Ing. Stanislav Hasenöhrl
Publikácie za rok 2026
Publikačná činnosť obsahuje údaje z on-line databázy Ústrednej Knižnice SAV.
Publikácie
- LAURENČÍKOVÁ, Agáta** - SOJKOVÁ, Michaela - LETTRICHOVÁ, I. - HASENÖHRL, Stanislav - ELIÁŠ, Peter - PUDIŠ, D. - KOVÁČ, J., jr. - HULMAN, Martin - KOVÁČ, J. - ROSOVÁ, Alica - ŠVEC, Peter Jr. - PÍŠ, Igor - NOVÁK, Jozef. PtSe2-based heterostructures on GaP nanowires: interface formation and photoelectrical. In Nanomaterials-Basel, 2026, vol. 16, art. no. 1161. (2025: 4.8 - IF, Q2 - JCR, 0.805 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 2079-4991. Dostupné na: https://doi.org/10.3390/nano16181161 . APVV-21-0231 : Tranzistory na báze 2D kovových chalkogenidov pripravených teplom podporovanou konverziou. APVV-21-0278 : Nanoštrukturované tenkovrstvové materiály vyznačujúce sa slabými väzbovými interakciami pre elektronické a senzorické aplikácie. APVV-23-0281 : Príprava a vlastnosti magneticky tvrdých a mäkkých materiálov bez kritických prvkov pre trvalo udržateľný rozvoj. VEGA 2/0075/25 : Heteroštruktúry na báze 2D dichalkogenidov prechodných kovov pre elektronické. Typ: ADCA
- ROSOVÁ, Alica** - HASENÖHRL, Stanislav - ŠVEC, Peter Jr. - DOBROČKA, Edmund - GUCMANN, Filip - STOKLAS, Roman - KUČERA, Michal - BLAHO, Michal - POMEROY, J.W. - KUBALL, M. - KUZMÍK, Ján**. Impact of flow modulation on MOCVD-grown In-rich N-polar InAlN films on sapphire. In Journal of Alloys and Compounds, 2026, vol. 1063, art. no. 187698. (2025: 6.7 - IF, Q1 - JCR, 1.079 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 0925-8388. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2026.187698 . VEGA 2/0120/25 : Implementácia konceptu substitúcie HEA atómov pri vývoji nových materiálov pripravených rôznymi ochladzovacími a žíhacími rýchlosťami. Typ: ADCA