentovanou páskoubez rizika prudkého lokálneho ohrevu. Charakterizácia pások a cievok bude vychádzať zo štandardných meranía takisto aj z osobitne navrhnutých experimentov a umožní tak zapracovať do modelov reálne parametre v praxidostupných supravodivých vodičov. Pre účely experimentálnej verifikácie teoretických modelov tepelnej stabilitysupravodivých cievok budú skonštruované špeciálne modelové cievky vybavené sadou napäťových a teplotnýchsenzorov pre detailné sledovanie elektricko-tepelnej stability. Výstupy teoretických modelov budú následnepoužité pri konštrukcii cievok väčších rozmerov, použiteľných v reálnych elektrických zariadeniach.

Grafénom zapuzdrené dvojrozmerné magnetické materiály ako platforma pre spintronické zariadenia
Graphene encapsulated two-dimensional magnetic materials as a platform for spintronics devices
Doba trvania:	1. 1. 2025 – 31. 8. 2026
Evidenčné číslo:	09I05-03-V03-00071
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Precner Marián, PhD.
Anotácia:	V súčasnosti zaznamenáva oblasť materiálovej vedy rýchly rast. Tento projekt sa venuje skúmaniu a vývoju dvojrozmerných van der Waalsových heteroštruktúr, ktoré predstavujú fyzikálne systémy, ktoré zohrávajú kľúčovú úlohu pri rozvoji budúcich technológií zameraných na digitálnu a ekologickú energetickú transformáciu v súlade so všeobecnými záujmami našej spoločnosti. Predmetom nášho skúmania sú nové systémy – dvojrozmerné magnetické kovové jodidy zapuzdrené v graféne, ktoré sa pripravia syntetickou metódou (SinGO) v jedinom kroku. Projekt spája výskumné tímy s komplementárnymi odbornými znalosťami a infraštruktúrou s cieľom maximalizovať synergiu, čo umožní realizovať základný teoretický a experimentálny výskum, technologické zdokonalenie prípravy vzoriek a demonštráciu koncepcie, ktorá ukáže, že konverziu náboja na spin možno realizovať prostredníctvom efektov vyvolaných vzájomnou blízkosťou vo vyrobených prototypových zariadeniach.

Materiály so zvýšenou bezpečnosťou pre Li-iónové batérie
Enhanced safe materials for Li-ion batteries
Doba trvania:	1. 1. 2025 – 31. 8. 2026
Evidenčné číslo:	09I04-03-V02-00028
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Hudec Boris, PhD.
Anotácia:	Vývoj, výroba a používanie batérií sú životne dôležité pre prechod EÚ na klimaticky neutrálne hospodárstvo, pretože batérie zohrávajú kľúčovú úlohu pri doprave, energetike a priemysle s nulovými emisiami. Lítium-iónové batérie 3. generácie sú v súčasnosti najrozšírenejšou batériou používanou v mobilných vozidlách s elektrickým pohonom. Cieľom projektu je vyvinúť materiály, ktoré zvýšia bezpečnosť prevádzky lítium-iónových batérií pasívnym spôsobom. Každý z komponentov Li-iónovej batérie môže prispieť k zvýšeniu bezpečnosti prevádzky batérií. V rámci projektu máme v úmysle vyvinúť anódu a katódu so zvýšeným výkonom a vlastnosťami spomaľujúcimi horenie. Ďalej bude navrhnutý nový typ separátora, ktorý zabráni mechanickému a tepelnému poškodeniu počas prevádzky. Nakoniec budú vyhodnotené elektrochemické vlastnosti a výkon štandardnej batérie a batérie pozostávajúcej z materiálov so zvýšenou bezpečnosťou v podmienkach blízkych tepelnému kolapsu.

Supravodivé komponenty pre vodíkovo-elektrické lietadlá
Superconducting components for hydrogen-electric aircraft
Doba trvania:	1. 3. 2024 – 31. 8. 2026
Evidenčné číslo:	09I04-03-V02-00039
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Pardo Enric, PhD.
Anotácia:	Letecká doprava je rastúcim zdrojom emisií skleníkových plynov (CO2, NOx a vodná para vo vysokých výškach). Ceny fosílnych palív pritom budú ďalej rásť. Budúcnosť komerčného letectva tak predstavujú lietadlá bez emisií. Veľmi perspektívne sú vodíkovo-elektrické lietadlá, pri ktorých elektrina pochádza buď z vodíkových palivových článkov alebo zo spaľovania vodíka v turbínových generátoroch. Elektrické hnacie ústrojenstvo umožňuje distribuovaný pohon, ktorý výrazne zlepšuje aerodynamiku lietadla a má potenciál ušetriť až 70 % energie. Keďže tekutý vodík vrie pri teplote 20 K (-253o C), je možné použiť supravodivé elektrické motory a káble na prenos energie, ktoré sú oveľa ľahšie ako bežné. Predkladaný projekt je zameraný na vývoj supravodivých komponentov hnacej sústavy (elektromotory, napájacie káble) a supravodivých materiálov z ktorých sa skladajú. Výsledky projektu budú užitočné aj pre iné oblasti dekarbonizácie, ako jadrová fúzia, veterné turbíny a prenos elektrickej energie.

Vývoj pokročilých nanoštruktúrovaných materiálov pre elektrokatalýzu s použitím ekologických hlboko eutektických rozpúšťadiel: Trvalo udržateľný prístup k dekarbonizácii
Development of Advanced Nano-structured Materials for Electrocatalysis using an Eco-friendly Deep Eutectic Solvents: A Sustainable Approach to Decarbonisation
Doba trvania:	1. 1. 2025 – 31. 8. 2026
Evidenčné číslo:	09I04-03-V02-00006
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Šoltýs Ján, PhD
Anotácia:	Projekt „ Vývoj pokročilých nanoštruktúrovaných materiálov pre elektrokatalýzu s použitím ekologických hlboko eutektických rozpúšťadiel: Trvalo udržateľný prístup k dekarbonizácii“ rieši naliehavú globálnu výzvu dekarbonizácie vývojom vysoko účinných elektrokatalyzátorov pre výroby „zeleného“ vodíka. Táto inovatívna a komplexná výskumná iniciatíva presahuje súčasný stav v niekoľkých zásadných smeroch. S využitím ekologických hlbokých eutektických rozpúšťadiel a pokročilých nosičov katalyzátorov, ako sú napríklad kovové a uhlíkové peny, sa projekt zameriava na výskum, vývoj, optimalizáciu a charakterizáciu nových elektrokatalyzátorov prispôsobených na efektívny vývoj vodíka v alkalických vodných roztokoch. Tieto katalyzátory, pozostávajúce z nanoštruktúrnych povlakov zliatin na báze Ni, Co, Mo, Fe a kompozitov obsahujúcich S, P, povlakovaných nanočasticami ušľachtilého kovu, sú navrhnuté tak, aby zvýšili elektrokatalytickú aktivitu a stabilitu. Jedinečnosť projektu spočíva v jeho hĺbkovom teoretickom zábere, ktorý nielen skúma elektrolytické nanášanie a bezprúdové nanášanie katalyzátorov, ale poskytuje aj dôkladné pochopenie vzťahu medzi zložením, morfológiou a výkonom katalyzátora. Cieľom projektu je vyvinúť komplexné teórie, ktoré umožnia efektívne dizajnovanie multifunkčných katalyzátorov, ktoré synergicky kombinujú výhody rôznych aktívnych miest, čím posúvajú hranice výskumu katalýzy. Okrem toho projekt vyhodnotí použiteľnosť týchto nových materiálov pre potenciálne priemyselné aplikácie, pričom sa zohľadnia faktory, ako je efektívnosť nákladov, energetická účinnosť a uskutočniteľnosť. Zdôraznením výroby „zeleného“ vodíka pomocou obnoviteľných zdrojov energie projekt podporuje globálny prechod k čistejším energetickým riešeniam, prispieva k zníženiu emisií uhlíka a rieši otázky trvalej udržateľnosti. Takýto pokrokový prístup je založený na medziodborovej spolupráci, medziregionálnych partnerstvách a pripravuje základ pre budúce projekty financované z EÚ, ako napríklad Európskou radou pre výskum (ERC) a Horizont Európa. Navrhovaný projekt predstavuje významný krok vpred v oblasti elektrokatalýzy, ktorý ponúka holistický prístup k riešeniu výziev katalýzy a výroby vodíka. Inovatívne materiály, nové prístupy, udržateľné postupy a teoretické základy, ktoré sa získajú pri realizácii projektu, budú slúžiť ako transformačná sila na ceste k čistejšej a udržateľnejšej energetickej budúcnosti.

InN: prielom v elektronike tuhej fázy
InN: Breaking the Limits of Solid-State Electronics
Doba trvania:	1. 11. 2023 – 30. 6. 2026
Evidenčné číslo:	09I01-03-V04 -00019
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Kuzmík Ján, DrSc.
Anotácia:	Projekt InBreak nadväzuje na pôvodný horizontový projekt NANOMAT. Cieľom NANOMATu je inaugurovať a založiť novú doménu „Flexibilnej (konformnej) výkonovej RF nanoelektroniky“ prostredníctvom ambicióznej inovatívnej heterogénnej technologickej platformy zahŕňajúcej elektroniku na organickej báze a chladiče, polovodičové monolitické mikrovlnné integrované obvody so širokým pásmovým rozdielom (MMIC), rádiofrekvenčné mikroelektromechanické akčné členy (RF MEMS) a akustické senzory.V projekte InBreak bude InN ako jedinečný polovodičový materiál rásť ako plne namáhaný kanál na navrhnutej prispôsobenej vyrovnávacej vrstve InAlN s polaritou N. Očakávame koherentný rast a teoreticky predpovedaný výkon HEMT InN kanála. V projekte bude teda konvenčný GaN buffer nahradený uvoľneným InAlN s In molárnou frakciou 0,7-0,9. Očakávame, že tento prístup v kombinácii s tenkou GaN medzivrstvou medzi InAlN bariérou a InN kanálom povedie k vynikajúcemu zadržaniu 2-rozmerného elektrónového plynu (2DEG) s vysokou hustotou v epi-štruktúrach. Splnenie projektu umožní dosiahnutie podstatne vyšších pracovných frekvencií s potenciálom prechodu na technológiu 6G v (sub)THz pásme.

Memristívna senzorika pre post-digitálnu elektroniku
Memristive sensorics for post-digital electronics
Doba trvania:	1. 9. 2023 – 30. 6. 2026
Evidenčné číslo:	09I03-03-V02-00044
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	Dehghan Mohammad
Anotácia:	„In-sensor computing“ je novou paradigmou pre elektroniku 21. storočia, inšpirovanou prírodou. V dnešnej elektronike je pre ďalšie spracovanie potrebné všetky zašumené, neštruktúrované dáta zo senzorov najprv digitalizovať. Toto bude čoskoro problém vzhľadom na exponenciálny nárast počtu senzorov a nimi produkovaným dát, ako v spotrebiteľskej elektronike ako sú samojazdiace vozidlá, tak aj v priemysle v rámci Industrie 4.0. Na druhej strane, v systémoch inšpirovaných prírodou nie sú senzory a spracovanie oddelené, naopak, senzorické uzly priamo tvoria synaptické spojenia hardvérovej neurónovej siete, kde vonkajšie senzorické stimuly priamo ovplyvňujú maticu synaptických váh. Toto umožňuje do siete zakódovať jednoduché algoritmy pre spracovanie signálov do rozumných výstupov v reálnom čase. V tejto téze sa študent naučí a porozumie ako postaviť takýto prototypový „smart“ senzorový systém od základov, a to depozíciou, tvarovaním a skladaním ultra-tenkých (~nm) kovových a oxidových filmov do jednoduchých senzorov a memristorov, s následným usporiadaním týchto súčiastiek do funkčných senzorických matíc neurónovej siete na čipe. Študent získa expertízu v nano-fabrikačných metódach s dôrazom na depozíciu po atomárnych vrstvách (ALD), metódach materiálových a elektrických analýz, a návrhu hardvérových neurónových sietí na báze nových súčiastok. Téza je súčasťou širšieho projektu a študent bude súčasťou nášho výskumného tímu. Hľadáme kreatívneho a nadšeného tímového hráča, predchádzajúca skúsenosť v príbuzných oblastiach je plusom.

Nanoelsen - Nanoštrukturované tenkovrstvové materiály vyznačujúce sa slabými väzbovými interakciami pre elektronické a senzorické aplikácie
Nanostructured thin-film materials characterized by weak binding interactions for electronic and sensoric applications
Doba trvania:	1. 7. 2022 – 30. 6. 2026
Evidenčné číslo:	APVV-21-0278
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Gregušová Dagmar, DrSc.
Spoluriešitelia zo SAV:	Ing. Blaho Michal, PhD., RNDr. Gregušová Dagmar, DrSc., RNDr. Haščík Štefan, PhD., Mgr. Hrdá Jana, PhD., Ing. Pohorelec Ondrej, PhD., RNDr. Pribusová Slušná Lenka, PhD., Mgr. Sojková Michaela, PhD., Mgr. Vojteková Tatiana
Anotácia:	Predkladaný projekt je zameraný na základný výskum procesov prípravy a vlastností polovodivých sulfidovprechodových kovov ako Mo, W a Ni a vybraných kombinácii s ich oxidmi vo forme zmiešaných sulfidov a oxidov,ako aj o možnostiach ich dopovania vzácnymi kovmi (Pt, Au) pre použitie v senzoroch plynovako aj v superkondenzátoroch. Zároveň predpokladáme plné využitie polovodičových mikroelektronických amikromechanických techník a mikro/nanotechnológií, čo významnou mierou môže pomôcť ku kvalitatívnezlepšeným detekčným vlastnostiam, nízkej prevádzkovej spotrebe elektrickej energie senzorov na detekciu plynovako aj k zvýšenej energetickej účinnosti a doby života superkondenzátorov.

Nové polovodičové materiály pre pixelové senzory s využitím pre digitálnu rádiografiu
New semiconductor materials for pixel sensors with applications in digital radiography
Doba trvania:	1. 1. 2024 – 30. 6. 2026
Evidenčné číslo:	09I05-03-V02-00073
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Zaťko Bohumír, PhD
Anotácia:	Digitálne zobrazovanie s využitím rtg alebo iných typov ionizujúceho žiarenia (neutróny, elektróny, ióny ...) je čoraz viac využívanejšie v rôznych oblastiach ľudskej činnosti. Digitálne systémy pracujúce v režime tvz. počítania jednotlivých častíc resp. udalostí získavajú čoraz väčší záujem o skúmanie a postupný rozvoj. Najperspektívnejšie v tejto oblasti sa javia vyčítavacie čipy typu Timepix vyvinuté v CERNe. Hlavným cieľom projektu je príprava a optimalizácia polovodičových pixelových senzorov pre vyčítavací čip TPX4. Využijeme naše doterajšie skúsenosti s prípravou senzorov na báze SiC a GaAs, ktoré s týmto čipom doteraz neboli použité. Výhoda nového TPX4 čipu oproti predchádzajúcej verzii je vo väčšej detekčnej ploche (3,5×), vyššej maximálnej rýchlosti (8×), lepšiemu energetickému rozlíšenie a časovému rozlíšeniu. Využitie týchto senzorov resp. radiačných kamier by bolo najmä v priemysle pri defektoskopii, analýze rôznych materiálov, v medicíne, v kozmickom výskume a podobne.

Perspektívne detektory ionizujúceho žiarenia pre vysoko-energetické
Perspective ionizing radiation detectors for high-energy particles
Doba trvania:	1. 7. 2024 – 30. 6. 2026
Evidenčné číslo:	09I03-03-V06-00108
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Zaťko Bohumír, PhD
Anotácia:	Cieľom projektu je obstaranie výskumnej infraštruktúry, ktorá bude využitá počas implementácie projektu APVV-22-0382 a na realizáciu ďalšieho nezávislého výskumu a vývoja vykonávaného organizáciou.

Pokročilé hybridné superkondenzátorové prvky na báze 2D materiálov
Advanced 2D based hybrid supercapacitor devices
Doba trvania:	1. 3. 2024 – 30. 6. 2026
Evidenčné číslo:	09I05-03-V02-00037
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Sojková Michaela, PhD.
Anotácia:	Projekt je zameraný na výskum a vývoj pokročilých 2D-TMD, uhlíkových materiálov a elektródových architektúr pre aplikácie superkondenzátorov. Cieľom je zvýšiť hustotu energie, životnosť a výkon superkondenzátorov ako udržateľných alternatív na skladovanie energie k batériám pre kľúčové digitálne elektronické a elektronické aplikácie. V rámci projektu budú skúmané materiály na báze uhlíka (2D g-C3N4, biouhlie), 2D-TMD pseudokapacitné materiály (napr. MoS2), materiály batériového typu (napr. NiS2, Ni(OH)2) a ich kompozity, nanoštruktúry/heteroštruktúry v konfigurácií bez spojív ako perspektívne negatívne a pozitívne elektródy pre pokročilé hybridné superkondenzátorové zariadenia. Superkondenzátory so zlepšenými vlastnosťami zvýšia udržateľnosť a užívateľskú hodnotu elektronických systémov a spustia nové aplikácie a nové obchodné príležitosti v kľúčových digitálnych technológiách a mobilite v slovenskom a európskom priestore.

Pokročilé nízkotrecie povlaky na báze ultratenkých 2D-TMDC pre extrémne podmienky
Lubrication challenge for ultra-thin advanced 2D-TMDC in extreme conditions
Doba trvania:	1. 7. 2024 – 30. 6. 2026
Evidenčné číslo:	09I03-03-V04-00709
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Kozak Andrii, PhD.
Anotácia:	Trenie, adhézia a opotrebovanie sú významne ovplyvnené nielen chemickými a fyzikálnymi vlastnosťami predmetov v relatívnom pohybe, ale aj ich tvarom, rozmermi interagujúcej plochy a prostredím. Zmenšenie pohybujúcich sa objektov na nanoškálu spôsobuje, že povrchové sily začnú dominovať tribologickému správaniu a možno pozorovať výskyt ďalších mechanizmov disipácie energie, ktoré môžu byť rozhodujúce pre životnosť a spoľahlivosť systémov.Na druhej strane, prostredie spôsobuje rôzne účinky na klzné rozhranie, čo podporuje štrukturálnu superlubricitu alebo opačné extrémne vysoké trenie spôsobené atómovými interakciami. Cieľom tohto projektu je vývoj nízkotrecích povlakov využiteľných pre pokročilé aplikácie na nano- a makroúrovni. Budeme pripravovať ultratenké povlaky na báze 2D dichalkogenidov prechodových kovov (PtSe2, MoSe2) s cieľom študovania ich štruktúrnych zmien počas trenia na vzduchu a vo vákuu ako aj zvýšenej teplote. Procesy trenia a opotrebenia povrchu 2D materiálov a ich rozhraní budeme systematicky analyzovať na nano- aj makroškále.Získané poznatky využijeme na vývoj nových ultratenkých nízkotrecích povlakov pre rôzne kovové substráty na báze 2D materiálov využiteľných vo vákuu.

Smart senzory plynu a teploty s nízko-úrovňovým in-sensor spracovaním dát na báze neurónovej siete
Smart gas and temperature sensors with neural-network-based low-level in-sensor data processing capability
Doba trvania:	1. 3. 2024 – 30. 6. 2026
Evidenčné číslo:	09I05-03-V02-00058
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Hudec Boris, PhD.
Anotácia:	Veľké množstvo senzorických prvkov komunikujúcich navzájom alebo s centrálnymi riadiacimi jednotkami je neoddeliteľnou súčasťou internetu vecí. Problematickým je však s tým súvisiaci prenos a spracovanie extrémneho množstva produkovaných dát. Jedným z riešení uvedeného problému je spracovanie senzorických dát v tesnej blízkosti senzora (tzv. near-sensor computing), alebo priamo v senzore (tzv. in-sensor computing), čím sa radikálne znižujú nároky na ich následný prenos a spracovanie. V tomto projekte sa zameriavame na vývoj rezistívnych senzorov plynov a teploty implementovaných do synaptickej matice hardvérovej neurónovej siete, čo umožní nízko-úrovňové spracovanie nameraných senzorických dát priamo v tejto sieti pomocou hardvérového algoritmu. V projekte vyvinieme metodiku na výpočet tohto algoritmu ako aj na jeho zakódovanie do senzorovej matice. Táto metodika bude jedným z výstupov projektu s potenciálom širšieho uplatnenia v hardvérových neurónových sieťach.

Štúdium 2D heteroštruktúr na báze TMD
Study of TMD-based 2D heterostructures (TO-DO)
Doba trvania:	1. 7. 2024 – 30. 6. 2026
Evidenčné číslo:	SK-AT-23-0021
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Sojková Michaela, PhD.

Transit2D - Tranzistory na báze 2D kovových chalkogenidov pripravených teplom podporovanou konverziou
Transistors based on 2D Metal Chalcogenides Grown via Thermally Assisted Conversion
Doba trvania:	1. 7. 2022 – 30. 6. 2026
Evidenčné číslo:	APVV-21-0231
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Ťapajna Milan, PhD.
Spoluriešitelia zo SAV:	Mgr. Egyenes Fridrich, PhD., Ing. Eliáš Peter, Ing. Fedor Ján, PhD, Mgr. Feilhauer Juraj, PhD., RNDr. Gregušová Dagmar, DrSc., Ing. Gucmann Filip, PhD., Mgr. Hrdá Jana, PhD., Ing. Hrubišák Fedor, Ing. Hudec Boris, PhD., Dr. rer. nat. Hulman Martin, RNDr. Hušeková Kristína, Mgr. Hutár Peter, PhD., MSc. Keshtar Javad, Mgr. Laurenčíková Agáta, PhD., Ing. Pohorelec Ondrej, PhD., RNDr. Pribusová Slušná Lenka, PhD., Mgr. Sojková Michaela, PhD., Ing. Stoklas Roman, PhD., Ing. Ťapajna Milan, PhD., Mgr. Vojteková Tatiana
Anotácia:	2D materiály majú schopnosť vytvárať atomárne tenké vrstvy s mimoriadnymi vlastnosťami. Jednou znajsľubnejších skupín 2D materiálov sú dichalkogenidy prechodných kovov (TMD). Zmena typu energetickejmedzery z nepriamej na priamu pri stenčovaní na monoatomárnu vrstvu vedie k jedinečným elektrickým a optickýmvlastnostiam 2D TMD. Ďalšou zaujímavou skupinou 2D materiálov sú chalkogenidy post-prechodných kovov(PTMC). Tieto materiály majú širokú energetickú medzeru a v závislosti od štruktúry materiálu vykazujúanizotropné elektrické a optické vlastnosti. Cieľom tohto projektu je príprava poľom riadených tranzistorov sizolovaným hradlom (MOSFET) a ultra-tenkou kanálovou vrstvou na báze vybraných TMD a PTMC a podrobnéštudovanie ich transportných vlastností. Zameriame sa na veľkoplošné niekoľkovrstvové PtSe2 a GaS/GaSe vrstvyrastené teplom asistovanou konverziou, teda sulfurizáciou a selenizáciou. Na základe existujúcich skúsenostíbudeme optimalizovať štruktúrne a elektrické vlastnosti horizontálne-orientovaných PtSe2 vrstiev pripravenýchselenizáciou s cieľom dosiahnutia pohyblivosti nosičov náboja porovnateľnej s najkvalitnejšími vrstvamipripravenými mechanickou exfoliáciou. Následne budeme vyvíjať a optimalizovať procesnú technológia MOSFETsúčiastok využívajúca architektúru hornej aj spodnej hradlovej elektródy. Na rast hradlových oxidov budú použitéetablované metódy rastu po atomárnych vrstvách a chemickej depozície z pár organokovových zlúčenín (MOCVD).2D vrstvy GaS/GaSe budeme pripravovať pomocou chalkogenizácie ultratenkých vrstiev Ga2O3 rastenýchmetódou MOCVD. Po vývoji a optimalizácii rastu 2D GaS/GaSe sa zameriame na vývoj MOSFET súčiastok.Okrem elektrických vlastností budeme skúmať aj optické vlastnosti pripravených 2D materiálov.

Veľkoplošná výroba a charakterizácia 2D materiálov
Large-scale production and characterization of 2D materials
Doba trvania:	1. 9. 2023 – 30. 6. 2026
Evidenčné číslo:	09I03-03-V02-00044
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr.Phil. Ahmad Faizan

Výskum technológie výroby nízkonákladových polovodičových zariadení na báze oxidov pre IoT a senzorové aplikácie
Research of fabrication technology for low-cost oxide-based semiconductorelectronic devices for IoT and sensor applications
Doba trvania:	1. 1. 2024 – 30. 6. 2026
Evidenčné číslo:	09I05-03-V02-00030
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Ťapajna Milan, PhD.
Anotácia:	Inkjet tlač sol-gel materiálového atramentu a hmlové chemické nanášanie z pár sú nízkonákladové techniky depozície tenkých polovodičových vrstiev na báze oxidov ako aj prípravu elektronických prvkov. Ponúkajú niekoľko výhod oproti štandardným technikám, vrátane jednoduchosti, nízkym výrobným nákladom, prispôsobivosti a schopnosti nanášať vrstvy aj pri nízkych teplotách a bez potreby vákua. Tieto techniky majú potenciál spôsobiť revolúciu vo výrobe oxidových polovodičových prvkov a umožňujú ich uplatnenie v širokej škále aplikácií. Navrhovaný projekt sa zaoberá výskumom týchto pokročilých depozičných techník a končí demonštrátormi konceptu polovodičových súčiastok na báze oxidov. Nízkonákladové techniky nanášania môžu byť optimalizované tak, aby boli energeticky účinnejšie a šetrnejšie k životnému prostrediu, čo prispieva k udržateľnejšej výrobe polovodičov. Keď budú náklady klesať, predtým drahé technológie sa môžu stať prístupnejšími pre marginalizované alebo rozvojové regióny.

SUPENKA - Supravodivé energetické káble
Superconducting energy cables
Doba trvania:	1. 4. 2024 – 31. 3. 2026
Evidenčné číslo:	09I01-03-V04 -00020
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	doc. Ing. Gömöry Fedor, DrSc.
Anotácia:	Projekt SUPENKA nadväzuje na horizontový projekt SCARLET, ktorého cieľom je vyvinúť supravodivý kábel pre stredné napätie jednosmerného prúdu na úrovni 25- 50 kV, čo má za následok odstránenie konvertorovej platformy (okolo 10 000 ton materiálu). Takéto riešenie sa dá výhodne použiť napríklad pri prenose z farmy veterných turbín, kde možno priamo získať jednosmerný prúd v konštrukcii turbíny na jednosmernej úrovni stredného napätia (25 až 100 kV).Navrhovaný projekt SUPENKA má za cieľ podrobnejšie rozvinúť niektoré aspekty problematiky, riešenej v projekte SCARLET.Vo vedeckej oblasti sú to dva hlavné ciele:• C1: Vypracovanie metodiky pre zahrnutie nehomogenity supravodivých vlastností do analýzy stability prenosu prúdu supravodivým káblom• C2: Overenie možností chladenia supravodivých káblov netradičnými chladiacimi médiami Základné overenie metodiky na krátkych vzorkách už prebehlo, preto sa štartovacia úroveň projektu SUPENKA pohybuje v rozsahu TRL 3-4, a zámerom je dosiahnuť úroveň TRL 5.Projekt SUPENKA prispeje k plneniu ambicióznych klimatických cieľov pracovného programu EK „Udržateľné, bezpečné a konkurencieschopné dodávky energie“ zameraného na transformáciu energetického systému a preklopenie dodávky energie smerom ku klimatickej neutralite v rámci dvoch oblastí vplyvu:• Vedúce postavenie európskeho priemyslu v kľúčových a nových technológiách, ktoré pracujú pre ľudí• Cenovo dostupná a čistá energia.

SPEARhydro - Využitie energie riek pre každého
Harnessing the energy of rivers for everyone
Doba trvania:	1. 4. 2025 – 31. 3. 2026
Evidenčné číslo:	09I04-03-V03-00001
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Soloviov Mykola, PhD.