Projekty

Medzinárodné projekty

Ukončené

ETMOS - Epitaxné vrstvy tranzitných kovov dichalkogenidov pripravených na polovodičoch so širokým zakázaným pásmom pre modernú elektroniku
Epitaxial transition metal dichalcogenides onto wide bandgap hexagonal superconductors for advanced electronics
Doba trvania:	1. 4. 2020 – 31. 3. 2023
Evidenčné číslo:	FLAG-ERA III/2019/884/ETMOS
Program:	ERANET
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Partnerské krajiny:	Francúzsko, Maďarsko, Taliansko

Optimalizácia škálovateľného rastu tenkých vrstiev dichalkogenidov prechodných kovov a nové heterostruktúry na použitie v elektronike a pokročilé senzory
Optimization of the scalable growth of transition metal dichalcogenide thin films and novel heterostructures for application in electronics and advanced sensors
Doba trvania:	1. 1. 2021 – 31. 12. 2022
Evidenčné číslo:	SAV-CNR
Program:	Bilaterálne - iné
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Sojková Michaela, PhD.

Pulzná laserová depozícia 2D polovodičov na nitridy pre pokročilú elektroniku
PULSEd laser deposition of 2D semiconductors on nitrides for advanced electronics
Doba trvania:	1. 1. 2021 – 31. 12. 2022
Evidenčné číslo:	SAV-CNR
Program:	Bilaterálne - iné
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Španková Marianna, PhD
Partnerské krajiny:	Taliansko

Syntéza a charakterizácia funkčných heteroštruktúr 2D TMD-diamant pre senzorové prvky
Synthesis and characterization of 2D TMD-diamond functional heterostructures for sensing elements
Doba trvania:	1. 1. 2021 – 31. 12. 2022
Evidenčné číslo:
Program:	Bilaterálne - iné
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vanko Gabriel, PhD.
Partnerské krajiny:	Česko

Pokročilé mikromechanické nosníky zo širokopásmových polovodičových materiálov
Advanced Microcantilevers from Wide Bandgap Materials
Doba trvania:	1. 3. 2020 – 31. 12. 2021
Evidenčné číslo:	DS-FR-19-0051
Program:	Bilaterálne - iné
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vanko Gabriel, PhD.
Anotácia:	Projekt sa zaoberá problematikou návrhu, technológie a charakterizácie pokročilých mikromechanické nosníky na báze širokopásmových polovodičových materiálov (GaN, diamant). Navrhnutý koncept je originálny v tom, že sa zameriava na hľadanie nových (a) progresívnych, 2D materiálov najmä dichalkogenidov prechodných kovov, ako aj (b) nových konceptov tvarovania MEMS prvkov s využitím mechanických, teplotných a piezoelektrických vlastností zmienených typov širokopásmových polovodičov integrovaných do jediného multivrstvového piezosystému. Projekt spája doteraz samostatne sa rozvíjajúce výskumné témy ako sú: rast tenkých diamantových vrstiev, rast heteroštruktúr AlGaN/GaN a syntéza 2D materiálov (MoS2, MoSe2, PtSe2, PtS2, atď.). Získané znalosti vo vymenovaných oblastiach umožnia návrh a vývoj principiálne nových elektronických prvkov pre vysokoteplotné aplikácie, objemové a povrchové mikrotvarovanie polovodičových substrátov ako aj heteroštruktúr, integrované elektronické obvody schopné pracovať v extrémnych podmienkach.
Partnerské krajiny:	Česko, Rakúsko

Technológia a vlastnosti supravodivých a magnetických oxidových vrstiev pre moderné elektronické aplikácie
Technology and properties of superconductig and magnetic oxide films for modern electronic application
Doba trvania:	1. 1. 2019 – 31. 12. 2021
Evidenčné číslo:
Program:	Medzivládna dohoda
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Partnerské krajiny:	Poľsko

-
An individual stimulating system with 3D nano-structure carbon/graphene based transducer and wireless heater for automated tiny insects behavior monitoring
Doba trvania:	1. 1. 2018 – 31. 12. 2020
Evidenčné číslo:	SAS-MOST JRP 2017/1
Program:	JRP
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vanko Gabriel, PhD.
Partnerské krajiny:	Taiwan

Príprava a vlastnosti supravodivých, magnetických, a dielektrických vrstiev pre kryoelektronické štruktúry
-
Doba trvania:	1. 1. 2016 – 31. 12. 2018
Evidenčné číslo:	24
Program:	Medzivládna dohoda
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Partnerské krajiny:	Poľsko

TO-BE - Smerom k elektronike na báze oxidov
Towards Oxide-Based Electronics
Doba trvania:	1. 2. 2016 – 30. 4. 2018
Evidenčné číslo:	MP1308
Program:	COST
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Partnerské krajiny:	Belgicko, Bulharsko, Česko, Dánsko, Fínsko, Francúzsko, Grécko, Holandsko, Chorvátsko, Írsko, Izrael, Litva, Lotyšsko, Luxembursko, Nemecko, Nórsko, Poľsko, Portugalsko, Rakúsko, Rumunsko, Slovinsko, Srbsko, Španielsko, Švajčiarsko, Švédsko, Taliansko, Turecko, Veľká Británia
Webová stránka projektu:	http://www.cost.eu/COST_Actions/mpns/MP1308

Štúdium rastu a elektrických vlastností hybridních štruktúr diamantu a tranzistorov AlGaN/GaN HEMT
-
Doba trvania:	1. 1. 2016 – 31. 3. 2017
Evidenčné číslo:
Program:	Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vanko Gabriel, PhD.
Partnerské krajiny:	Česko

Národné projekty

Aktuálne

Cenovo dostupné fotodetektory s heteroprechodom Ga2O3-diamant pre UV zobrazovanie necitlivé na slnečné svetlo
Cost-effective Ga2O3-diamond heterojunction photodetectors for solar-blind UV imaging
Doba trvania:	1. 8. 2024 – 30. 7. 2029
Evidenčné číslo:	IM-2023-87
Program:	IMPULZ
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Varga Marian, PhD.

Heteroštruktúry na báze 2D dichalkogenidov prechodných kovov pre elektronické aplikácie
2D TMD-based heterostructures for electronic applications
Doba trvania:	1. 1. 2025 – 31. 12. 2028
Evidenčné číslo:	2/0075/25
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Sojková Michaela, PhD.

TECHAPHO - Ternárne chalkogenidové perovskity pre fotovoltaiku
Ternary chalcogenide perovskites for photovoltaics
Doba trvania:	1. 7. 2024 – 30. 6. 2028
Evidenčné číslo:	APVV-23-0202
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Spoluriešitelia zo SAV:	Ing. Bennár Michal, doc. RNDr. Dobročka Edmund, CSc., RNDr. Španková Marianna, PhD, Ing. Talacko Marcel, PhD.
Anotácia:	Cieľom navrhnutého projektu je príprava ternárnych chalkogenidov perovskitovej štruktúry a systematickácharakterizácia vzťahu medzi zložením, štruktúrou, optickými vlastnosťami, tepelnou a chemickou stabilitou s potenciálnym využitím vo fotovoltaike, príp. iných optoelektronických aplikáciách. Výsledkom bude pripravená skupina čistých ternárnych chalkogenidov vo forme kryštalických materiálov, tenkých filmov so známymi ako aj po prvýkrát pripravenými chemickými zloženiami a komplexná charakterizácia ich optických, elektronických vlastností, ako aj tepelnej a chemickej stability. Ternárne chalkogenidy budú takisto pripravené aj mokrou cestou do 350 °C v podobe nanokryštálov, ktoré budú charakterizované z hľadiska ich štruktúry a morfológie. Pripravený bude aj prototyp solárneho článku, ktorý doteraz nebol nikdy pripravený, po testoch výkonnosti bude prebiehať jeho optimalizácia.

CERBERUS - Farebné centrá v diamante – korelácia medzi atómovou štruktúrou a optoelektronickými vlastnosťami
Colour centres in diamond – correlation between atomic structure and opto-electronic properties
Doba trvania:	1. 9. 2024 – 31. 12. 2027
Evidenčné číslo:	APVV-23-0361
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Izsák Tibor, PhD.
Spoluriešitelia zo SAV:	Mgr.Phil. Ahmad Faizan, Ing. Gucmann Filip, PhD., Mgr. Hrdá Jana, PhD., RNDr. Hušeková Kristína, Mgr. Hutár Peter, PhD., MSc. Keshtar Javad, Mgr. Kotrusz Peter, PhD., Mgr. Kozak Andrii, PhD., Ing. Precner Marián, PhD., doc. Ing. Skákalová Viera, DrSc., Mgr. Sojková Michaela, PhD., Ing. Ťapajna Milan, PhD.
Anotácia:	Predmetom projektu je oblasť kvantových technológií. Pripravíme a charakterizujeme opticky aktívne defekty vdiamantoch a korelujeme atómové štruktúry s optickými vlastnosťami využiteľnými pre kvantové aplikácie. Preširoký rozsah koncentrácií dopantov identifikujeme distribúciu dopantov a pomocou mikroskopie s atomárnymrozlíšením a spektroskopických techník budeme pozorovať vývoj jednotlivých konfigurácií atómov dopantu počastepelného žíhania. Ďalej budeme študovať vplyv žíhania na optoelektronické vlastnosti meraním fotoluminiscencie,fotoprúdu a elektroluminiscencie pre rovnakú sadu vzoriek. Pre meranie fototransportu budú pripravené priehľadnégrafénové elektródy na diamantovom povrchu. Pre meranie elektroluminiscencie budú pripravené hybridné p-i-ndiódy na báze diamantu. Zameriame sa na hľadanie korelácie medzi atomárnou štruktúrou a optoelektronickýmivlastnosťami rôzne dopovaných diamantov. To prispeje k pochopeniu fundamentálneho vzťahu potrebného naefektívne navrhovanie opticky aktívnych prvkov pre diamantové kvantové zariadenia.

Nové hybridné polovodičové štruktúry pre detekciu ionizujúceho žiarenia
New hybrid semiconductor structures for ionizing radiation detection
Doba trvania:	1. 1. 2024 – 31. 12. 2027
Evidenčné číslo:	2/0063/24
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Zaťko Bohumír, PhD

PEROVCHIR - Vplyv aplikácie organických molekúl na vlastnosti perovskitovských tenkovrstvových štruktúr
Effect of the application of organic molecules on the properties of perovskite thin-film structures
Doba trvania:	1. 7. 2024 – 31. 12. 2027
Evidenčné číslo:	APVV-23-0238
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Španková Marianna, PhD
Spoluriešitelia zo SAV:	Ing. Bennár Michal, doc. RNDr. Dobročka Edmund, CSc., Ing. Chromik Štefan, DrSc., Mgr. Mosnáček Jaroslav, DrSc., Mgr. Sojková Michaela, PhD., RNDr. Španková Marianna, PhD, Ing. Talacko Marcel, PhD., Ing. Vanko Gabriel, PhD.
Anotácia:	Za posledné roky sa nahromadilo dosť experimentálnych dôkazov, že adsorbované organické chirálne molekulymajú vplyv na supravodivé vlastnosti YBa2Cu3O7-x (YBCO) vrstiev. V niektorých prípadoch je možné pozorovať nárast ich kritickej teploty Tc. Na druhej strane sa ukazuje, že v prípade feromagnetických vrstiev (napr. kobaltu) aplikácia chirálnych molekúl môže viesť k zmene magnetizácii bez použitia elektrického prúdu. Dôležitú úlohu tu hrá spin, ktorý uvádza do systému ďalší stupeň voľnosti a dáva tak možnosť zariadeniam napríklad znížiť elektrickú spotrebu alebo navýšiť ich výpočtovú kapacitu. Spintronické zariadenia sa tak stali lákadlom v elektronike, avšak problémy spojené s ovládaním spinu sú obrovskou výzvou. Unikátnym spôsobom určitej manipulácie so spinom je efekt nazývaný chirálne indukovaná spinová selektivita (CISS), ktorý je výsledkom osobitnej štruktúry organických chirálnych molekúl. Projekt sa sústredí na prípravu a charakterizáciu jednoduchých heteroštruktúr a ich interakciu s chirálnymi polymérmi nanesenými na povrch vrstviev. Konkrétne sa jedná o vplyv chirálnej kyseliny mliečnej na perovskitovské tenké vrstvy, kde vybrané perovskity sú vysokoteplotný supravodič YBCO a feromagnet La1 - xSrxMnO3 (LSMO).

PIRADUNEW - Perspektívne detektory ionizujúceho žiarenia pre nepokryté energetické okno neutrónov
Perspective ionizing radiation detectors for the uncovered neutron energy window
Doba trvania:	1. 7. 2023 – 30. 6. 2027
Evidenčné číslo:	APVV-22-0382
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Zaťko Bohumír, PhD
Spoluriešitelia zo SAV:	RNDr. Boháček Pavol, CSc., Ing. Izsák Tibor, PhD., Ing. Kováčová Eva, MSc. Parsa Saeb Saviz, Mgr. Sekáčová Mária, Ing. Varga Marian, PhD.
Anotácia:	Predmetom predkladaného projektu je optimalizácia a príprava polovodičových detekčných štruktúr na báze 4HSiC a polykryštalického diamantu vhodných pre detekciu neutrónov. V rámci projektu budú pripravované a skúmané single detektory najmä pre energie neutrónov od 100 keV do niekoľkých MeV. V tejto oblasti energií je vsúčasnosti málo citlivých neutrónových detektorov. Výhody SiC a polykryštalického diamantu sú vysoká radiačná a teplotná odolnosť štruktúr. Dôležitá je aj vysoká spektrometrická schopnosť SiC detektorov hlavne pri detekcii neutrónov s energiami pod 1 MeV. Polykryštalický diamant je cenovo dostupnejší oproti SiC a naše prvé predbežné výsledky ukazujú jeho sľubné detekčné vlastnosti najmä pri detekcii ionizujúcich častíc. Ďalšou výhodou obidvoch typov polovodičov je nízka citlivosť pre gama žiarenie, ktoré je takmer vždy prítomné v prípade, že pri jadrovej reakcii dochádza k vzniku neutrónov. Toto gama žiarenie zvyšuje pozadie a zhoršuje citlivosť v súčasnosti využívaných detektorov. Ďalej budú pripravované a skúmané aj pixelové senzory pre vyčítavací čip Timepix/Medipix. Prototypy radiačnej kamery budú testované a kalibrované pomocou zdroja monoenergetických neutrónov.

Nové polovodičové materiály pre pixelové senzory s využitím pre digitálnu rádiografiu
New semiconductor materials for pixel sensors with applications in digital radiography
Doba trvania:	1. 1. 2024 – 30. 6. 2026
Evidenčné číslo:	09I05-03-V02-00073
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Zaťko Bohumír, PhD
Anotácia:	Digitálne zobrazovanie s využitím rtg alebo iných typov ionizujúceho žiarenia (neutróny, elektróny, ióny ...) je čoraz viac využívanejšie v rôznych oblastiach ľudskej činnosti. Digitálne systémy pracujúce v režime tvz. počítania jednotlivých častíc resp. udalostí získavajú čoraz väčší záujem o skúmanie a postupný rozvoj. Najperspektívnejšie v tejto oblasti sa javia vyčítavacie čipy typu Timepix vyvinuté v CERNe. Hlavným cieľom projektu je príprava a optimalizácia polovodičových pixelových senzorov pre vyčítavací čip TPX4. Využijeme naše doterajšie skúsenosti s prípravou senzorov na báze SiC a GaAs, ktoré s týmto čipom doteraz neboli použité. Výhoda nového TPX4 čipu oproti predchádzajúcej verzii je vo väčšej detekčnej ploche (3,5×), vyššej maximálnej rýchlosti (8×), lepšiemu energetickému rozlíšenie a časovému rozlíšeniu. Využitie týchto senzorov resp. radiačných kamier by bolo najmä v priemysle pri defektoskopii, analýze rôznych materiálov, v medicíne, v kozmickom výskume a podobne.

Perspektívne detektory ionizujúceho žiarenia pre vysoko-energetické
Perspective ionizing radiation detectors for high-energy particles
Doba trvania:	1. 7. 2024 – 30. 6. 2026
Evidenčné číslo:	09I03-03-V06-00108
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Zaťko Bohumír, PhD
Anotácia:	Cieľom projektu je obstaranie výskumnej infraštruktúry, ktorá bude využitá počas implementácie projektu APVV-22-0382 a na realizáciu ďalšieho nezávislého výskumu a vývoja vykonávaného organizáciou.

Pokročilé hybridné superkondenzátorové prvky na báze 2D materiálov
Advanced 2D based hybrid supercapacitor devices
Doba trvania:	1. 3. 2024 – 30. 6. 2026
Evidenčné číslo:	09I05-03-V02-00037
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Sojková Michaela, PhD.
Anotácia:	Projekt je zameraný na výskum a vývoj pokročilých 2D-TMD, uhlíkových materiálov a elektródových architektúr pre aplikácie superkondenzátorov. Cieľom je zvýšiť hustotu energie, životnosť a výkon superkondenzátorov ako udržateľných alternatív na skladovanie energie k batériám pre kľúčové digitálne elektronické a elektronické aplikácie. V rámci projektu budú skúmané materiály na báze uhlíka (2D g-C3N4, biouhlie), 2D-TMD pseudokapacitné materiály (napr. MoS2), materiály batériového typu (napr. NiS2, Ni(OH)2) a ich kompozity, nanoštruktúry/heteroštruktúry v konfigurácií bez spojív ako perspektívne negatívne a pozitívne elektródy pre pokročilé hybridné superkondenzátorové zariadenia. Superkondenzátory so zlepšenými vlastnosťami zvýšia udržateľnosť a užívateľskú hodnotu elektronických systémov a spustia nové aplikácie a nové obchodné príležitosti v kľúčových digitálnych technológiách a mobilite v slovenskom a európskom priestore.

Štúdium 2D heteroštruktúr na báze TMD
Study of TMD-based 2D heterostructures (TO-DO)
Doba trvania:	1. 7. 2024 – 30. 6. 2026
Evidenčné číslo:	SK-AT-23-0021
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Sojková Michaela, PhD.

Veľkoplošná výroba a charakterizácia 2D materiálov
Large-scale production and characterization of 2D materials
Doba trvania:	1. 9. 2023 – 30. 6. 2026
Evidenčné číslo:	09I03-03-V02-00044
Program:	Plán obnovy EÚ
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr.Phil. Ahmad Faizan

Modifikácia vlastností supravodivých, feromagnetických oxidových vrstiev a štruktúr pre modernú elektroniku
Modification of properties of superconducting, ferromagnetic, oxide films and structures for advanced electronics
Doba trvania:	1. 1. 2022 – 31. 12. 2025
Evidenčné číslo:	2/0140/22
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Španková Marianna, PhD
Anotácia:	Predmetom projektu je príprava a štúdium oxidových - feromagnetických, a dielektrických perovskitovských tenkých vrstiev a štruktúr mikro a nanorozmerov ako aj vybraných aktuálnych supravodivých vrstiev. YBa2Cu3Ox (YBCO) a La0.67Sr0.33MnO3 (LSMO) mikropásky budú vystavené pôsobeniu rôznych typov dlhých organických molekúl s cieľom študovať ich vplyv na zmenu supravodivých a feromagnetických vlastností. V náväznosti na výsledky predchádzajúceho Vega projektu budeme pokračovať v štúdiu štruktúr supravodič S/feromagnetikum F a S/F/S, pričom sa zameriame na vytváranie magnetických nehomogenít s cieľom zvýšiť tripletnú zložku supravodivosti a objasniť vzájomnú interakciu tesne naviazaných S a F perovskitovských vrstiev (proximitný efekt). V rámci projektu preskúmame možnosť supravodivého správania dvojdimenzionálneho systému MoS2 naneseného pulznou laserovou depozíciou.

GRaDe - Rastové a radiačné mechanizmy v diamantových hybridních detektoroch
Growth and Radiation Mechanisms in Diamond Hybrid Detectorsd Radiation Mechanisms in Diamond Hybrid Detectors
Doba trvania:	1. 7. 2022 – 30. 6. 2025
Evidenčné číslo:	SK-CZ-RD_21/0016
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Zaťko Bohumír, PhD

Ukončené

Príprava a vlastnosti supravodivých a magnetických oxidových vrstiev pre moderné elektronické aplikácie
Preparation and properties of superconducting and magnetic oxide films for modern electronic applications
Doba trvania:	1. 1. 2023 – 31. 12. 2024
Evidenčné číslo:	SAV-PAV
Program:	Vedecko-technické projekty
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.

Príprava, charakterizácia a dopovanie ultratenkých vrstiev dichalkogenidov prechodných kovov
Fabrication, characterization, and doping of ultra-thin layers of transition metal dichalcogenides
Doba trvania:	1. 1. 2021 – 31. 12. 2024
Evidenčné číslo:	2/0059/21
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Sojková Michaela, PhD.
Spoluriešitelia zo SAV:	Dérer Ján, Gerboc Michal, Dr. rer. nat. Hulman Martin, Ing. Kováčová Eva, Ing. Lobotka Peter, CSc., RNDr. Pribusová Slušná Lenka, PhD., RNDr. Španková Marianna, PhD, Ing. Talacko Marcel, PhD., Ing. Vanko Gabriel, PhD., Ing. Varga Marian, PhD.
Anotácia:	Vďaka neobvyklým fyzikálnym vlastnostiam sú dvojrozmerné materiály intenzívne študované už niekoľko rokov.Zaujímavou skupinou z tejto triedy materiálov sú dichalkogenidy prechodných kovov (TMD). Majú hexagonálnuštruktúru, v ktorej sú jednotlivé vrstvy navzájom viazané len slabými Van der Waalsovými väzbami. Tospôsobuje výrazne anizotrópne vlastnosti týchto materiálov a má podstatný vplyv na ich elektronickú štruktúru.Preto niektoré z nich vykazujú fyzikálne zaujímavé korelované stavy (supravodivosť, vlny nábojovej hustoty).Primárnym cieľom tohto projektu je príprava a štúdium vlastností tenkých vrstiev dvoch rôznych TMD materiálov– MoS2 a PtSe2, a sledovanie vplyvu dopovania katiónmi lítia a sodíka na elektrické a štruktúrne vlastnostitýchto vrstiev. Sekundárnym cieľom projektu je optimalizácia rastu a dopovania tak, aby zlepšené parametretenkých vrstiev, ako sú napr. elektrická vodivosť a mobilita nosičov náboja, umožnili prípravu funkčnýchelektronických prvkov – tranzistorov.

Štúdium spinových filtrov vytvorených pomocou aplikácie organických molekúl na perovskity
Study of the influence induced by organic-based spin filters applied on perovskites
Doba trvania:	1. 1. 2024 – 31. 12. 2024
Evidenčné číslo:	APP473
Program:	DoktoGrant
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Bennár Michal

SAV-AV ČR - Výskum a vývoj pokročilého QCM-FET duálneho senzora reaktivovaného na báze diamantových vrstiev pre detekciu plynov a biomolekúl
Research and development of advanced for defiction of gases and biomolecules
Doba trvania:	1. 1. 2023 – 31. 12. 2024
Evidenčné číslo:	CAS-SAS-2022-9
Program:	Iné projekty
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Izsák Tibor, PhD.

Heteroštruktúry TMD/diamant: Príprava, charakterizácia a aplikácia
TMD/diamond heterostructures: Fabrication, characterization and applications
Doba trvania:	1. 8. 2020 – 31. 7. 2024
Evidenčné číslo:	19MRP0010
Program:	MoRePro
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Varga Marian, PhD.

Dlhodosahový jav blízkosti v supravodič/feromagnet heteroštruktúrach
Long-range proximity effect in superconductor / ferromagnet heterostructures
Doba trvania:	1. 7. 2020 – 31. 12. 2023
Evidenčné číslo:	19-0303
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Chromik Štefan, DrSc.
Spoluriešitelia mimo SAV:	FMFI UK

Vysokoodolné polovodičové senzory ionizujúceho žiarenia pre využitie v radiačnom prostredí
Radiation resistant semiconductor sensors for utilization in harsh environment
Doba trvania:	1. 1. 2020 – 31. 12. 2023
Evidenčné číslo:	2/0084/20
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Zaťko Bohumír, PhD
Anotácia:	Detektory ionizujúceho žiarenia sú dôležitou zložkou mnohých oblastí vedy a techniky. Predmetom predkladaného projektu je výskum rôznych polovodičových detekčných štruktúr na báze Si, GaAs,CdTe a 4H-SiC ako detektorov ionizujúceho žiarenia, kde sa najmä širokopásmový 4H-SiC polovodič ukazuje ako vysokoodolný materiál vhodný pre dlhodobú prácu v sťaženom radiačnom prostredí. To záhŕňa optimalizáciu pripravených senzorov z hľadiska ich použitia, teda aký typ žiarenia a tok je potrebné detegovať. Taktiež pasivácia a púzdrenie je veľmi dôležité pre zabezpečenie dlhej životnosti pripravených senzorov. Budú robené aj simulácie detekčných vlastností štruktúr s cieľom optimalizácie hrúbky a rozmerov kontaktov a pasivácie. Detekčné struktúry budú charakterizované elektrickými (I-V, C-V merania) a spektrometrickými meraniami pomocou štandardných rádionuklidových zdrojov. Taktiež bude skúmaná odolnosť ich činnosti v sťaženom prostredí (zvýšená teplota, ionizačné prostredie).

Vysokovýkonná zakrivená röntgenová optika pripravená pokročilou technológiou nanoobrábania
High-performance curved X-ray optics prepared by advanced nanomachining technology
Doba trvania:	1. 1. 2021 – 31. 12. 2023
Evidenčné číslo:	2/0041/21
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Zápražný Zdenko, PhD.
Spoluriešitelia zo SAV:	doc. RNDr. Dobročka Edmund, CSc., Ing. Halahovets Yuriy, PhD., Ing. Jergel Matej, DrSc., RNDr. Korytár Dušan, CSc., Mgr. Nádaždy Peter, PhD., Dr. Rer. Nat. Šiffalovič Peter, DrSc., Mgr. Zaťko Bohumír, PhD
Anotácia:	Projekt je zameraný na výskum a vývoj nových typov röntgenovej (rtg) optiky s vysoko presnými zakrivenýmiaktívnymi povrchmi. Povrchy budú pripravované inovatívnou technológiou nanoobrábania. Preskúmameaplikáciu technológie nanoobrábania na špeciálny prípad rtg optiky so zakrivenými povrchmi, ktorým jeparabolická refrakčná šošovka pracujúca v geometrii na prechod rtg žiarenia. Druhý špeciálny prípad, na ktorýsa zameriame, budú tenké kryštálové monochromátory s rôznymi hrúbkami v intervale 20-2000 mikrometrov.Takéto prvky je možné použiť napríklad ako deliče lúčov pre moderné rtg zdroje typu "X-ray free-electron laser",ohnuté kryštály v Johanssonovych monochromátoroch pre spektroskopické aplikácie alebo v časticovýchurýchľovačoch pre riadenie lúčov. Vyvinuté prvky zakrivenej rtg optiky budú testované v reálnych experimentochrtg metrológie a rtg zobrazovania s využitím laboratórnych alebo synchrotrónových rtg zdrojov a vysoko citlivýchpriamo konvertujúcich rtg detektorov Pilatus a Medipix.

Zberač energie na báze mikrostĺpikovitých štruktúr
Energy Harvesting Device Based on Micropillar Structures
Doba trvania:	1. 1. 2022 – 31. 12. 2023
Evidenčné číslo:	SK-TW-21-0006
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vanko Gabriel, PhD.

Radiačne odolnejší senzor pre RTG zobrazovanie vyššej kvality
Radiation harder sensor for X-ray imaging of higher quality
Doba trvania:	1. 7. 2019 – 30. 6. 2023
Evidenčné číslo:	18-0273
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Zaťko Bohumír, PhD

Pokročilé mikromechanické nosníky zo širokopásmových polovodičových materiálov
Advanced Microcantilevers from Wide Bandgap Materials
Doba trvania:	1. 3. 2020 – 31. 12. 2022
Evidenčné číslo:	DS-FR-19-0051
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vanko Gabriel, PhD.

Výskum radiačne odolných polovodičových detektorov pre jadrovú energetiku
Research of radiation resistant semiconductor detector for nuclear energies
Doba trvania:	1. 7. 2019 – 31. 12. 2022
Evidenčné číslo:	18-0243
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Zaťko Bohumír, PhD

Perovskitovské tenké vrstvy a štruktúry vhodné pre modern elektroniku a senzoriku
Perovskite thin films and structures for modern electronics and sensorics
Doba trvania:	1. 1. 2018 – 31. 12. 2021
Evidenčné číslo:	2/0117/18
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	RNDr. Španková Marianna, PhD
Anotácia:	Predmetom projektu je príprava a štúdium feromagnetických, supravodivých a dielektrických perovskitovskýchtenkých vrstiev (do 100 nm) a štruktúr mikro a nanorozmerov. Supravodivé mikropásky YBa2Cu3Ox budúožarované elektrónmi (30keV) s cieľom vytvoriť kanály ľahkého pohybu vírov. Ďalej sa zameriame na detailnéštúdium rozhrania podložka Si/dielektrická vrstva s využitím netradičných materiálov (SrO,TiN) s cieľom umožniťepitaxný rast oddeľovacích vrstiev nevyhnutných pre realizáciu bolometrov na báze La0.67Sr0.33MnO3 vrstievpracujúcich pri izbovej teplote (nechladené) v oblasti THz frekvencií. Pri vývoji nových typov bolometrovposúdime okrem dosiaľ študovaného materiálu Bi4Ti3O12 viacero typov iných oddeľovacích vrstiev. Budemepokračovať v štúdiu štruktúr supravodič S/feromagnetikum F a S/F/S s cieľom objasniť vzájomnú interakciutesne naviazaných S a F perovskitovských vrstiev (proximitný efekt).Z aplikačného hľadiska použitie pí-typu Josephsonovho spoja môže riešiť problematiku– kvantového bitu (qubit).

Pokročilé monochromátory s pridanou funkcionalitou úpravy zväzku pre röntgenovú metrológiu a röntgenové zobrazovanie
Advanced monochromators with added functionality of the beam conditioning for X-ray metrology and X-ray imaging
Doba trvania:	1. 1. 2018 – 31. 12. 2020
Evidenčné číslo:	2/0092/18
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Zápražný Zdenko, PhD.

Detekcia ionizujúcich častíc s využitím senzorov na báze semiizolačného GaAs a 4H-SiC pre fyziku vysokých energií
Detection of ionizing particles using sensors base on semi-insulating GaAs and 4H-SiC for high energy physics
Doba trvania:	1. 1. 2016 – 31. 12. 2019
Evidenčné číslo:	2/0152/16
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Zaťko Bohumír, PhD
Anotácia:	Predmetom predkladaného projektu je výskum polovodičových detekčných štruktúr na báze GaAs a 4H-SiC ako detektorov iónov a rýchlych neutrónov, čo zahŕňa nasledovné činnosti: - štúdium technológie prípravy a optimalizácia detekčných štruktúr a prípadného zapúzdrenia z hľadiska ich použitia; - simulácia detekčných vlastností štruktúr s cieľom optimalizácie plochy a hrúbky pripravených kontaktov, ako aj celkového objemu polovodičového materiálu použitého pri návrhu detektorov; - skúmanie fyzikálnych a elektrických vlastností pripravených štruktúr, meranie ich detekčných a spektrometrických vlastností pomocou alfa častíc, vysokoenergetických iónov (40 MeV Xe+), rýchlych neutrónov a pod.; - skúmanie odolnosti pripravených štruktúr proti vysokoenergetickým iónom (Kr+, Xe+ 167 MeV) a elektrónom (5 MeV), sledovanie elektrických a detekčných parametrov; - návrh a optimalizácia pripojenej spektrometrickej trasy podľa parametrov detekčných štruktúr s cieľom dosiahnutia čo najlepšieho energetického rozlíšenia

Výskum progresívnych materiálov a štruktúr pre foto-elektrochemické aplikácie
Investigation of advanced materials and structures for photoelectrochemical applications
Doba trvania:	1. 1. 2016 – 31. 12. 2019
Evidenčné číslo:	1/0651/16
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Huran Jozef, CSc.

Vysokoteplotná charakterizácia, integrácia a spoľahlivosť MEMS senzorov tlaku na báze AlGaN/GaN
High temperature characterization, integration and reliability of MEMS pressure sensors based on AlGaN/GaN
Doba trvania:	1. 1. 2017 – 31. 12. 2019
Evidenčné číslo:	2/0150/17
Program:	VEGA
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vanko Gabriel, PhD.

Výskum technológie nanoobrábania pre aktívne povrchy novej generácie rtg optiky
Research of the nanomachining technology for active surfaces of the new generation of the X-ray optics
Doba trvania:	1. 7. 2015 – 30. 6. 2019
Evidenčné číslo:	14-0745
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Zápražný Zdenko, PhD.

Širokopásmový MEMS detektor terahertzového žiarenia
Broadband MEMS detector of terahertz radiaton
Doba trvania:	1. 7. 2015 – 30. 6. 2018
Evidenčné číslo:	14-0613
Program:	APVV
Zodpovedný riešiteľ:	Ing. Vanko Gabriel, PhD.

Návrh a príprava hybridných štruktúr na báze diamantu a nitridu gália
Design and Fabrication of Diamond-on-GaN Hybrid Structures for MEMS
Doba trvania:	1. 5. 2015 – 30. 4. 2018
Evidenčné číslo:	0068/01/01
Program:	SASPRO
Zodpovedný riešiteľ:	Mgr. Babchenko Oleg, PhD.
Anotácia:	Projekt je zameraný na bilaterálny prenos poznatkov, návrh hybridných elektronických zariadení s účinným tepelným odvodom, napr. AlGaN/GaN súčiastky pasivované diamantom a/alebo diamantové štruktúry a prvky pokryté oxidom kovu, ale aj na samotnú výrobu týchto prvkov a ich charakterizáciu. Predpokladá sa, že riešenie projektu umožní výrobu hybridných vysoko výkonových elektronických súčiastok a/alebo mikro-elektro-mechanických systémov schopných pracovať pri vysokých frekvenciách a/alebo vysokých teplotách.