Projekty

Medzinárodné

• Príprava a charakterizácia pokročilých GaN nano-hetero-štruktur
  Program: Medziakademická dohoda (MAD)
  Doba trvania: 1. 1. 2017 – 31. 12. 2017

• Zelená energia pre spoločnosť
  Program: ENIAC
  Doba trvania: 1. 6. 2011 – 31. 5. 2014

• Nová výkonná optika pre infračervenú oblasť založená na gáliumfosfide VGF GaP
  Program: EUREKA
  Doba trvania: 1. 3. 2007 – 1. 4. 2010

• Supravodivé pásky a polovodičové kvantové bodky: nanoštruktúry pre súdobé informatické a energetické technológie
  Program: Bilaterálne - iné
  Doba trvania: 1. 1. 2008 – 31. 12. 2009

• Pokročilé nanoštruktúry a materiály pre využitie v informačných a energetických technológiách. Štrukturálne aspekty
  Program: Medziakademická dohoda (MAD)
  Doba trvania: 1. 1. 2006 – 31. 12. 2007

• -
  Program: Medziakademická dohoda (MAD)
  Doba trvania: 1. 1. 2005 – 31. 12. 2006

• Štúdium GaN heteroštruktúr (kov-izolant-polovodič)
  Program: Medziakademická dohoda (MAD)
  Doba trvania: 1. 1. 2005 – 31. 12. 2006

• Gálium fosfidové substráty pripravené metódou VGF pre použitie na prípravu luminiscenčných diód
  Program: 6RP
  Doba trvania: 1. 2. 2002 – 1. 8. 2005

Národné

• Fotonické laboratórium na čipe: výskum a vývoj platformy plazmonického senzora pre okamžitú detekciu zložiek v roztokoch
  Program: APVV
  Doba trvania: 1. 7. 2021 – 31. 12. 2024

• Nanooptické sondy a senzory integrované na optickom vlákne
  Program: APVV
  Doba trvania: 1. 8. 2021 – 31. 12. 2024

• Výskum a vývoj kontaktov pre nové materiály a súčiastky
  Program: VEGA
  Doba trvania: 1. 1. 2021 – 31. 12. 2024

• Fotonické nanoštruktúry pripravené laserovou 3D litografiou pre biosenzory
  Program: APVV
  Doba trvania: 1. 7. 2017 – 31. 12. 2020

• Moderné nanoštruktúry pripravené sofistikovanou MOVPE technológiou
  Program: VEGA
  Doba trvania: 1. 1. 2017 – 31. 12. 2020

• Univerzálna nanoštrukturovaná platforma pre interdisciplinárne použitie
  Program: APVV
  Doba trvania: 1. 7. 2015 – 31. 12. 2018

• Fotonické štruktúry pre integrovanú optoelektroniku
  Program: APVV
  Doba trvania: 1. 10. 2013 – 31. 12. 2016

• Nanoštruktúry a ich aplikácie v optoelektronických súčiastkach
  Program: VEGA
  Doba trvania: 1. 1. 2013 – 31. 12. 2016

• Výskum prípravy moderného polovodičového materiálu a substrátov VGF GaP o priemere 100 mm pre potreby konverzie CO2 na užitočné chemikálie
  Program: Štrukturálne fondy EÚ Výskum a vývoj
  Doba trvania: 1. 2. 2012 – 30. 11. 2015

• Príprava nanodrôtov pre fotovoltaické aplikácie
  Program: APVV
  Doba trvania: 1. 5. 2011 – 31. 10. 2014

• Moderné polovodičové súčiastky s precízne navrhnutou pásovou štruktúrou a povrchovými vlastnosťami
  Program: VEGA
  Doba trvania: 1. 1. 2009 – 21. 12. 2012

• MOS HFET tranzistory na báze III-V polovodičov pre vysokoteplotné aplikácie
  Program: APVV
  Doba trvania: 1. 9. 2009 – 30. 8. 2012

• Syntéza nitridu hliníka AlN na báze PBN technológie
  Program: APVV
  Doba trvania: 1. 9. 2009 – 30. 9. 2011

• Centrum excelencie NAno-/mikro-elektronických, optoelektronických a senzorických technológií
  Program: APVV
  Doba trvania: 1. 7. 2008 – 30. 6. 2011

• Epi-ready substráty VGF GaP (S)
  Program: APVV
  Doba trvania: 1. 6. 2008 – 31. 12. 2010

• Nová optika založená na VGFGaP pre infračervené senzory
  Program: Podpora MVTS z prostriedkov SAV
  Doba trvania: 16. 7. 2009 – 31. 12. 2009

• Nová výkonná optika pre infračervenú oblasť založená na gáliumfosfide VGF GaP
  Program: APVV
  Doba trvania: 1. 2. 2007 – 31. 12. 2009

• Výskum vzniku a vlastností pyrolytického nitridu bóru-PBN
  Program: APVV
  Doba trvania: 1. 1. 2008 – 31. 12. 2009

• Nanorozmer a jeho vplyv na vlastnosti MOCVD polovodičových vrstiev a štruktúr
  Program: VEGA
  Doba trvania: 1. 1. 2006 – 1. 12. 2008

• Epitaxné heteroštruktúry pre luminiscenčné diódy s vysokou svietivosťou pripravené na základe substrátov GaP
  Program: APVV
  Doba trvania: 1. 2. 2004 – 31. 12. 2006