Publikácie

Publikácie za rok 2026

Publikácie

• EGYENES, Fridrich** - MOŠKO, Martin - CHI, Z. - VINCZE, A. - HUŠEKOVÁ, Kristína - DOBROČKA, Edmund - ROSOVÁ, Alica - PRECNER, Marián - ONDREJKA, P. - CHIKOIDZE, E. - MIKOLÁŠEK, M. - MIČUŠÍK, Matej - ŤAPAJNA, Milan** - GUCMANN, Filip. Anomalous hopping regime at the Mott transition from disordered semiconductor to disordered metal in Si-doped Ga2O3. In Physical Review B, 2026, vol. 113, art. no. 195205. (2025: 3.9 - IF, Q2 - JCR, 1.235 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 1550-235X. Dostupné na: https://doi.org/10.1103/khqm-bvwf Typ: ADCA
• GUCMANN, Filip** - CHOUHAN, Hemendra - DOBROČKA, Edmund - HUŠEKOVÁ, Kristína - GREGUŠOVÁ, Dagmar - VADLAMUNDI, Sai Gurukrishna - ROSOVÁ, Alica - CHIDAMBARAM, Jeevan Roshan - ŤAPAJNA, Milan. Rotational domains in heteroepitaxial β-Ga2O3 films grown by MOCVD. In 2026 International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications, VLSI TSA 2026 : Proceedings of Technical Papers. - IEEE, 2026, p. [2 s.]. ISBN 979-8-3315-6238-0. Dostupné na: https://doi.org/10.1109/VLSITSA69131.2026.11527602 (09I05-03-V02-00030 : Výskum technológie výroby nízkonákladových polovodičových zariadení na báze oxidov pre IoT a senzorové aplikácie. APVV-24-0325 : Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie. SK-TW-RD-24-0006 : Vývoj technológií epitaxie Ga2O3 na rôzne substráty a Schottkyho diód so zlepšenou spoľahlivosťou. VEGA 2/0156/25 : Tepelný manažment elektronických a optoelektronických súčiastok na báze Ga2O3.) Typ: ADMB
• HRUBIŠÁK, Fedor** - ŤAPAJNA, Milan - EGYENES, Fridrich - POHORELEC, Ondrej - DOBROČKA, Edmund - ROSOVÁ, Alica - HUŠEKOVÁ, Kristína - VINCZE, A. - NOGA, Pavol - IZSÁK, Tibor - HUDEC, Boris - ŠČEPKA, Tomáš - GUCMANN, Filip. The effect of hydrogen annealing on the electrical properties of β-Ga2O3/4H-SiC MOSFETs grown by liquid-injection MOCVD. In Materials science in semiconductor processing, 2026, vol. 206, art. no. 110402. (2025: 5.2 - IF, Q1 - JCR, 0.767 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 1369-8001. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.110402 Typ: ADCA
• CHIDAMBARAM, Jeevan Roshan - ROSOVÁ, Alica** - DOBROČKA, Edmund - ŠVEC, Peter Jr. - HUŠEKOVÁ, Kristína - KUMAR, Satish - ŤAPAJNA, Milan - GUCMANN, Filip. Variation of surface morphology in (𝟐̅𝟎𝟏) β-GA2O3 epitaxial layers on c-plane sapphire substrates connected with {310}/(𝟐̅𝟎𝟏) volume ratio. In Proceedings of ADEPT : 14th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. Nový Smokovec, High Tatras, Slovakia June 5-18, 2026. Eds. S. Kováčová, J. Kováč, jr., I. Lettrichová. - Zilina : Univ. Zilina in EDIS, 2026, p. 111-114. (09I05-03-V02-00030 : Výskum technológie výroby nízkonákladových polovodičových zariadení na báze oxidov pre IoT a senzorové aplikácie. APVV-24-0325 : Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie. SK-TW-RD-24-0006 : Vývoj technológií epitaxie Ga2O3 na rôzne substráty a Schottkyho diód so zlepšenou spoľahlivosťou. VEGA 2/0156/25 : Tepelný manažment elektronických a optoelektronických súčiastok na báze Ga2O3.) Typ: AFD
• SOBOTA, Michal** - LUKÁČ, Tomáš - MOŠKO, Martin - HUŠEKOVÁ, Kristína - VADLAMUNDI, Sai Gurukrishna - GREGUŠOVÁ, Dagmar - GREGUŠ, J. - EGYENES, Fridrich - POHORELEC, Ondrej - ŤAPAJNA, Milan - GUCMANN, Filip. Urbach energy analysis, and electrical properties of polycrystalline Β-Ga2O3. In Proceedings of ADEPT : 14th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. Nový Smokovec, High Tatras, Slovakia June 5-18, 2026. Eds. S. Kováčová, J. Kováč, jr., I. Lettrichová. - Zilina : Univ. Zilina in EDIS, 2026, p. 37-40. (09I05-03-V02-00030 : Výskum technológie výroby nízkonákladových polovodičových zariadení na báze oxidov pre IoT a senzorové aplikácie. APVV-24-0325 : Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie. VEGA 2/0156/25 : Tepelný manažment elektronických a optoelektronických súčiastok na báze Ga2O3.) Typ: AFD
• VARGA, Marian** - KESHTKAR, Javad - HUŠEKOVÁ, Kristína - KOZAK, Iryna - REMEŠ, Z. - GREGUŠOVÁ, Dagmar - SHARMA, D. - KOVÁČOVÁ, Eva - DOBROČKA, Edmund - KOZAK, Andrii - SOBOTA, Michal - IZSÁK, Tibor - SZABÓ, O. - ŤAPAJNA, Milan - KROMKA, A. - GUCMANN, Filip. Towards Ga2O3/diamond-based solar-blind UV photodetectors. In NANOMAT 2026 : International Conference on Functional Nanomaterials and Nanodevices 2026, 7.– 10 July 2026, Brno, Czech Republic. Eds. D. Eder et al. - Sofia : ENNA, 2026, p. 69. ISBN 2603-4239. (IM-2023-87 : Cenovo dostupné fotodetektory s heteroprechodom Ga2O3-diamant pre UV zobrazovanie necitlivé na slnečné svetlo.) Typ: AFE
• ZDURIENČÍK, M.** - MRENA, D. - GREGUŠOVÁ, Dagmar - LAURENČÍKOVÁ, Agáta - HUŠEKOVÁ, Kristína - DOBROČKA, Edmund - ZÁPRAŽNÝ, Zdenko - DÉRER, Ján - GUCMANN, Filip - GORAUS, M. - JANDURA, D. - BENEDIKOVIČ, D. - PIKULÍKOVÁ, V. - PUDIŠ, D. Diffraction gratings for gallium oxide photonic devices. In Proceedings of ADEPT : 14th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. Nový Smokovec, High Tatras, Slovakia June 5-18, 2026. Eds. S. Kováčová, J. Kováč, jr., I. Lettrichová. - Zilina : Univ. Zilina in EDIS, 2026, p. 151-154. (APVV-24-0325 : Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie. 09I05-03-V02-00030 : Výskum technológie výroby nízkonákladových polovodičových zariadení na báze oxidov pre IoT a senzorové aplikácie.) Typ: AFD