Vážené kolegyne a kolegovia,
radi by sme Vás pozvali na ďalší z cyklu ústavných seminárov. Seminár sa uskutoční vo veľkej zasadačke (miestnosť 101) 21. 5. 2026 o 10:00 a tentokrát budú prezentovať:
MSc. Hemendra Chouhan
Journal of Alloys and Compounds – Rotational domains and origin of improved crystal quality in heteroepitaxial β-Ga2O3 films grown on vicinal substrates by MOCVD
Dr. Alica Rosová
Journal of Alloys and Compounds – Impact of flow modulation on MOCVD-grown In-rich N-polar InAlN films on sapphire
Dr. Fridrich Egyenes
Physical Review B – Anomalous hopping regime at Mott transition from disordered semiconductor to disordered metal in Si-doped Ga2O3
Tešíme sa na Vás.