Projekty

Ing. Ján Kuzmík, DrSc.

Medzinárodné

Aktuálne
  • Európska inovatívna pokročilá GaN mikrovlnná integrácia
    Program: EDF
    Doba trvania: 15. 12. 2022 – 14. 12. 2026
  • Heterogenná materiálová a technologická platforma pre novú doménu výkonovej nanoelektroniky
    Program: Horizont Európa
    Doba trvania: 1. 12. 2022 – 30. 11. 2025
  • Európska sieť pre inovatívnu a pokročilú epitaxiu
    Program: COST
    Doba trvania: 1. 11. 2021 – 30. 10. 2025
Ukončené
  • Vysokobezpečný GaN MOS spínací tranzistor
    Program: International Visegrad Fund (IVF)
    Doba trvania: 1. 10. 2015 – 30. 3. 2019
  • Normálne zatvorené spínacie tranzistory na báze GaN pre efektívne prevodníky výkonu
    Program: 7RP
    Doba trvania: 1. 9. 2011 – 30. 8. 2014
  • Technológia a vlastnosti MOS HFET tranzistorov na báze GaN s dielektrikami s vysokou konštantou
    Program: Medzivládna dohoda
    Doba trvania: 1. 1. 2005 – 31. 12. 2006

Národné

Aktuálne
  • InN: prielom v elektronike tuhej fázy
    Program: Plán obnovy EÚ
    Doba trvania: 1. 11. 2023 – 30. 6. 2026
  • Kritické aspekty rastu polovodičových štruktúr pre novú generáciu III-N súčiastok
    Program: VEGA
    Doba trvania: 1. 1. 2022 – 31. 12. 2025
  • p-GaN elektronika pre úsporu energie a post-CMOS obvody
    Program: APVV
    Doba trvania: 1. 7. 2022 – 30. 6. 2025
Ukončené
  • Vertikálny GaN MOSFET pre výkonové spínacie aplikácie
    Program: APVV
    Doba trvania: 1. 7. 2019 – 30. 6. 2022
  • Pokročilé III-N súčiastky pre prenos informácie a energie
    Program: VEGA
    Doba trvania: 1. 1. 2018 – 31. 12. 2021
  • GaN monolitické integrované obvody
    Program: APVV
    Doba trvania: 1. 7. 2016 – 30. 6. 2019
  • Tranzistory s InN-kanálom pre THz mikrovlny a logiku
    Program: APVV
    Doba trvania: 1. 7. 2016 – 30. 6. 2019
  • Normálne zatvorené spínacie tranzistory na báze GaN pre efektívne prevodníky výkonu
    Program: APVV
    Doba trvania: 1. 1. 2016 – 31. 12. 2016
  • Monolitická integrácia ochudobňovacích a obohacovacích InAlN/GaN HFET
    Program: APVV
    Doba trvania: 1. 7. 2012 – 30. 6. 2015
  • Heteroštruktúry na báze InN pre vysoko-frekvenčné tranzistory
    Program: APVV
    Doba trvania: 1. 1. 2011 – 31. 12. 2014
  • Vývoj novej generácie III-N tranzistorov s vysokou pohybivosťou elektónov
    Program: APVV
    Doba trvania: 1. 5. 2011 – 30. 4. 2014
Pracovníci