Heteroštruktúrne tranzistory na báze GaN s izolovaným hradlom (GaN MOS-HFET) sú vynikajúcimi kandidátmi pre vysoko-napäťové a vysoko-rýchle súčiastky novej generácie. Správny výber izolácie umožňuje manipulácie povrchového náboja a taktiež nastavenie prahového napätia tranzistora (VT). Napriek rýchlemu napredovaniu uvedenej vednej disciplýny, v literatúre doteraz chýbal komplexný analytický model technologického nastavenenia a výpočtu VT. Uvedená práca poskytuje tento model súčasne s vysvetlením pôvodu a výpočtu všetkých relevatných nábojov v štruktúre.
Práca vznikla v rámci EÚ 7RP projektu HipoSwitch. Projekt je zameraný na vývoj a transfer technológie tranzistorov pracujúcich v obohacovacom móde, t.j. s klúčovým kritériom VT > 0 V.
Ťapajna, M. and Kuzmík, J.: A comprehensive analytical model for threshold voltage calculation in GaN based metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors. Applied Phys. Lett. 100 (2012) 113509.
M. Ťapajna, K. Fröhlich, and J. Kuzmík, Int. Workshop on Semiconductor Devices – IWSD’12 (invited), March 5-6 2012, RCIQE, Sapporo, Japan.
M. Ťapajna and J. Kuzmík, In: Int. Workshop on Nitride Semicond., IWN’12, October 14-19 2012, Sapporo, Japan.