Publikácie

Mgr. Fridrich Egyenes, PhD.

Publikácie za rok 2026

Publikačná činnosť obsahuje údaje z on-line databázy Ústrednej Knižnice SAV.

EGYENES, Fridrich** - MOŠKO, Martin - CHI, Z. - VINCZE, A. - HUŠEKOVÁ, Kristína - DOBROČKA, Edmund - ROSOVÁ, Alica - PRECNER, Marián - ONDREJKA, P. - CHIKOIDZE, E. - MIKOLÁŠEK, M. - MIČUŠÍK, Matej - ŤAPAJNA, Milan** - GUCMANN, Filip. Anomalous hopping regime at the Mott transition from disordered semiconductor to disordered metal in Si-doped Ga2O3. In Physical Review B, 2026, vol. 113, art. no. 195205. (2025: 3.9 - IF, Q2 - JCR, 1.235 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 1550-235X. Dostupné na: https://doi.org/10.1103/khqm-bvwf Typ: ADCA
HRUBIŠÁK, Fedor** - ŤAPAJNA, Milan - EGYENES, Fridrich - POHORELEC, Ondrej - DOBROČKA, Edmund - ROSOVÁ, Alica - HUŠEKOVÁ, Kristína - VINCZE, A. - NOGA, Pavol - IZSÁK, Tibor - HUDEC, Boris - ŠČEPKA, Tomáš - GUCMANN, Filip. The effect of hydrogen annealing on the electrical properties of β-Ga2O3/4H-SiC MOSFETs grown by liquid-injection MOCVD. In Materials science in semiconductor processing, 2026, vol. 206, art. no. 110402. (2025: 5.2 - IF, Q1 - JCR, 0.767 - SJR, Q1 - SJR). ISSN 1369-8001. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.110402 Typ: ADCA