InN je materiál s najvyššou saturačnou rýchlosťou elektrónov zo všetkých známych polovodičov v prírode. Je teda kandidátom na konštrukciu rekordne rýchlych tranzistorov. Avšak doteraz sa nepodarilo pripraviť mikrovlnný tranzistor na báze InN. Dôvodom je velké pnutie zdola pri raste InN na GaN podklade a taktiež efekt akumulácie elektrónov na povrchu InN. V našej práci sme analyzovali elektrické a chemické vlastnosti InN povrchu narasteného s rôznou polaritou a možnosti odstránenia nežiadúcej akumulácie elektrónov na povrchu. Analýzou foto-elektrónov vybudených z jadra atómov sme zistili značnú oxidáciu povrchu InN, pokiaľ bol narastený s voľnými kovovými väzbami na povrchu. Taktiež sme zistili značnú akumuláciu elektrónov, nezávisle na prítomnosti oxidu. Na druhej strane, pokiaľ bol InN prikrytý dvoma monovrstvami GaN, oxidácia povrchu bola silne potlačená. Naviac, pri prikrytí InN povrchu štyrmi monovrstvami GaN, došlo k úplnému potlačeniu povrchovej akumulácie. Tento efekt je dôležitý z hľadiska konštrukcie budúcich ultra-rýchlych tranzistorov.
Kuzmik, J., Haščík, Š., Kučera, M., Kúdela, R., Dobročka, E., Adikimenakis, A., Mičušík, M., Gregor, M., Pleceník, A., and Georgakilas, A.: Elimination of surface band bending on N-polar InN with thin GaN capping, Applied Phys. Lett. 107 (2015) 191605.
Kuzmík, J., Adikimenakis, A., Gregor, M., Mičušík, M., Eičo, K., Haščík, Š., Plecenik, A., and Georgakilas, A.: Impact of polarity and GaN capping on electrical and material properties of In