Nanodrôty sa vyznačujú unikátnymi elektrickými a optickými vlastnosťami v dôsledku malých rozmerov a s tým spojeného efektu ohraničenia. Integrácia týchto krehkých objektov vyžaduje dokonalé poznanie ic individuálnych vlastností. Precízna elektrická charakterizácia nanodrútov vyžaduje prípravu dokonalých nanokontaktov s vysokou časovou stabilitou, nízkym kontaktným odporom a ohmickým chovaním. Využili sme konvenčné metódy používané na charakterizáciu poľom riadených tranzistorov aby sme mohli určiž typ vodivosti v nanodrôtoch ako aj pohyblivosť nosičov náboja. Štruktúrne vlastnosti jednotlivých nanodrôtov sme čtudovali pomocou TEM a SEM mikroskopie. GaP nanodrôty sme pripravovali na p-type GaP (111)B substrátov pomocou VLS technológie používajúce Au zárodky s priemerom približne 30 nm. Časť nanodrôtov bola pokrytá obalom hrúbky (10-140 nm) z nanoštrukturovaného ZnO pripraveného pomocou RF naprašovania. Depozícia tenkej vrstvy ZnO na povrchu GaP nanodrôtov viedla k vzniku radiálneho PN prechodu. Táto práca vznikla v rámci projekt APVV-0301-10.
SEM pohľad na lesík nanodrôtov pripravených na GaP substráte (vľavo) a priečny rez GaP nanodrútom pokrytým vrstvou ZnO (vpravo).
Novák, J., Novotný, I., Kováč, J., Eliáš, P., Hasenöhrl, S., Križanová, Z., Vávra, I., and Stoklas, R.: Preparation of thin Ga-doped ZnO layers for core-shell GaP/ZnO nanowires, Applied Surface Sci 258 (2012) 7607-7611.
Suslik, L., Pudis, D., Skriniarova, J., Kovac, J., Kubicova, I., Tvarozek, P., Martincek, I., and Novak, J.: GaAs/AlGaAs light emitting diode with 2D photonic structure in the surface, Proc. SPIE 8070 (2011) art. no. 807017
Novák, J., Šoltýs, J., Eliáš, P., Hasenöhrl, S., Stoklas, R., Dujavová, A., and Mikulics, M.: Electrical and photoluminescence properties of individual GaP nanowires doped by zinc, Phys. Stat. Solidi (a) 209 (2012) 2505-2512.