Projekty

Národné

• Vertikálne GaN súšiastky s poloizolačným kanálom a inovatívnou 3D gatesource architektúrou pre výkonové aplikácie
  Program: APVV
  Doba trvania: 1. 9. 2026 – 31. 8. 2030

• Vertikálne GaN MOS tranzistory s poloizolačným kanálom pre zvýšenie prierazného napätia vo vypnutom stave
  Program: VEGA
  Doba trvania: 1. 1. 2026 – 31. 12. 2029

• Nové heteroštruktúry pre (sub)THz elektroniku
  Program: APVV
  Doba trvania: 1. 9. 2025 – 31. 8. 2029

• Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie
  Program: APVV
  Doba trvania: 1. 9. 2025 – 31. 8. 2029

• MOCVD heteroepitaxia a analýza porúch tenkých vrstiev Ga2O3 pre pokročilé detektory UV-C žiarenia
  Program: APVV
  Doba trvania: 1. 7. 2026 – 30. 6. 2028

• Kritické aspekty rastu polovodičových štruktúr pre novú generáciu III-N súčiastok
  Program: VEGA
  Doba trvania: 1. 1. 2022 – 31. 12. 2025

• Supravodivé spoje pre MgB2 vinutia v perzistentnom móde
  Program: VEGA
  Doba trvania: 1. 1. 2022 – 31. 12. 2025

• Ultratenké homogénne povrchové vrstvy na štruktúrach komplexnej morfológie pre vylepšenie výkonu batérii využitím depozície po atómových vrstvách
  Program: VEGA
  Doba trvania: 1. 1. 2022 – 31. 12. 2025

• Moderné elektronické súčiastky na báze ultraširokopásmového polovodiča Ga2O3 pre budúce vysokonapäťové aplikácie
  Program: APVV
  Doba trvania: 1. 7. 2021 – 30. 6. 2025

• p-GaN elektronika pre úsporu energie a post-CMOS obvody
  Program: APVV
  Doba trvania: 1. 7. 2022 – 30. 6. 2025