Voľná pozícia: Rast a príprava III-N kvantových štruktúr pre rýchlu elektroniku

Predmetom práce voľnej pozície bude rast a príprava epitaxných III-N kvantových štruktúr narastených pomocou chemickej depozície z kovovo-organických pár. Jedná sa predovšetkým o systémy na báze In(Al)N pre ultra-rýchle tranzistory, elektroniku zmiešaných signálov, ako aj štúdium vertikálnych spínačov na báze GaN. Materiálový výskum bude zahŕňat viaceré techniky na posúdenie štrukturálnych, elektrických a optických vlastností narastených epitaxných vrstiev. Práca bude zavŕšená prípravou a demonštráciou testovacích štruktúr a inovatívných súčiastok.

Aplikant má mať PhD kvalifikáciu blízku fyzike polovodičov, skúsenosti s epitaxným rastom polovodičových vrstiev, znalosti materiálového výskumu, ako aj praktické skúsenosti s prípravou polovodičových súčiastok.

Požadovaná prax: min. 3 roky v obore
Odmeňovanie podľa zákona č. 553/2003 Z.z., funkčný plat od 1200 EUR.
Termín na prihlášky do 7. 10. 2025

Kontakt: Ing. Ján Kuzmík, DrSc., tel. 02/5922 2363
jan.kuzmik@savba.sk