Korelujeme zabudovanie In so zbytkovým pnutím/relaxáciou v InAlN vrstvách. Vysoký obsah In je potrebný pre prípravu InAlN nárazníkovej vrstvy v tranzistore s InN kanálom. Testovali sme rast priamo na zafíre alebo na zafír/GaN podložke. Na rozdiel od zafír/GaN podložky, rast InAlN vrstvy priamo na zafíre bol doprevádzaný plnou relaxáciou. Následne, obsah In v štruktúre narástol z 0.28 na 0.60, v porovnaní s rastom na zafír/GaN podložke.
a) Typický XRD 2θ/ω sken In0.60Al0.40N narastenenej priamo na (0001) zafír, b) Negatívny Cs HRTEM záznam InxAl1‑xN vrstvy narastenej na zafíre s vyznačenými N atómami (modro) a In/Al atómami (červeno), c) In, N, Al, O a C prvková analýza InxAl1-xN vrstiev na zafíre v smere [0001].
Chauhan, P., Hasenöhrl, S., Dobročka, E., Chauvat, M.-P., Minj, A., Gucmann, F., Vančo, Ľ., Kováč, J.jr., Kret, S., Ruterana, P., Kuball, M., Šiffalovič, P., and Kuzmík, J.: Evidence of relationship between strain and In-incorporation: growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD, J. Applied Phys. 125 (2019).
Chauhan, P., Hasenöhrl, S., Minj, A., Chauvat, M.P., Ruterana, P., and Kuzmík, J, Growth evolution of N-polar Indium-rich InAlN layer on c-sapphire via strain relaxation by ultrathin AlON interlayer, Applied Surface Sci 502 (2020) 144086.
Chauhan, P., Hasenöhrl, S., Dobročka, E., Vančo Ľ., Stoklas, R., Kováč, J., Šiffalovič, P., and Kuzmík, J.: Effect of temperature and carrier gas on the properties of thick InxAl1-xN layer, Applied Surface Sci 470 (2019) 1-7.
Hasenöhrl, S., Chauhan, P., Dobročka, E., Stoklas, R., Vančo, Ľ., Veselý, M., Bouazzaoui, F., Chauvat, M.-P., Reterana, P., and Kuzmík, J.: Generation of hole gas in non-inverted InAl(Ga)N/GaN heterostructures, Applied Phys. Express 12 (2019) 014001.