Nanodrôty (NWs) typu jadro-obal sme pripravili v dvojstupňovom procese: (1) GaP (NWs) sme narástli na GaP substáte pomocou nízkotlakej MOCVD aparatúry s použitím 30nm Au zárodkov použitých ako nukleačné centrá, (2) následne boli GaP NWs pokryté obalovou vrstvou GZnO dotovaného Ga. Obalová vrstva sa pripravila RF naprašovaním v planárnom RF diódovom zariadení značky Perkin Elmer. Elektrické kontakty boli pripravené pomocou individuálnej elektrónovej litografie. Bol použitý lift-off proces. Najprv sa naparili Au/Zn (GaP jadro) a následne Au/Al (ZnO obal) kontakty.Elektrické a fotoelektrické merania celého systému potvrdili, že medzi GaP jadrom a ZnO obalom vznikol radiálny PN heteroprechod.
TEM prierez nanodrôtom typu jadro-obal (vľavo). SEM bočný pohľad na okontaktovaný radiálny PN prechod v nanodrôte (vpravo).
Hasenöhrl, S., Eliáš, P., Šoltýs, J., Stoklas, R., Dujavová, A., and Novák, J.: Zinc-doped gallium phosphide nanowires for photovoltaic structures, Applied Surface Sci 269 (2013) 72-76.* IF: 2,11
Laurenčíková, A., Hasenöhrl, S., Eliáš, P., Stoklas, R., Blaho, M., Križanová, Z., and Novák, J.: Ohmic contacts to p-GaP/n-ZnO core/shell nanowires based on Au metallization, Applied Surface Sci 267 (2013) 60-64.* IF: 2,11
Novák, J., Križanová, Z., Vávra, I., Eliáš, P., Hasenöhrl, S., Laurenčíková, A., Novotný, I., Kováč, J., Šutta, P., and Mikulics, M.: Structural and optical properties of individual GaP/ZnO core-shell nanowires, Vacuum 98 (2013) 106-110. IF: 1,53
Novák, J., Eliáš, P., Hasenöhrl, S., Laurenčíková, A., Vávra, I., Novotný, I., Kováč, J., Mikulics, M., and Grünberg, P.: Properties of individual GaP/ZnO core-shell nanowires with radial PN junction. In: SPIE Microtechnologies 2013. Nanoeng.: Fabric., Propert., Optics, Devices X. Grenoble 2013, Proc. SPIE 8766 (2013) 8766-8.