| Inštitúcia | Aktivity |
|---|---|
| Ferdinand-Braun-Institute, Berlín (Dr. J. Würfl) | Normálne zatvorené GaN HEMT-y pre prevodníky |
| Inst. of Quantum Electronics and Photonics, EPFL Lausanne (Prof. N. Grandjean, Dr. J.-F. Carlin) | Technológia InAlN/GaN HEMT-ov |
| Research Center for Integrated Quantum Electronics, Sapporo, Hokkaido University (Prof. T. Hashizume) | Vysoko bezpečné GaN HEMT-y |
| Research Center Jülich (Dr. M. Mikulics) | III-V nanoštruktúry |
| University of Crete (Prof. A. Georgakilas) | HEMT-y s InN kanálom |
| Epigan NV (Dr. M. Germain) | Rast GaN pomocou MOCVD |
| Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i. (Prof. E. Hulicius) | GaN MOCVD |
| Wroclaw University of Technology, Wroclaw (Prof. M. Tlaczala) | III-V MOCVD |
| FEI STU Bratislava (Prof. A. Šatka) | Elektronika zmiešaných signálov na GaN |
