Ing. Stanislav Hasenöhrl
Publications for year 2026
On this page, you can search the on-line database of the Central Library of the SAS for the publications.
Publications
- BLAHO, Michal** - GREGUŠOVÁ, Dagmar - POHORELEC, Ondrej - HASENÖHRL, Stanislav - GUCMANN, Filip - DOBROČKA, Edmund - ZÁPRAŽNÝ, Zdenko - HUDEC, Boris - VINCZE, A. - VANČO, L. - KUZMÍK, Ján. Effect of MOCVD growth parameters on performance of n++GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs for mixed-signal applications. In ASDAM 2026 : Conference Proceedings. The Sixteenth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Eds. E. Vavrinsky, J. Marek. - IEEE, 2026, p. 8-12. ISBN 979-8-3195-0043-4. . 101102983 : Európska inovatívna pokročilá GaN mikrovlnná integrácia. Typ: AFC
- LAURENČÍKOVÁ, Agáta** - SOJKOVÁ, Michaela - LETTRICHOVÁ, I. - HASENÖHRL, Stanislav - ELIÁŠ, Peter - PUDIŠ, D. - KOVÁČ, J., jr. - HULMAN, Martin - KOVÁČ, J. - ROSOVÁ, Alica - ŠVEC, Peter Jr. - PÍŠ, Igor - NOVÁK, Jozef. PtSe2-based heterostructures on GaP nanowires: interface formation and photoelectrical. In Nanomaterials-Basel, 2026, vol. 16, art. no. 1161. (2025: 4.8 - IF, Q2 - JCR, 0.805 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 2079-4991. Dostupné na: https://doi.org/10.3390/nano16181161 . APVV-21-0231 : Tranzistory na báze 2D kovových chalkogenidov pripravených teplom podporovanou konverziou. APVV-21-0278 : Nanoštrukturované tenkovrstvové materiály vyznačujúce sa slabými väzbovými interakciami pre elektronické a senzorické aplikácie. APVV-23-0281 : Príprava a vlastnosti magneticky tvrdých a mäkkých materiálov bez kritických prvkov pre trvalo udržateľný rozvoj. VEGA 2/0075/25 : Heteroštruktúry na báze 2D dichalkogenidov prechodných kovov pre elektronické. Typ: ADCA
- PUDIŠ, D. - MIČEK, P.** - ROSOVÁ, Alica - HASENÖHRL, Stanislav - LETTRICHOVÁ, I. - NOVÁK, Jozef. Near-field emission of MOVPE-grown gap hexagonal nanopyramids on single-mode fibers using a deep-subwavelength metal-coated dielectric probe. In Journal of the Optical Society of America A, 2026, vol. 43, p. 1786-1792. (2025: 1.5 - IF, Q3 - JCR, 0.411 - SJR, Q2 - SJR). ISSN 1084-7529. Typ:
- ROSOVÁ, Alica** - HASENÖHRL, Stanislav - ŠVEC, Peter Jr. - DOBROČKA, Edmund - GUCMANN, Filip - STOKLAS, Roman - KUČERA, Michal - BLAHO, Michal - POMEROY, J.W. - KUBALL, M. - KUZMÍK, Ján**. Impact of flow modulation on MOCVD-grown In-rich N-polar InAlN films on sapphire. In Journal of Alloys and Compounds, 2026, vol. 1063, art. no. 187698. (2025: 6.7 - IF, Q1 - JCR, 1.079 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 0925-8388. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2026.187698 . VEGA 2/0120/25 : Implementácia konceptu substitúcie HEA atómov pri vývoji nových materiálov pripravených rôznymi ochladzovacími a žíhacími rýchlosťami. Typ: ADCA
- STOKLAS, Roman** - GREGUŠOVÁ, Dagmar - LAURENČÍKOVÁ, Agáta - ELIÁŠ, Peter - HASENÖHRL, Stanislav - CHVÁLA, A. - DARAIRAJ, K. - KUZMÍK, Ján. Optimization of AZ 12XT photoresist coverage on vertical GaN pillar sidewalls via development process engineering. In ASDAM 2026 : Conference Proceedings. The Sixteenth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Eds. E. Vavrinsky, J. Marek. - IEEE, 2026, p. 25-28. ISBN 979-8-3195-0043-4. . VEGA 2/0112/26 : Vertikálne GaN MOS tranzistory s poloizolačným kanálom pre zvýšenie prierazného napätia vo vypnutom stave. APVV-25-0353 : Vertikálne GaN súšiastky s poloizolačným kanálom a inovatívnou 3D gatesource architektúrou pre výkonové aplikácie. Typ: AFC
- ZÁPRAŽNÝ, Zdenko - DOBROČKA, Edmund - BLAHO, Michal - HASENÖHRL, Stanislav - POHORELEC, Ondrej - GUCMANN, Filip - ŤAPAJNA, Milan - KUZMÍK, Ján. Overcoming the saturation limit in dislocation density evaluation for heteroepitaxial GaN structures. In ASDAM 2026 : Conference Proceedings. The Sixteenth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Eds. E. Vavrinsky, J. Marek. - IEEE, 2026, p. 217-222. ISBN 979-8-3195-0043-4. . 101102983 : Európska inovatívna pokročilá GaN mikrovlnná integrácia. Typ: AFC