Projekty

Ing. Stanislav Hasenöhrl

Národné

Aktuálne
  • Vertikálne GaN súšiastky s poloizolačným kanálom a inovatívnou 3D gatesource architektúrou pre výkonové aplikácie
    Program: APVV
    Doba trvania: 1. 9. 2026 – 31. 8. 2030
  • Vertikálne GaN MOS tranzistory s poloizolačným kanálom pre zvýšenie prierazného napätia vo vypnutom stave
    Program: VEGA
    Doba trvania: 1. 1. 2026 – 31. 12. 2029
  • Nové heteroštruktúry pre (sub)THz elektroniku
    Program: APVV
    Doba trvania: 1. 9. 2025 – 31. 8. 2029
  • Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie
    Program: APVV
    Doba trvania: 1. 9. 2025 – 31. 8. 2029
Ukončené
  • Kritické aspekty rastu polovodičových štruktúr pre novú generáciu III-N súčiastok
    Program: VEGA
    Doba trvania: 1. 1. 2022 – 31. 12. 2025
  • p-GaN elektronika pre úsporu energie a post-CMOS obvody
    Program: APVV
    Doba trvania: 1. 7. 2022 – 30. 6. 2025
Pracovníci