Zoznam článkov
Čas: 26. 2. 2026 o 10,00 hod.Miesto: ElÚ SAV, v.v.i. (veľká zasadačka) Program:
Výberová komisia pre voľbu riaditeľa Elektrotechnického ústavu SAV, v.v.i. (ElÚ SAV) a Vedecká rada ElÚ SAV Vás všetkých pozývajú na predstavenie kandidáta na funkciu riaditeľa ElÚ SAV, Ing. Milana Ťapajnu, PhD., ktoré sa uskutoční dňa 26. novembra 2025 o 11:00 hod. v zasadačke ústavu (miestnosť č. 101). Kandidát na funkciu riaditeľa predloží všetkým zamestnancom organizácie svoj návrh koncepcie a riadenia organizácie….
Elektrotechnický ústav SAV, v. v. i. pozýva na prednášku prof. Dr. Tuo-Hung (Alex) Hou z National Yang Ming Chiao Tung University (NYCU), Taiwan, dňa 24. 11. 2025 o 9:00 Miesto: veľká zasadacia miestnosť ElÚ SAV (101), Dúbravská cesta 9, Bratislava. Prednáška sa uskutoční v rámci programu IEEE Distinguished Lecturer. Názov prednášky: Intelligent Memory Devices and…
Vysoko kremíkom dopované vrstvy nitridu gália (n++ GaN) zohrávajú dôležitú úlohu pri vývoji moderných tranzistorov s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT), ktoré sa uplatňujú v telekomunikáciách aj výkonovej elektronike. Naši kolegovia a kolegyne z oddelenia III-V polovodičov skúmali rast týchto vrstiev pomocou techniky MOCVD pri teplote 800 °C a analyzovali, ako prietok kremíkového prekurzora (SiH₄) ovplyvňuje…
Pozývam Vás na publikačný seminár Čas: 17. 10. 2025 o 10,00 hod.Miesto: ElÚ SAV, v.v.i. (veľká zasadačka) Program:
Pozývam Vás na publikačný seminár Čas: 10. 10. 2025 o 10,00 hod.Miesto: ElÚ SAV, v.v.i. (veľká zasadačka) Program:
Elektrotechnický ústav SAV, v. v. i. pozýva na prednášku Dr. Gábora Méhesa (Waseda University, Japonsko) dňa 08. 10. 2025, o 9.30 hod., vo veľkej zasadacej miestnosti Elektrotechnického ústavu SAV, v.v.i. (miestnosť č. 101), Dúbravská cesta 9, Bratislava. Názov prednášky: Pokroky v oblasti organickej elektroniky a bioelektroniky prostredníctvom výskumu v Japonsku, Švédsku a USA. Dr. Gábor Méhes je docentom na Waseda Univerzite…
Predmetom práce voľnej pozície bude rast a príprava epitaxných III-N kvantových štruktúr narastených pomocou chemickej depozície z kovovo-organických pár. Jedná sa predovšetkým o systémy na báze In(Al)N pre ultra-rýchle tranzistory, elektroniku zmiešaných signálov, ako aj štúdium vertikálnych spínačov na báze GaN. Materiálový výskum bude zahŕňat viaceré techniky na posúdenie štrukturálnych, elektrických a optických vlastností narastených epitaxných vrstiev….
InN je uznávaný ako vynikajúci kandidát pre ultra-rýchlu elektroniku už takmer dve desaťročia. Nedávno sme tieto očakávania podporili tým, že sme extrahovali rýchlosť elektrónov 1 × 108 cm/s v 775 nm hrubej vrstve InN, čo je doteraz najvyššia zaznamenaná hodnota v akomkoľvek polovodičovom materiáli. V našej práci predstavujeme koncept N-polárnych InN/InAlN heteroštruktúr. 20 nm hrubý InN…
Elektrotechnický ústav SAV, v.v.i. prijme s nástupom od októbra 2025 pracovníka/-čku na pozíciu technický pracovník špecializovanú na návrh a prípravu dosiek plošných spojov pre memristorové polia. Požadované vzdelanie: SŠ s maturitou Požadovaná prax: min. 3 roky v obore Odmeňovanie podľa zákona č. 553/2003 Z.z., funkčný plat od 1200 EUR. Termín na prihlášky do 30.9.2025 Kontakt: Ing. Boris Hudec,…