Prednáška prof. Tuo-Hung Hou z univerzity NYCU, Taiwan
Elektrotechnický ústav SAV, v. v. i. pozýva na prednášku prof. Dr. Tuo-Hung (Alex) Hou z National Yang Ming Chiao Tung University (NYCU), Taiwan, dňa 24. 11. 2025 o 9:00...
Vysoko dopovaná GaN vrstva prináša stabilnejšie HEMT tranzistory bez straty prúdu
Vysoko kremíkom dopované vrstvy nitridu gália (n++ GaN) zohrávajú dôležitú úlohu pri vývoji moderných tranzistorov s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT), ktoré...
Hosťovanie delegácie z Litvy
Dňa 28. októbra 2025 privítal Elektrotechnický ústav SAV, v.v.i. (ElÚ SAV) vzácnu návštevu z Litvy, vedenú pani Wang Hsueh-Hong, šéfkou Taiwanskej reprezentatívnej...
Pokračovanie úspešnej spolupráce s taiwanským ITRI
Predstavitelia Taiwanskej reprezentatívnej kancelárie v Bratislave (TROB) pán David Li Nanyang spolu s riaditeľom Elektrotechnického ústavu SAV, v.v.i. (ElÚ SAV) RNDr....
Demagnetizácia magnetického plášťa pomocou supravodičov a feromagnetických materiálov
Magnetické tienenie je neoddeliteľnou súčasťou mnoho zariadení či už v technickej, medicínskej alebo vedeckej sfére. Bežne sa používa pasívne tienenie, ale kombináciou...
