Laboratórium je súčasťou Centra aplikovaného výskumu. Slúži na kompletnú elektrickú charakterizáciu dvoj- a štvor-terminálových polovodičových štruktúr a prvkov (tranzistorov, diód, štruktúr MOS, MIM a TLM). Dva nezávislé plne automatizované pracoviská umožňujú meranie nezapuzdrených vzoriek priamo na substráte ako aj čiastočne a úplne zapuzdrených súčiastok a následnú analýzu dát.
Vybavenie:
- Keithley 4200 Semiconductor Characterization System (3x SMU, PIV-A, PIV-Q, CVU)
- HP8114A 100 V / 2 A Programmable pulse generator (šírka impulzu od 10 ns do 1 s)
- Agilent 4284A LCR Meter, Keithley 2400 SourceMeter and 6517A Electrometer
- Wentworth PML 8000 a MDC Hot-chuck kontaktovacia stanica (25 – 200/300 °C), Xe lamp SP ASB-XE-175EX (200 – 1100 nm) so sadou kovových interferenčných filtrov a svetlovodom
- Optický mikroskop ZEISS Axio Lab.A1
Využitie:
- Jednosmerné a impulzné meranie volt-ampérových charakteristík a časových priebehov prúdu a napätia polovodičových štruktúr a súčiastok
- Meranie kapacitno-napäťových kriviek (s asistenciou svetla), kapacitných časových priebehov, AC spektroskopia
Systém pre elektrickú charakterizáciu polovodičových štruktúr
Kontakt: Ing. M. Ťapajna, PhD., tel.: +421-2-5922 2777
Prístup: Samostatný prístup po zaškolení (2 hodiny), online rezervácia
Cena: 0 EUR/hod. pre zamestnancov SAV