Ing. Ondrej Pohorelec, PhD.
Publikácie za rok 2026
Publikačná činnosť obsahuje údaje z on-line databázy Ústrednej Knižnice SAV.
Publikácie
- GREGUŠOVÁ, Dagmar** - POHORELEC, Ondrej - ŤAPAJNA, Milan - HRDÁ, Jana - LAURENČÍKOVÁ, Agáta - KRAJČOVIČOVÁ, Timea Ema - KOZAK, Andrii - STOKLAS, Roman - HULMAN, Martin - MAŤKO, M. - VRETENÁR, Viliam - SOJKOVÁ, Michaela. Concept of electrical contacts for semiconductor devices based on 2D materials. In Proceedings of ADEPT : 14th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. Nový Smokovec, High Tatras, Slovakia June 5-18, 2026. Eds. S. Kováčová, J. Kováč, jr., I. Lettrichová. - Zilina : Univ. Zilina in EDIS, 2026, p. 47-50. (APVV-21-0278 : Nanoštrukturované tenkovrstvové materiály vyznačujúce sa slabými väzbovými interakciami pre elektronické a senzorické aplikácie. APVV-21-0231 : Tranzistory na báze 2D kovových chalkogenidov pripravených teplom podporovanou konverziou.) Typ: AFD
- HRUBIŠÁK, Fedor** - ŤAPAJNA, Milan - EGYENES, Fridrich - POHORELEC, Ondrej - DOBROČKA, Edmund - ROSOVÁ, Alica - HUŠEKOVÁ, Kristína - VINCZE, A. - NOGA, Pavol - IZSÁK, Tibor - HUDEC, Boris - ŠČEPKA, Tomáš - GUCMANN, Filip. The effect of hydrogen annealing on the electrical properties of β-Ga2O3/4H-SiC MOSFETs grown by liquid-injection MOCVD. In Materials science in semiconductor processing, 2026, vol. 206, art. no. 110402. (2025: 5.2 - IF, Q1 - JCR, 0.767 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 1369-8001. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.110402 Typ: ADCA
- KRETTOVÁ, Miriam** - HUŠEKOVÁ, Kristína - WOSKO, M. - DOBROČKA, Edmund - ZÁPRAŽNÝ, Zdenko - KOZAK, Iryna - POHORELEC, Ondrej - ŤAPAJNA, Milan - PASZKIEWICZ, R. - GUCMANN, Filip. Heteroepitaxial growth of β-Ga2O3 films on AlN/Si substrates by liquid-injection MOCVD. In WOCSDICE-EXMATEC 2026 : 49th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, 20th Expert EvaluaƟon and Control of. - Gdansk, 2026, p. 81-82. (09I05-03-V02-00030 : Výskum technológie výroby nízkonákladových polovodičových zariadení na báze oxidov pre IoT a senzorové aplikácie. APVV-24-0325 : Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie. SK-TW-RD-24-0006 : Vývoj technológií epitaxie Ga2O3 na rôzne substráty a Schottkyho diód so zlepšenou spoľahlivosťou. VEGA 2/0156/25 : Tepelný manažment elektronických a optoelektronických súčiastok na báze Ga2O3.) Typ: GII
- KUMAR, N. - HOTOVÝ, I.** - KADLEČÍKOVÁ, M. - SOJKOVÁ, Michaela - KOSTIČ, Ivan - GREGUŠOVÁ, Dagmar - POHORELEC, Ondrej - STOPJAKOVÁ, V. - DOBROČKA, Edmund. Low-temperature ammonia sensing using sulfurized WS2 thin films. In Sensors, 2026, vol. 26, art. no. 4429. (2025: 4 - IF, Q2 - JCR, 0.802 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 1424-8220. (VEGA 2/0075/25 : Heteroštruktúry na báze 2D dichalkogenidov prechodných kovov pre elektronické. APVV-21-0278 : Nanoštrukturované tenkovrstvové materiály vyznačujúce sa slabými väzbovými interakciami pre elektronické a senzorické aplikácie.) Typ:
- SOBOTA, Michal** - LUKÁČ, Tomáš - MOŠKO, Martin - HUŠEKOVÁ, Kristína - VADLAMUNDI, Sai Gurukrishna - GREGUŠOVÁ, Dagmar - GREGUŠ, J. - EGYENES, Fridrich - POHORELEC, Ondrej - ŤAPAJNA, Milan - GUCMANN, Filip. Urbach energy analysis, and electrical properties of polycrystalline Β-Ga2O3. In Proceedings of ADEPT : 14th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. Nový Smokovec, High Tatras, Slovakia June 5-18, 2026. Eds. S. Kováčová, J. Kováč, jr., I. Lettrichová. - Zilina : Univ. Zilina in EDIS, 2026, p. 37-40. (09I05-03-V02-00030 : Výskum technológie výroby nízkonákladových polovodičových zariadení na báze oxidov pre IoT a senzorové aplikácie. APVV-24-0325 : Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie. VEGA 2/0156/25 : Tepelný manažment elektronických a optoelektronických súčiastok na báze Ga2O3.) Typ: AFD
- VADLAMUDI, Sasi Gurukrishna - HUŠEKOVÁ, Kristína - DOBROČKA, Edmund - GREGUŠOVÁ, Dagmar - POHORELEC, Ondrej - MIČUŠÍK, Matej - ŤAPAJNA, Milan - GUCMANN, Filip. Influende of graded (AlxGa1-x)2O3 buffer layer on structural and electrical properties of β-Ga2O3 films grown on sapphire substrates using MOCVD. In WOCSDICE-EXMATEC 2026 : 49th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, 20th Expert EvaluaƟon and Control of. - Gdansk, 2026, p. 120-121. (09I05-03-V02-00030 : Výskum technológie výroby nízkonákladových polovodičových zariadení na báze oxidov pre IoT a senzorové aplikácie. APVV-24-0325 : Výkonové tranzistory na báze oxidu galitého pre vysokonapäťové aplikácie. SK-TW-RD-24-0006 : Vývoj technológií epitaxie Ga2O3 na rôzne substráty a Schottkyho diód so zlepšenou spoľahlivosťou.) Typ: GII