Projekty

Ing. Štefan Chromik, DrSc.

Medzinárodné

Ukončené
  • Príprava a vlastnosti supravodivých a magnetických oxidových vrstiev pre moderné elektronické aplikácie
    Program: Mobility
    Doba trvania: 1. 1. 2023 – 31. 12. 2024
  • Epitaxné vrstvy tranzitných kovov dichalkogenidov pripravených na polovodičoch so širokým zakázaným pásmom pre modernú elektroniku
    Program: ERANET
    Doba trvania: 1. 4. 2020 – 31. 3. 2023
  • Technológia a vlastnosti supravodivých a magnetických oxidových vrstiev pre moderné elektronické aplikácie
    Program: Medzivládna dohoda
    Doba trvania: 1. 1. 2019 – 31. 12. 2021
  • Príprava a vlastnosti supravodivých, magnetických, a dielektrických vrstiev pre kryoelektronické štruktúry
    Program: Medzivládna dohoda
    Doba trvania: 1. 1. 2016 – 31. 12. 2018
  • Smerom k elektronike na báze oxidov
    Program: COST
    Doba trvania: 1. 2. 2016 – 30. 4. 2018
  • Príprava a vlastnosti supravodivých, manganitových a dielektrických vrstiev pre moderné elektronické aplikácie
    Program: Medziakademická dohoda (MAD)
    Doba trvania: 1. 1. 2013 – 31. 12. 2015
  • Príprava a vlastnosti supravodivých, manganitových a dielektrických vrstiev pre kryoelektroniké štruktúry
    Program: Medziakademická dohoda (MAD)
    Doba trvania: 1. 1. 2010 – 31. 12. 2012
  • Sendvičové štruktúry na báze kuprátov,dielektrík a manganitov:fyzikálne vlastnosti a aplikačné možnosti
    Program: Medziústavná dohoda
    Doba trvania: 1. 1. 2004 – 31. 12. 2009
  • Supravodivé a manganitné tenké vrstvy a štruktúry pre aplikácie v kryoelektronike
    Program: Medziakademická dohoda (MAD)
    Doba trvania: 1. 1. 2007 – 31. 12. 2009
  • Základný a aplikovaný výskum supravodivých štruktúr
    Program: Medziakademická dohoda (MAD)
    Doba trvania: 1. 1. 2005 – 31. 12. 2007
  • Dohoda o spolupráci v oblasti supravodivej elektroniky
    Program: Medziústavná dohoda
    Doba trvania: 1. 1. 2004 – 31. 12. 2006
  • -
    Program: Medziakademická dohoda (MAD)
    Doba trvania: 1. 1. 2004 – 31. 12. 2006
  • Vysokoteplotné josephsonovské spoje-metódy prípravy a vlastnosti
    Program: Medziústavná dohoda
    Doba trvania: 1. 1. 2004 – 31. 12. 2006

Národné

Aktuálne
  • Ternárne chalkogenidové perovskity pre fotovoltaiku
    Program: APVV
    Doba trvania: 1. 7. 2024 – 30. 6. 2028
  • Vplyv aplikácie organických molekúl na vlastnosti perovskitovských tenkovrstvových štruktúr
    Program: APVV
    Doba trvania: 1. 7. 2024 – 31. 12. 2027
Ukončené
  • Príprava a vlastnosti supravodivých a magnetických oxidových vrstiev pre moderné elektronické aplikácie
    Program: Vedecko-technické projekty
    Doba trvania: 1. 1. 2023 – 31. 12. 2024
  • Dlhodosahový jav blízkosti v supravodič/feromagnet heteroštruktúrach
    Program: APVV
    Doba trvania: 1. 7. 2020 – 31. 12. 2023
  • Modifikácia YBCO tenkovrstvových štruktúr nízkoenergetickými elektrónmi pre supravodivú elektroniku
    Program: APVV
    Doba trvania: 1. 7. 2017 – 31. 12. 2020
  • Príprava a štúdium vlastností supravodivých a feromagnetických vrstiev a štruktúr pre kryoelektroniku a senzoriku
    Program: VEGA
    Doba trvania: 1. 1. 2014 – 31. 12. 2017
  • Proximitný efekt a transportné vlastnosti nanoštruktúr feromagnet/supravodič
    Program: APVV
    Doba trvania: 1. 7. 2012 – 31. 12. 2015
  • Integrácia supravodivých a manganitových vrstiev a štruktúr na polovodičových podložkách
    Program: APVV
    Doba trvania: 1. 7. 2013 – 31. 12. 2014
  • Tenké vrstvy a štruktúry pre aplikácie v kryoelektronike na polovodičových a iných podložkách
    Program: VEGA
    Doba trvania: 1. 1. 2011 – 31. 12. 2013
  • Vysokoteplotné supravodivé vrstvy a štruktúry pre mikrovlnné aplikácie
    Program: APVV
    Doba trvania: 1. 6. 2008 – 30. 9. 2013
  • Perspektívne tenké vrstvy a štruktúry pre kryoelektoniku na polovodičových podložkách
    Program: VEGA
    Doba trvania: 1. 1. 2008 – 31. 12. 2010
  • Transportné a mikrovlnné charakteristiky diborida horčíka, nového supravodivého materiálu pre praktické aplikácie
    Program: APVV
    Doba trvania: 1. 2. 2008 – 31. 12. 2009
  • Monoliticky integrované obvody na báze GaAs (GaN) s pasívnymi supravodivými filtrami pre milimetrové pásmo
    Program: APVV
    Doba trvania: 1. 5. 2006 – 1. 4. 2009
  • Perspektívne tenké vrstvy a štruktúry pre elektroniku
    Program: APVV
    Doba trvania: 1. 1. 2005 – 1. 12. 2007
Pracovníci