- Vedúci: Ing. Filip Gucmann, PhD.
- Zástupca vedúceho: Ing. Milan Ťapajna, PhD.
Oddelenie III-V polovodičov sa zameriava najmä na vývoj polovodičových technológií a súčiastok pre vysoko výkonové, vysokonapäťové, vysokofrekvenčné a optoelektronické aplikácie – napr. spínacie tranzistory, usmerňovacie diódy, a UV fotodetektory. Pripravujeme pokročilé mikroelektronické štruktúry a súčiastky nových generácií, ktoré podrobujeme pokročilým komplexným, optickým a tepelným analýzam a skúmame fyzikálne princípy a deje, ktoré v nich pôsobia.
Vďaka prevádzke vlastného laboratória pre chemickú depozíciu tenkých vrstiev z pár organokovov (MOCVD) s troma rastovými apratúrami (Aixtron AIX 200 s horizontálnym reaktorom pre rast III-V materiálov a dva Aixtron CCS systémy s vertikálnym reaktorom pre rast III-N a Ga2O3) aktívne rozvíjame technológiu epitaxného rastu široko a ultraširokopásmových zlúčeninových polovodičov (najmä GaN a Ga2O3 a z nich odvodených viaczložkových polovodičov). Taktiež sa zaoberáme prípravou heteroštruktúr a kvantových štruktúr (napr. InN/InAlN, InAlN/GaN, AlGaN/GaN) a ich pokročilou hĺbkovou materiálovou charakterizáciou.
Hlavné oblasti výskumu:
- Výskum vysoko výkonových a vysokofrekvenčných súčiastok na báze III-N materiálov
- Vysokonapäťové a vysoko výkonové súčiastky a UV detektory na báze Ga2O3
Ďalšie oblasti výskumu:
Aktuality:
Tepelná stabilita vrstiev oxidu galitého: významné poznatky pre polovodičové technológie - Ako stabilné sú vrstvy oxidu galitého pri vysokých teplotách? Túto otázku skúmali naši kolegovia a kolegyne z oddelenia III-V polovodičov, na… 
Výrazné zníženie tepelného odporu GaAs HEMT tranzistorov - Naši kolegovia a kolegyne z oddelenia III-V polovodičov ELÚ SAV, Slovenskej technickej univerzity v Bratislave a Wuhanskej univerzity v Číne dosiahli významný pokrok… 
Riešenie pre efektívne chladenie výkonových Ga2O3 polovodičových súčiastok - Oxid galitý (Ga2O3) je perspektívny materiál pre výrobu polovodičových súčiastok. Hlavnou výhodou Ga2O3 je jeho veľká energetická medzera a z toho vyplývajúce… 
Odporový InAlN: platforma pre nový typ vysoko-rýchlej elektroniky - Existuje potreba nových materiálových systémov, ktoré by otvorili okno do sub-THz frekvečnej elektroniky. V tomto ohľade, vďaka rekordnej teoretickej rýchlosti…