Zoznam článkov
Kolegovia zo skupiny zaoberajúcej sa výskumom oxidu galitého (Ga2O3) vedenej Dr. Filipom Gucmannom v spolupráci s HUN-REN Centrom pre výskum energie a Inštitútom mikroelektroniky a fotoniky z výskumnej siete Łukasiewicz usporiadali dvojdňový workshop o WBG/UWBG polovodičových materiáloch a súčiastkách v Budapešti, za účelom zdieľania výsledkov dosiahnutých počas realizácie projektu CUBES, ktorý je financovaný Medzinárodným višehradským…
Ako stabilné sú vrstvy oxidu galitého pri vysokých teplotách? Túto otázku skúmali naši kolegovia a kolegyne z oddelenia III-V polovodičov, na Elektrotechnickom ústave Slovenskej akadémie vied. Ich výskum prináša dôležité poznatky o perspektívnom polovodičovom materiáli – oxide galitom (Ga₂O₃), ktorý si získal veľký záujem vedeckej aj priemyselnej komunity vďaka svojim výnimočným vlastnostiam.Ga2O3 vyniká tým, že ponúka…
Naši kolegovia a kolegyne z oddelenia III-V polovodičov ELÚ SAV, Slovenskej technickej univerzity v Bratislave a Wuhanskej univerzity v Číne dosiahli významný pokrok v oblasti tranzistorov s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT) pripravených z polovodiča GaAs. Tieto súčiastky sú kľúčové najmä v aplikáciách vysokofrekvenčnej bezdrôtovej komunikácie v spotrebiteľských, obranných a vesmírnych aplikáciách a taktiež v technológii kvantového počítania, kde sa vo veľkej miere…
Oxid galitý (Ga2O3) je perspektívny materiál pre výrobu polovodičových súčiastok. Hlavnou výhodou Ga2O3 je jeho veľká energetická medzera a z toho vyplývajúce vysoké prierazné pole. To umožňuje použitie Ga2O3 pre vysokonapäťové súčiastky, zatiaľ čo široké zakázané pásmo otvára možnosti jeho využitia pre optoelektronické súčiastky pracujúce v hlbokej UV oblasti. Jednou za hlavných nevýhod Ga2O3 je však jeho nízka…
Existuje potreba nových materiálových systémov, ktoré by otvorili okno do sub-THz frekvečnej elektroniky. V tomto ohľade, vďaka rekordnej teoretickej rýchlosti elektrónov, InN je medzi najhorúcejšími kandidátmi. Najnovšie výskumy ukazujú, že InN vrstvy rastené pomocou molekulárnej zväzkovej epitaxie (MBE) dosahujú rýchlosť elektrónov približne 1 Í 108 cms-1. Doteraz sa však nepodarilo demonštrovať žiaden mikrovlnný tranzistor s InN kanálom….