Publikácie

Ing. Filip Gucmann, PhD.

Publikácie za rok 2026

Publikačná činnosť obsahuje údaje z on-line databázy Ústrednej Knižnice SAV.
Zvoľte si rok pre výpis publikácií

Publikácie

  • EGYENES, Fridrich** - MOŠKO, Martin - CHI, Z. - VINCZE, A. - HUŠEKOVÁ, Kristína - DOBROČKA, Edmund - ROSOVÁ, Alica - PRECNER, Marián - ONDREJKA, P. - CHIKOIDZE, E. - MIKOLÁŠEK, M. - MIČUŠÍK, Matej - ŤAPAJNA, Milan** - GUCMANN, Filip. Anomalous hopping regime at the Mott transition from disordered semiconductor to disordered metal in Si-doped Ga2O3. In Physical Review B, 2026, vol. 113, art. no. 195205. (2025: 3.9 - IF, Q2 - JCR, 1.235 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 1550-235X. Dostupné na: https://doi.org/10.1103/khqm-bvwf Typ: ADCA
  • HRUBIŠÁK, Fedor** - ŤAPAJNA, Milan - EGYENES, Fridrich - POHORELEC, Ondrej - DOBROČKA, Edmund - ROSOVÁ, Alica - HUŠEKOVÁ, Kristína - VINCZE, A. - NOGA, Pavol - IZSÁK, Tibor - HUDEC, Boris - ŠČEPKA, Tomáš - GUCMANN, Filip. The effect of hydrogen annealing on the electrical properties of β-Ga2O3/4H-SiC MOSFETs grown by liquid-injection MOCVD. In Materials science in semiconductor processing, 2026, vol. 206, art. no. 110402. (2025: 5.2 - IF, Q1 - JCR, 0.767 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 1369-8001. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.110402 Typ: ADCA
  • LLEWELYN, C.P. - ZÁPRAŽNÝ, Zdenko - DOBROČKA, Edmund - GUCMANN, Filip - LAMB, David**. Scalable growth and properties of (AlxGa1−x)2O3 thin films on 2- and 4-inch sapphire via close-coupled showerhead MOCVD. In Physica Status Solidi A : applications and materials science, 2026, vol. 223, art. no. e202500608. (2025: 2 - IF, Q3 - JCR, 0.412 - SJR, Q2 - SJR). ISSN 1862-6300. Dostupné na: https://doi.org/10.1002/pssa.202500608 (APVV-24-0325 : Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie.) Typ: ADCA
  • ROSOVÁ, Alica** - HASENÖHRL, Stanislav - ŠVEC, Peter Jr. - DOBROČKA, Edmund - GUCMANN, Filip - STOKLAS, Roman - KUČERA, Michal - BLAHO, Michal - POMEROY, J.W. - KUBALL, M. - KUZMÍK, Ján**. Impact of flow modulation on MOCVD-grown In-rich N-polar InAlN films on sapphire. In Journal of Alloys and Compounds, 2026, vol. 1063, art. no. 187698. (2025: 6.7 - IF, Q1 - JCR, 1.079 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 0925-8388. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2026.187698 (VEGA 2/0120/25 : Implementácia konceptu substitúcie HEA atómov pri vývoji nových materiálov pripravených rôznymi ochladzovacími a žíhacími rýchlosťami.) Typ: ADCA
  • ZDURIENČÍK, M.** - GUCMANN, Filip - PUDIŠ, D. Preparation of microstructures for gallium oxide photonic devices. In Transportation Research Procedia : 16th International Scientific Conference on Sustainable, Modern and Safe Transport, 2026, vol. 93, p. 612-617. (2025: 0.308 - SJR). ISSN 2352-1465. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.trpro.2025.11.092 (APVV-20-0264 : Nanooptické sondy a senzory integrované na optickom vlákne.) Typ: ADMB
Pracovníci